Pierwszy superzłączowy tranzystor MOSFET 600 V nowej generacji o najniższym współczynniku FOM

Firma Vishay prezentuje pierwszy 600-woltowy tranzystor MOSFET 4. generacji, wchodzący w skład nowej serii \"E\". SiHP065N60E został zaprojektowany do zastosowań w wysokonapięciowych stopniach wejściowych układów zasilających, w tym w układach korekcji PFC.

Jest to tranzystor superzłączowy o bardzo małych stratach na przewodzenie i przełączanie, wynikających z obniżonej o 30% rezystancji R_DS(on) od wcześniejszych wersji i obniżonym o ponad 40% ładunku bramki (65 mΩ @ 10 V, 49 nC).

W swojej klasie tranzystorów 600-woltowych oferuje najniższy współczynnik FOM (R_DS(on) * Q_G) decydujący o stratach przy pracy impulsowej, mniejszy o 25% od najbliższego odpowiednika. Jest produkowany w obudowie TO-220AB.