wersja mobilna
Online: 1344 Wtorek, 2017.11.21

Biznes

NEC dołącza do Common Platform Alliance

czwartek, 18 września 2008 09:51

Firma NEC ogłosiła, iż dołączy do Common Platform Alliance, programu partnerskiego IBM mającego na celu opracowanie technologii umożliwiających optymalizację poboru mocy oraz zwiększenie wydajności przyszłych generacji półprzewodników. Jest to ósmy z grona największych producentów, który zdecydował się na dołączenie do grupy. Dotychczas, w jej skład wchodziły m.in. takie firmy jak Chartered Semiconductor Manufacturing, Freescale, Infineon, Samsung, STMicroelectronics oraz Toshiba.

W ramach porozumienia, firma przyłączy się m.in. do badań nad rozwojem technologii CMOS w wymiarze 32 nm. Przedstawiciele NEC tłumaczą, iż powodem decyzji o przystąpieniu do aliansu są w głównej mierze koszta badań i rozwoju, rosnące wraz ze zmniejszaniem wymiaru charakterystycznego procesu technologicznego. Obecnie, NEC jest w trakcie wspólnych badań z Toshibą nad procesami CMOS w wymiarze 45 oraz 32 nm, jednak plany firmy obejmują rozszerzenie tych działań o technologie w wymiarze 32 nm i mniej w ramach Common Platform Alliance.

IBM oraz firmy biorące udział w tym przedsięwzięciu uzyskały znaczny wzrost wydajności oraz zmniejszenie poboru mocy wykorzystując proces technologiczny w wymiarze 32 nm oparty na tranzystorach high-k z metalową bramką. Pozwoliło to na uzyskanie poprawy sprawności układu w porównaniu z procesem 45 nm nawet o 35% przy tym samym napięciu zasilającym. Szacuje się, iż uzyskane tą drogą zmniejszenie zużycia energii będzie zawierać się w przedziale od 30% do 50%.

 

World News 24h

wtorek, 21 listopada 2017 16:09

Chinese foundry SMIC has added direct bond interconnect capability from Invensas at its Avezzano, Italy, wafer fab. Invensas is a wholly owned subsidiary of Xperi Corp. The addition of DBI enables SMIC to manufacture hybrid stacked backside illuminated image sensors, as well as other semiconductor devices for applications in smartphones and automobiles. SMIC and Invensas previously signed a development license in March 2017. DBI technology is a low temperature hybrid wafer bonding solution that allows wafers to be bonded with scalable fine pitch 3D electrical interconnect without requiring bond pressure. DBI 3D interconnect can eliminate the need for through-silicon vias and reduce die size and cost while enabling pixel level interconnect for future generations of image sensors.

więcej na: www.eenewseurope.com

Produkty