Z ogólnej analizy wynika, że na dzień dzisiejszy najbardziej zaawansowaną technologią procesu wytwarzania NAND dysponuje sojusz firm SanDisk i Toshiba, który zapowiedział uruchomienie produkcji układów pamięci NAND flash w procesie 24-nm w drugiej połowie 2010 r. Obie firmy posiadają wspólne zakłady produkcyjne układów NAND w Japonii.
Układy pamięci NAND flash wyprodukowane w technologii 20nm
Analitycy z Web-Feet Research oceniają, że ogólne wyrażenie „klasa 20-nm” może być nieco mylące, jeśli zawiera sugestię, że to właśnie koreański producent jest liderem procesu technologicznego produkcji układów NAND. „Klasa 20-nm” w przypadku Samsunga może faktycznie oznaczać technologię procesu 27-nm, w której układy wykonane przez koreańskiego producenta są obecnie testowane przez klientów.
Oznaczałoby to, że Samsung jest nie tyle liderem zaawansowania technologicznego i miniaturyzacji, ile zajmuje miejsce w kolejce za Hyniksem (26-nm), spółką joint venture pomiędzy Intelem a Micronem – IM Flash Technologies oraz SanDisk/Toshibą.
IM Flash Technologies z kolei jeszcze w styczniu prowadził jako lider zaawansowania w technologii produkcji NAND flash dzięki uruchomieniu produkcji urządzeń w procesie 25-nm. Zdaniem Web-Feet Research, najbardziej liczy się przede wszystkim data rozpoczęcia produkcji seryjnej układów, którą Samsung zaplanował na drugą połowę roku.
Tymczasem seryjną produkcję pamięci NAND już zaczął Micron w ramach wspólnego przedsięwzięcia z Intelem. W odpowiedzi na komunikat Samsunga Micron oświadczył, że „już rozpoczął seryjną produkcję [układów NAND 25-nm – przyp. red.] i, jak sądzi, jest pierwszym na świecie dostawcą, który ruszył z jakąkolwiek technologią procesu ‘klasy 20-nm’”.
