64-poziomowa pamięć V-NAND Flash o pojemności 256 Gb

Samsung informuje o rozpoczęciu masowej produkcji 64-warstwowej, 256 gigabitowej pamięci V-NAND Flash zaprojektowanej do zastosowań w serwerach, komputerach PC i urządzeniach mobilnych. Jest to pamięć MLC (multi-level-cell) przechowująca 3 bity informacji w pojedynczej komórce, zapewniająca szybkość transmisji do 1 Gbps - największą spośród dostępnych obecnie na rynku pamięci NAND Flash.

Czas programowania strony wynosi tu jedynie 500 µs - czterokrotnie mniej niż w typowych pamięciach planarnych realizowanych w procesie technologicznym 10 nm oraz 1,5 x mniej niż w najszybszych obecnie 48-warstwowych pamięciach V-NAND Flash o pojemności 256 Gb. Nowa pamięć 64-warstwowa może pracować z napięciem zasilania 2,5 V, co zapewnia 30-procentową oszczędność energii w stosunku do wcześniejszej wersji 48-warstwowej.