Szybkie pamięci SDR SDRAM 512 Mb o małym poborze mocy
Firma Alliance Memory wprowadza na rynek serię 512-megabitowych pamięci SDR SDRAM o małym poborze mocy, przeznaczonych do zastosowań w urządzeniach przenośnych.
Pracują one z napięciem zasilania 1,8 V i udostępniają kilka trybów oszczędnościowych pozwalających obniżyć pobór mocy do niezbędnego minimum, w tym:
- TCSR (temperature-compensated self-refresh), obniżający pobór mocy w niskich temperaturach,
- PASR (partial-array self-refresh) obniżający pobór mocy poprzez odświeżanie tylko krytycznych danych,
- DPD (deep power down) obniżający pobór mocy, gdy nie jest wymagana retencja danych.
AS4C32M16MS i AS4C16M32MS mogą być stosowane jako bezpośrednie zamienniki wielu podobnych pamięci o tym samym rozkładzie wyprowadzeń, znajdujących zastosowanie w elektronice użytkowej, aparaturze medycznej i urządzeniach sieciowych/telekomunikacyjnych.
Różnią się konfiguracją wewnętrzną (odpowiednio 4 banki x 8 Mb x 16 oraz 4 banki x 4 Mb x 32). Pracują z maksymalną częstotliwością taktowania 166 MHz. Występują w wersjach na komercyjny (-25...+85°C) i przemysłowy (-40...+85°C) zakres temperatur pracy.
Są produkowane w dwóch typach obudów: FPBGA-54 (9 x 8 mm) i FPBGA-90 (13 x 8 mm).
Oznaczenie | Konfiguracja | Zegar | Obudowa | Zakres temperatur pracy |
AS4C32M16MS-7BCN | 32 M x 16 | 133 MHz | FPBGA-54 | -25...+85°C |
AS4C32M16MS-6BIN | 32 M x 16 | 166 MHz | FPBGA-54 | -40...+85°C |
AS4C16M32MS-7BCN | 16 M x 32 | 133 MHz | FPBGA-90 | -25...+85°C |
AS4C16M32MS-6BIN | 16 M x 32 | 166 MHz | FPBGA-90 | -40...+85°C |