IR HiRel, oddział firmy Infineon Technologies AG wprowadza na rynek swoje pierwsze tranzystory MOSFET o zwiększonej odporności na promieniowanie, produkowane w oparciu o proces technologiczny R9. W porównaniu z wcześniejszymi technologiami produkcji charakteryzują się one mniejszymi wymiarami i masą oraz zwiększoną mocą znamionową, co ma znaczenie w przypadku zastosowań w satelitach komunikacyjnych, pozwalając zmniejszyć współczynnik cena/bit.
Nowa oferta obejmuje dwa tranzystory n-kanałowe o napięciu przebicia 100 V i dopuszczalnym prądzie drenu 35 A, nadające się do aplikacji mission-critical ze względu na dużą żywotność, przekraczającą 15 lat. Mogą one pracować w przetwornicach DC-DC, kontrolerach układów napędowych i innych szybkich układach przełączających.
IRHNJ9A7130 i IRHNJ9A3130 zapewniają zwiększoną odporność na promieniowanie, mierzoną współczynnikiem TID (total ionizing dose) wynoszącą odpowiednio 100 i 300 kRads. Wykazują rezystancję RDS(on) mniejszą o 33% niż w tranzystorach wcześniejszych generacji (typ. 25 mΩ).
W połączeniu ze zwiększonym dopuszczalnym prądem drenu (35 A vs. 22 A) pozwala to zwiększyć gęstość mocy i ograniczyć straty w aplikacjach impulsowych.
Oba tranzystory są zamykane w hermetycznych obudowach SMD-0.5 o wymiarach 10,28 x 7,64 x 3,12 mm oraz mogą być dostarczane w postaci nieobudowanych struktur.
Więcej na: www.infineon.com