1700-woltowy tranzystor SiC MOSFET do zastosowań w przemyśle
Rohm
Firma Rohm dodała do oferty wysokonapięciowych tranzystorów MOSFET nowy model n-kanałowy SCT2H12NZ wykonany na podłożu SiC i zamykany w obudowie TO-3PFM do montażu przewlekanego. Jest to tranzystor zaprojektowany do zastosowań w przemyśle, charakteryzujący się wymaganą w tego typu aplikacjach drogą upływu, małą rezystancją RDS(on) i małym ładunkiem bramki oraz wynikającymi stąd małymi stratami.
Straty na przewodzenie są w przypadku SCT2H12NZ 8-krotnie mniejsze od strat w typowych wysokonapięciowych tranzystorach MOSFET wykonywanych na podłożach krzemowych.
Rohm oferuje układ sterowania przetwornic AC-DC (BD7682FJ-LB) specjalnie zaprojektowany do przetwornic z tranzystorami SiC MOSFET, pozwalający zwiększyć ich sprawność nawet o 6%. Cena hurtowa SCT2H12NZ wynosi 3,38 USD przy zamówieniach 100 sztuk.
W ofercie firmy Rohm dostępna jest też płytka ewaluacyjna zasilacza z 3-fazowym wejściem 400...690 VAC i wyjściem 24 V/1 A, opartego na tranzystorze SCT2H12NZ i układzie sterowania BD7682FJ-LB. Cena płytki (ozn. BD7682FJ-LB-EVK-402) wynosi 492 USD.
Obecnie trwają prace nad dwiema nowymi wersjami tranzystora: SCT2H12NY (4 A) i SCT2750NY (5,9 A) zamykanymi w obudowach do montażu powierzchniowego.
| Symbol | Obudowa | Polaryzacja | VDSS | ID | PD (Tc=25°C) | RDS(on) VGS=18 V | QG VGS=18 V | |
| nowy | SCT2H12NZ | TO-3PFM | N-kanałowy | 1700 V | 3,7 A | 35 W | 1,15 Ω (typ.) | 14 nC (typ.) |
| w opracowaniu | SCT2H12NY | TO-268-2L (SMD) | 4 A | 44 W | ||||
| w opracowaniu | SCT2750NY | 5,9 A | 57 W | 0,75 Ω (typ.) | 17 nC (typ.) |
