Wysokoprądowy MOSFET TK160F10N1 w nowej wersji o zawężonym przedziale napięcia progowego

Toshiba dodaje do oferty nową wersję wysokoprądowego tranzystora CMOS TK160F10N1 o zawężonym przedziale napięcia progowego V_th w stosunku do poprzedniej wersji, przeznaczonego do zastosowań w półmostkowych, mostkowych i trójfazowych stopniach sterujących. TK160F10N1L to tranzystor o parametrach znamionowych 100 V/160 A i rezystancji R_DS(on) wynoszącej 2,4 mΩ, adresowany do impulsowych układów dużej mocy stosowanych w motoryzacji.

Jego przedział minimalnej/maksymalnej wartości V_th wynosi 2,5 V/3,5 V, podczas gdy we wcześniejszej wersji było to 2 V/4 V, co pozwala skrócić czas martwy w wysokoprądowych stopniach sterujących.

W aplikacjach, w których tranzystory MOSFET są połączone równolegle węższy przedział V_th poprawia ich synchronizację pracy, co z kolei pozwala bardziej równomiernie rozłożyć straty mocy. Gdy któryś z tranzystorów włącza się wcześniej lub wyłącza się później od innych, koncentruje na sobie większą energię strat.

TK160F10N1L jest produkowany w oparciu o najnowszą technologię UMOS VIII-H zapewniającą małe oscylacje przy przełączaniu i mniejszy poziom wytwarzanych zaburzeń EMI. Uzyskał kwalifikację AEC-Q101 pozwalającą na zastosowania w elektronice samochodowej.