3-fazowy moduł IPM o parametrach 1200 V/450 A zrealizowany w technologii SiC MOSFET

CXT-PLA3SA12450 to 3-fazowy zintegrowany moduł zasilania (IPM) zrealizowany na bazie chipsetu HADES2 i tranzystorów SiC MOSFET o napięciu przebicia 1200 V, mogący znaleźć zastosowanie w układach napędowych dużej mocy. Może on pracować z maksymalnym prądem ciągłym 450 A/300 A (dla T_f=25°C/90°C) i podobnie, jak inne elementy półprzewodnikowe z oferty firmy Cissoid, charakteryzuje się szerokim zakresem dopuszczalnej temperatury pracy od -40 do +125°C (maks. temperatura złącza +175°C).

Zawiera zabezpieczenie podnapięciowe, zwarciowe (bramka-źródło), antynasyceniowe i przed odwróceniem polaryzacji zasilania (do -3 V). Jest odporny na impulsy przepięciowe o szybkości narastania do co najmniej 50 kV/µs.

Pozostałe parametry:

• rezystancja w stanie ON: typ. 3,25 mΩ,
• rezystancja termiczna: typ. 0,15°C/W,
• energia przełączana @ 600 V/300 A: Eon=8,3 mJ/Eoff=11,2 mJ,
• maks. częstotliwość taktowania: 25 kHz,
• izolacja: 3600 V_AC (50 Hz, 1 min.),
• pojemność pasożytnicza: typ 11 pF na fazę.