Umowa obejmuje również zaopatrywanie przez nowego właściciela, w ciągu co najmniej trzech lat, jedynego pozostającego w Filtronic bezpośredniego biznesu, skoncentrowanego na modułach transceiverów i filtrach do radiowej łączności telefonii komórkowej ze stacjami bazowymi.
Zamiast zamknięcia, które im groziło w zeszłym roku, zakłady w Newton Aycliffe czeka teraz rozwój.
RFMD wstrzymuje planowaną budowę drugiej fabryki 6-calowych płytek GaAs w Greensboro, przewidzianej dla wyjściowych układów pHEMT (pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) i HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) do urządzeń komórkowych i bezprzewodowych LAN.
Według zeszłorocznych zapewnień RFMD rozbudowa ta miała zapewnić w Greensboro 300 miejsc pracy. Zdecydowano drastycznie opóźnić i czasowo wstrzymać budowę tej fabryki, nie zamykać za to zakładów z Newton i obserwować rozwój rynku.
Możliwość opracowywania i produkcji w Europie podzespołów komercyjnych i w.cz. w technologii pHEMT, a także ich zastosowań militarnych, w miarę uzyskiwania odpowiednich licencji w Wielkiej Brytanii i w innych krajach europejskich, jest dla RFMD bardzo korzystna. W Europie nie wytwarza się wiele układów GaAs.
Obecnie na pozycję największego europejskiego dostawcy podzespołów GaAs wysuwa się United Monolithic Semiconductors, francusko-niemiecka joint venture, Thales of France i EADS Deutchland. Są to korporacje lotniczo-astronautyczne, satelitarne i militarne, projektujące i wytwarzające podzespoły w.cz..
Skupiły one produkcję w zakładach w Ulm w Niemczech, a prace rozwojowe są prowadzone w Ulm i w Orsay we Francji. Ta niszowa działalność w zakresie militarnym i satelitarnym, mająca również silne powiązania z przemysłem motoryzacyjnym przez Daimlera, przynosi, jak się szacuje, 40 do 50 milionów dolarów dochodu rocznie.
Trzecim w kolejności europejskim wytwórcą płytek GaAs jest francuska grupa Ommic, specjalizująca się w układach pHEMT do łączności bezprzewodowej i do sieci światłowodowych.
Transakcja Filtronic – RFMD wydaje się być korzystna dla obu partnerów. Dla Amerykanów jest to dobry interes, umożliwiający obniżenie kosztów i równoczesne zwiększenie o około 30% mocy produkcyjnej GaAs.
Rys.1. Rynek układów z arsenku galu w latach 1999-2011. Źródło: Strategy Analytics
Przyszłość układów GaAs w ciągu kilku najbliższych lat, od 2006 do 2011, wydaje się teraz zapewniona ze średnim rocznym wzrostem 12%, a rynek ten ma osiągnąć ponad 5 miliardów dolarów (rys. 1).
W wytwarzaniu układów wyjściowych do aparatów komórkowych można się spodziewać stosowania różnych procesów, jednak z dominacją GaAs. Będzie on stosowany do rozmaitych modułów, w tym do filtrów PA i do modułów przełączania PA.
W zastosowaniach GaAs w układach dla fal milimetrowych, do łączności militarnej i satelitarnej, a także w telefonii komórkowej tkwi wielki potencjał i w zastosowaniach w.cz. dużej mocy technika ta pozostanie najtańszym rozwiązaniem.
Głównymi graczami będą RFMD, Skyworks, TriQuint, Anadigics i Avago. Niektórzy z nich, zwłaszcza TriQuint, oprócz układów GaAs oferują usługi foundry, chociaż pojawiają się firmy działające wyłącznie jako foundry, z tajwańską grupą WIN Semiconductors na czele.
Krzysztof Pochwalski
