Tranzystory MOSFET NP110N04PUJ i NP110N055PUJ

Tranzystory MOSFET do szybkiego przełączania dużych prądów

Nowe tranzystory MOSFET produkowane w technologii SuperJunction1 (SJ1) opracowanej przez firmę NEC Electronics są projektowane pod kątem szybkiego przełączania dużych prądów Charakteryzują się mniejszym o 30% ładunkiem bramki i pojemnością wejściową od dotychczasowych wersji produkowanych w technologii UMOS-4, przy zachowaniu małej rezystancji kanału R_DS(on).

Oznacza to w konsekwencji mniejszy współczynnik FOM (Figure of Merit) decydujący o sprawności i szybkości pracy tranzystora w układach impulsowych. Obecnie oferta tranzystorów produkowanych w oparciu o technologię SuperJunction1 obejmuje pierwsze cztery modele zamykane w obudowach D²Pak: NP109N04PUJ, NP109N055PUJ, NP110N04PUJ i NP110N055PUJ.

NP110N04PUJ i NP110N055PUJ to tranzystory o napięciach znamionowych odpowiednio 40 i 55V. Wykazują ładunek bramki równy 200nC i rezystancję R_DS(on) wynoszącą odpowiednio 1,8mΩ i 2,4mΩ. Dopuszczalny prąd przewodzenia wynosi 110A, a moc strat 288W. Dzięki uzyskaniu kwalifikacji AEC-Q101 tranzystory te mogą być stosowane w elektronice samochodowej. Pracują w zakresie temperatur złącza do +175ºC.