Najszybsza na rynku pamięć DRAM o pojemności 8 GB i przepustowości 256 GBps

Kategoria produktu: Podzespoły półprzewodnikowe

Samsung zwiększa masową produkcję najszybszych obecnie na rynku pamięci DRAM - 8 GB HBM2 (High Bandwidth Memory-2), przeznaczonych do aplikacji o najbardziej intensywnym wykorzystaniu danych, w tym sztucznej inteligencji, zaawansowanej grafiki, systemów sieciowych i serwerów enterprise. Oprócz HBM2 i TSV (Through Silicon Via), ponad 850 innych technologii wykorzystanych przy produkcji nowej pamięci DRAM aplikuje obecnie o przyznanie patentów lub zostało już opatentowanych.

Struktura układu obejmuje 8 matryc pamięci po 8 Gb HBM2 i strukturę bufora umieszczoną na dole stosu z połączeniami pionowymi TSV do pozostałych warstw i mikro-kulkami połączeniowymi.

Każda z warstw zawiera ponad 5000 połączeń TSV, a w całym układzie jest ich ponad 40 tysięcy. Pamięci HBM2, po raz pierwszy zaprezentowane w czerwcu 2016, osiągają przepustowość równą 256 GBps, 8-krotnie większą niż w przypadku pamięci GDDR5 DRAM.