Celem projektu jest zapewnienie w Europie silnej pozycji rynkowej dla krzemowo-germanowym bipolarnych tranzystorów heterozłączowych (SiGe HBT) do zastosowań na falach milimetrowych. Jest to próba wprowadzenia zastosowań mikrofalowych do krzemu, w przeciwstawieniu do używanych w tym zakresie innych półprzewodników, które są droższe, i nie pozwalają na scalanie na dużą skalę. W pierwszym roku głównym zadaniem projektu będzie osiągnięcie częstotliwości 300GHz z odpowiadającą jej zwłoką 3,5ps. Planuje się osiągnięcie w drugim roku 400GHz i 3ps, a w trzecim 500GHz i 2,5ps. Ostatecznie partnerzy zamierzają wkroczyć w zakres terahercowy, rozciągający się od 300GHz do 10THz. Otworzy to tę dziedzinę na wiele aplikacji, jak systemy przetwarzania informacji graficznych, zabezpieczania, czy medycznych i naukowych, eksploatowanych teraz przez inne technologie.
Początkowo projekt ma dostarczyć potwierdzenia koncepcji i wykazać możliwości technologii opartej na krzemie. Przygotowywany jest następny krok technologiczny, który pomoże przekroczyć rok 2012. Można będzie wtedy przejść do kolejnych projektów, bliższych fazy uprzemysłowienia.
Projekt Dotfive, prowadzony przez STMicroelectronics, połączył partnerów akademickich, którymi są Uniwersytet Keplera w Linzu (Austria), Państwowa Szkoła Elektroniki, IT i Radiołączności w Bordeaux, Uniwersytet Paryż-Południe (Francja), Techniczny Uniwersytet w Dreźnie, Uniwersytet Bundeswery w Monachium, Uniwersytet w Siegen i IHP (Niemcy), Uniwersytet w Neapolu (Włochy), Uniwersytet Badawczy w Leuven (Belgia) oraz partnerów przemysłowych, XMOD Technologies (Talence, Francja), GWT-TUD GmbH (Drezno, Niemcy) i Infineon Technologies (Monachium, Niemcy).
Krzysztof Pochwalski
