Szybka pamięć notatnikowa HyperRAM 64 Mb z automatycznym odświeżaniem

Cypress Semiconductor wprowadza na rynek pierwsze wersje próbne pamięci HyperRAM o pojemności 64 Mb. Jest to szybka pamięć DRAM z samoczynnym odświeżaniem, komunikująca się z mikroprocesorem za pomocą 12-liniowego interfejsu HyperBus.

Może być wykorzystywana jako pamięć notatnikowa przy renderingu grafiki wysokiej rozdzielczości lub w algorytmach o intensywnym wykorzystaniu danych w aplikacjach komercyjnych, przemysłowych i samochodowych.

Zapewnia maksymalną szybkość odczytu/zapisu równą 333 Mbps. Występuje w wersjach o napięciu zasilania 1,8 i 3,0 V. W połączeniu z opracowaną przez Cypress pamięcią HyperFlash (NOR Flash), nowa pamięć HyperRAM może znaleźć szerokie pole zastosowań w systemach embedded, w których oba te typy pamięci dzielą tą samą 12-bitową szynę HyperBus.

W tradycyjnych systemach z pamięciami SDRAM i Dual-Quad SPI wymagane są w sumie 42 linie do transmisji danych. Połączenie pamięci HyperRAM i HyperFlash zmniejsza zapotrzebowanie do zaledwie 12 linii, co w dużym stopniu ułatwia projektowanie płytek drukowanych i obniża ich koszt.

Rozpoczęcie masowej produkcji pamięci HyperRAM zaplanowano na trzeci kwartał b.r. Układ będzie produkowany w obudowach BGA-24 o powierzchni 8 x 6 mm.