Obudowa do modułów SiC MOSFET o bardzo małej indukcyjności resztkowej
Firma Microsemi zaprezentowała nowy typ obudowy do podzespołów półprzewodnikowych dużej mocy, charakteryzującej się bardzo małą indukcyjnością resztkową, wynoszącą zaledwie 2,9 nH. Opracowana specjalnie do modułów SiC MOSFET rodziny SP6LI, pozwala na uzyskanie dużego prądu wyjściowego, dużej częstotliwości pracy i dużej sprawności energetycznej. Obecnie rodzina SP6LI obejmuje 5 standardowych modułów dwutranzystorowych o topologii phase leg, produkowanych na napięcia znamionowe 1200 V i 1700 V oraz na zakres prądów przewodzenia do 200 A.
Większa gęstość mocy niż w przypadku większości odpowiedników oraz małe gabaryty pozwalają zredukować liczbę połączonych równolegle modułów i zmniejszyć wymiary płytki drukowanej. Moduły SP6LI mogą znaleźć zastosowanie w zasilaczach impulsowych i układach sterowania w aplikacjach przemysłowych, motoryzacyjnych, medycznych i lotniczych.
Przykładem mogą być pojazdy o napędzie elektrycznym i hybrydowym, systemy odzyskiwania energii kinetycznej (KERS), siłowniki lotnicze, konwertery systemów fotowoltaicznych oraz zasilacze UPS. Charakteryzują się one bardzo małą rezystancją RDS(on), już od 2,1 mΩ. Zawierają wbudowane termistory do monitorowania temperatury. Ich połączenia elektryczne, zarówno sygnałowe, jak i dużej mocy, są realizowane za pomocą terminali śrubowych.
