Zasilanie / Produkty

Tranzystory GaN FET 650 V do zasilaczy impulsowych klasy 80 PLUS Titanium o mocy >2 kW
Podzespoły energoelektroniczne

Tranzystory GaN FET 650 V do zasilaczy impulsowych klasy 80 PLUS Titanium o mocy >2 kW

Moduły IPM 600 V o dużej sprawności i małym poziomie zaburzeń elektromagnetycznych
Podzespoły energoelektroniczne
Moduły IPM 600 V o dużej sprawności i małym poziomie zaburzeń elektromagnetycznych
W większości produkowanych obecnie modułów IPM priorytetem jest zapewnienie maksymalnej sprawności energetycznej, co często odbywa się kosztem zwiększenia poziomu generowanych zaburzeń elektromagnetycznych. Problem ten pozwalają rozwiązać moduły IPM nowej serii BM6437x z oferty firmy Rohm, charakteryzujące się równocześnie małym poziomem generowanych zaburzeń elektromagnetycznych i małymi stratami.
80-amperowy nieizolowany regulator PoL o wymiarach 33 x 8,6 x 19 mm
Źródła zasilania
80-amperowy nieizolowany regulator PoL o wymiarach 33 x 8,6 x 19 mm
BMR474 to najnowszy nieizolowany regulator napięcia PoL (Point of Load) z oferty firmy Flex Power Modules, oferujący wydajność prądową 80 A przy wymiarach wynoszących zaledwie 33 x 8,6 x 19 mm. Jest on przystosowany do montażu pionowego, co zmniejsza wymaganą powierzchnię płytki drukowanej. Umożliwia zasilanie obciążenia maksymalną mocą 198 W i zapewnia sprawność energetyczną sięgającą nawet 95,1% przy pełnym obciążeniu (dla VIN=12 V i VOUT=3,3 V).
Moduł mocy 1200 V z tranzystorami CoolSiC i IGBT7 do systemów solarnych i gromadzenia energii
Podzespoły energoelektroniczne
Moduł mocy 1200 V z tranzystorami CoolSiC i IGBT7 do systemów solarnych i gromadzenia energii
Do rodziny 1200-woltowych modułów mocy firmy Infineon wchodzi nowy model EasyPACK 2B zrealizowany w 3-poziomowej topologii Active NPC na tranzystorach CoolSiC MOSFET i TRENCHSTOP IGBT7. Jego struktura obejmuje też czujnik temperatury NTC. F3L11MR12W2M1_B74 jest polecany do zastosowań w szybkich aplikacjach impulsowych, m.in. systemach gromadzenia energii. Pozwala też zwiększyć gęstość mocy i sprawność energetyczną w instalacjach solarnych.
Tanie 650-woltowe tranzystory SiC MOSFET o rezystancji RDS(on) równej 120 mΩ
Podzespoły półprzewodnikowe
Tanie 650-woltowe tranzystory SiC MOSFET o rezystancji RDS(on) równej 120 mΩ
Richardson RFPD powiększa rodzinę 650-woltowych tranzystorów SiC MOSFET 3. generacji o trzy tanie modele o rezystancji RDS(on) równej 120 mΩ. Są one oferowane w cenie hurtowej 3,9 USD przy zamówieniach 100 sztuk, kilkakrotnie niższej od wcześniejszych wersji o bardziej wyśrubowanych parametrach.
Płytki referencyjne energooszczędnych kontrolerów sprężarek do lodówek z komponentami Infineon
Komponenty automatyki
Płytki referencyjne energooszczędnych kontrolerów sprężarek do lodówek z komponentami Infineon
Firma Infineon zaprezentowała dwa projekty referencyjne energooszczędnych kontrolerów sprężarek do lodówek, wykonanych na bazie podzespołów z własnej oferty. Mogą być one wykorzystywane jako podstawa do realizacji własnych projektów opartych na komponentach produkowanych przez Infineon. Ze względu na sprawdzoną konstrukcję, pozwalają w znacznym stopniu skrócić czas projektowania i ograniczyć ryzyko popełnienia błędów.
2-amperowy przełącznik zasilania z kontrolą slew-rate do ochrony przed dużymi impulsami prądu
Podzespoły pasywne
2-amperowy przełącznik zasilania z kontrolą slew-rate do ochrony przed dużymi impulsami prądu
Nowy 2-amperowy przełącznik zasilania z kontrolą slew-rate, opracowany przez firmę Diodes, zapewnia ochronę przed dużymi impulsami prądu rozruchowego. AP22916 to miniaturowy układ zamykany w obudowie SMD chip-scale o wymiarach zaledwie 0,78 x 0,78 x 0,45 mm, mogący pracować z maksymalnym prądem wyjściowym równym 2 A. Jego rezystancja wewnętrzna wynosi 60 mΩ przy napięciu wejściowym 5 V.
Scalone sterowniki SiP do układów sterowania 3-fazowymi silnikami BLDC
Podzespoły półprzewodnikowe
Scalone sterowniki SiP do układów sterowania 3-fazowymi silnikami BLDC
Renesas wprowadza na rynek dwa nowe moduły SiP ułatwiające projektowanie układów sterowania 3-fazowymi silnikami BLDC w elektronarzędziach, dronach, robotach, odkurzaczach automatycznych i innych urządzeniach zasilanych z akumulatora: RAJ306001 i RAJ306010. Oba układy zapewniają bardziej precyzyjną kontrolę w szerokim zakresie prędkości obrotowych w porównaniu z wcześniejszymi wersjami, a równocześnie wymagają mniejszej powierzchni płytki drukowanej. Zawierają mikrokontroler i stopień sterujący, zamknięte w obudowie QFN o powierzchni 8 x 8 mm. Stopień sterujący obejmuje sterowniki bramek, regulator 5 V, wzmacniacze pomiarowe current-sense, komparatory, wzmacniacz back-EMF oraz zestaw obwodów zabezpieczających (termiczny, podnapięciowy, nadnapięciowy, nadprądowy, detektor zablokowania silnika).
Izolowany sterownik bramek tranzystorów SiC MOSFET o napięciu do 1200 V
Podzespoły półprzewodnikowe
Izolowany sterownik bramek tranzystorów SiC MOSFET o napięciu do 1200 V
STMicroelectronics powiększa rodzinę izolowanych sterowników bramek o model STGAP2SiCS, zaprojektowany do współpracy z tranzystorami SiC MOSFET o napięciu znamionowym do 1200 V. Układ generuje napięcie sterujące bramką do 26 V i zapewnia wydajność prądową ±4 A, wystarczającą do sterowania tranzystorów w aplikacjach średniej i dużej mocy: grzejnikach indukcyjnych, spawarkach, zasilaczach UPS i napędach przemysłowych.
1300-watowy konwerter DC-DC rozmiaru half-brick do zasilania wzmacniaczy w.cz.
Źródła zasilania
1300-watowy konwerter DC-DC rozmiaru half-brick do zasilania wzmacniaczy w.cz.
BMR685 to pierwszy na rynku konwerter DC-DC 1300 W rozmiaru half-brick (61,0 x 57,9 x 12,7 mm), zaprojektowany specjalnie do układów zasilania wzmacniaczy w.cz. w infrastrukturze komunikacyjnej korzystającej z tranzystorów LDMOS i GaN. Zapewnia o sprawność energetyczną do 97,2% przy połowie obciążenia. Akceptuje napięcie wejściowe z zakresu od 36 do 75 V. Jego zakres napięcia wyjściowego wynosi od 25 do 55 V, a wydajność prądowa 26 A.

Zobaczyć obiekt oczami radaru, czyli dlaczego potrzebujemy laboratorium do pomiarów RCS?

Radar postrzega świat inaczej niż człowiek. Zamiast obrazu tworzonego przez światło widzialne rejestruje echo wysłanej fali elektromagnetycznej. Na odpowiedź radarową obiektu wpływają nie tylko jego rozmiary, lecz także kształt, zastosowane materiały, częstotliwość oraz kierunek obserwacji. Dlatego dwa przedmioty o podobnych wymiarach mogą być dla radaru widoczne zupełnie inaczej. Jak zatem sprawdzić, co radar rzeczywiście "widzi"? Służą temu pomiary RCS, prowadzone między innymi w specjalistycznych laboratoriach, które zapewniają kontrolowane i powtarzalne warunki oraz umożliwiają uzyskanie dokładności wymaganej w danym zastosowaniu.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów