Pierwszy 60-woltowy tranzystor FemtoFET o rezystancji RDS(on) poniżej 100 mΩ

Texas Instruments
Produkt firmy:
Texas Instruments

Texas Instruments prezentuje pierwszy n-kanałowy tranzystor MOSFET rodziny FemtoFET o napięciu przebicia 60 V, którego rezystancję RDS(on) zmniejszono do poziomu poniżej 100 mΩ. CSD18541F5 charakteryzuje się powierzchnią zaledwie 1,2 mm², dzięki czemu może znaleźć zastosowanie w urządzeniach bateryjnych o największym stopniu upakowania podzespołów.

Poza małą rezystancją kanału zapewnia też bardzo małe wartości ładunku Qg (11 nC) i Qgd (1,6 nC). Zawiera wewnętrzną diodę zabezpieczającą przed wyładowaniami ESD. Pracuje w zakresie dopuszczalnych temperatur złącza od -55 do +150°C.

Pozostałe parametry:

  • RDS(on): typ. 57 mΩ @ VGS=4,5 V (54 mΩ @ VGS=10 V),
  • VGS(th): 1,75 V,
  • ID: 2,2 A,
  • IDM: 21 A (impuls <100 µs, cykl pracy <1%),
  • PD: 500 mW,
  • EAS: 8,2 mJ (pojedynczy impuls ID=12,8 A, L=0,1 mH, RG=25 Ω),
  • wymiary: 1,53 x 0,77 x 0,35 mm,