Nowa szansa dla podzespołów z GaAs w Europie
| Gospodarka ArtykułyOd momentu, gdy firma RF Micro Devices (RFMD), największy na świecie producent scalonych układów w.cz., przejęła od firmy Filtronic zakład produkcji półprzewodników złożonych za 25 milionów dolarów, przed europejskimi układami z arsenku galu są coraz lepsze perspektywy. Chodzi o fabrykę 6-calowych płytek podłożowych GaAs w Newton Aycliffe w Anglii, z pewnością największą w Europie wytwórnię półprzewodników niekrzemowych. Transakcja obejmuje także oddziały zajmujące się produkcją podzespołów w.cz. na pasma milimetrowe i mikrofalowe, które zostaną włączone do RFMD.
Umowa obejmuje również zaopatrywanie przez nowego właściciela, w ciągu co najmniej trzech lat, jedynego pozostającego w Filtronic bezpośredniego biznesu, skoncentrowanego na modułach transceiverów i filtrach do radiowej łączności telefonii komórkowej ze stacjami bazowymi.
Zamiast zamknięcia, które im groziło w zeszłym roku, zakłady w Newton Aycliffe czeka teraz rozwój.
RFMD wstrzymuje planowaną budowę drugiej fabryki 6-calowych płytek GaAs w Greensboro, przewidzianej dla wyjściowych układów pHEMT (pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) i HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) do urządzeń komórkowych i bezprzewodowych LAN.
Według zeszłorocznych zapewnień RFMD rozbudowa ta miała zapewnić w Greensboro 300 miejsc pracy. Zdecydowano drastycznie opóźnić i czasowo wstrzymać budowę tej fabryki, nie zamykać za to zakładów z Newton i obserwować rozwój rynku.
Możliwość opracowywania i produkcji w Europie podzespołów komercyjnych i w.cz. w technologii pHEMT, a także ich zastosowań militarnych, w miarę uzyskiwania odpowiednich licencji w Wielkiej Brytanii i w innych krajach europejskich, jest dla RFMD bardzo korzystna. W Europie nie wytwarza się wiele układów GaAs.
Obecnie na pozycję największego europejskiego dostawcy podzespołów GaAs wysuwa się United Monolithic Semiconductors, francusko-niemiecka joint venture, Thales of France i EADS Deutchland. Są to korporacje lotniczo-astronautyczne, satelitarne i militarne, projektujące i wytwarzające podzespoły w.cz..
Skupiły one produkcję w zakładach w Ulm w Niemczech, a prace rozwojowe są prowadzone w Ulm i w Orsay we Francji. Ta niszowa działalność w zakresie militarnym i satelitarnym, mająca również silne powiązania z przemysłem motoryzacyjnym przez Daimlera, przynosi, jak się szacuje, 40 do 50 milionów dolarów dochodu rocznie.
Trzecim w kolejności europejskim wytwórcą płytek GaAs jest francuska grupa Ommic, specjalizująca się w układach pHEMT do łączności bezprzewodowej i do sieci światłowodowych.
Transakcja Filtronic – RFMD wydaje się być korzystna dla obu partnerów. Dla Amerykanów jest to dobry interes, umożliwiający obniżenie kosztów i równoczesne zwiększenie o około 30% mocy produkcyjnej GaAs.
Rys.1. Rynek układów z arsenku galu w latach 1999-2011. Źródło: Strategy Analytics
Przyszłość układów GaAs w ciągu kilku najbliższych lat, od 2006 do 2011, wydaje się teraz zapewniona ze średnim rocznym wzrostem 12%, a rynek ten ma osiągnąć ponad 5 miliardów dolarów (rys. 1).
W wytwarzaniu układów wyjściowych do aparatów komórkowych można się spodziewać stosowania różnych procesów, jednak z dominacją GaAs. Będzie on stosowany do rozmaitych modułów, w tym do filtrów PA i do modułów przełączania PA.
W zastosowaniach GaAs w układach dla fal milimetrowych, do łączności militarnej i satelitarnej, a także w telefonii komórkowej tkwi wielki potencjał i w zastosowaniach w.cz. dużej mocy technika ta pozostanie najtańszym rozwiązaniem.
Głównymi graczami będą RFMD, Skyworks, TriQuint, Anadigics i Avago. Niektórzy z nich, zwłaszcza TriQuint, oprócz układów GaAs oferują usługi foundry, chociaż pojawiają się firmy działające wyłącznie jako foundry, z tajwańską grupą WIN Semiconductors na czele.
Krzysztof Pochwalski
