Diody do ochrony ESD o małej rezystancji dynamicznej

Do oferty firmy Toshiba trafiły cztery nowe diody do ochrony linii sygnałowych przed wyładowaniami ESD w urządzeniach o dużej gęstości upakowania podzespołów. Charakteryzują się one małą rezystancją dynamiczną, małą pojemnością wewnętrzną i małymi wymiarami obudów.

Występują w wersji jedno- i czterokanałowej. Wersje jednokanałowe DF2B5M4SL i DF2B6M4SL są zamykane w obudowach SOD-962 o powierzchni montażowej wynoszącej zaledwie 0,62 x 0,32 mm. Wersje czterokanałowe DF10G5M4N i DF10G6M4N są zamykane w obudowach DFN-10 o rozkładzie wyprowadzeń flow-through.

Wszystkie modele charakteryzują się rezystancją dynamiczną wynoszącą typowo 0,5 Ω, mniejszą o połowę od wcześniejszych wersji oraz małą pojemnością wewnętrzną (typ. 0,2 pF dla 0 V i 1 MHz).

Realizują zabezpieczenie przed impulsami ESD do minimum ±20 kV przenoszonymi przez dotyk, zgodnie z IEC61000-4-2. Ponadto, zapewniają małe napięcie przebicia lawinowego, wynoszące od 24 do 25 V dla prądu o natężeniu 30 A.