800-woltowe tranzystory superzłączowe CoolMOS P7

Infineon Technologies AG dodaje do oferty tranzystorów MOSFET nową serię 800-woltowych tranzystorów superzłączowych CoolMOS P7 po raz kolejny podnoszących poprzeczkę w zakresie sprawności i parametrów termicznych. Nadają się one idealnie do zastosowań w zasilaczach impulsowych małej mocy, zapewniając korzystny współczynnik parametrów do ceny.

Producent zaleca je do zastosowań zwłaszcza w zasilaczach o topologii zaporowej, często stosowanych m.in. w ładowarkach sieciowych i systemach oświetleniowych LED. W typowej przetwornicy zaporowej tranzystory CoolMOS P7 mogą zapewnić większą o 0,1...0,6°C sprawność energetyczną w stosunku do wcześniejszej serii CoolMOS C3 i konkurencyjnych tranzystorów MOSFET, co przekłada się na niższą o 2...8°C temperaturę pracy.

Porównanie RDS(on) tranzystorów CoolMOS P7 i innych produkowanych w obudowach DPak

Wynika to z ich zoptymalizowanych parametrów, w tym mniejszych o ponad 50% wartościach E_oss i Q_g oraz zredukowanej pojemności C_iss i C_oss. Osiągane tu wartości R_DS(on) zaczynają się już od 280 mΩ. Wbudowana dioda Zenera znacząco poprawia odporność na wyładowania ESD, co zwiększa uzysk produkcyjny.

Nowe tranzystory są łatwe w sterowaniu i ułatwiają projektowanie obwodów ze względu na zastosowane napięcie progowe V_(GS)th równe 3 V i jego małe wahania, poniżej ±0,5 V. Mają być docelowo dostępne w 6 typach obudów i w 12 klasach rezystancji R_DS(on). Obecnie w sprzedaży dostępne są wersje o rezystancji R_DS(on) równej 280 mΩ, 450 mΩ, 1400 mΩ i 4500 mΩ.