wersja mobilna
Online: 1494 Wtorek, 2017.11.21

Biznes

Branża EDA odrobi straty

poniedziałek, 23 lutego 2009 01:00

Jak wynika z raportu firmy Gary Smith EDA, po słabym 2008 r., kiedy to rynek EDA stracił ponad 16%, w bieżącym można spodziewać się ustabilizowania sytuacji w tym sektorze. Mimo że branża nie wróci do poziomu sprzed spadku, analitycy przewidują minimalny wzrost, na poziomie 1%.

Wartość rynku sięgnie więc 4, 1 mld dolarów. Dalszej poprawy należy spodziewać się w 2010 r., kiedy to w całej branży półprzewodników będzie odczuwalna lepsza koniunktura. Na przestrzeni od 2010 do 2011 r. sektor EDA będzie odznaczał się stabilnym, ponad 10% wzrostem. Zdaniem analityków, wraz z poprawą ogólnej sytuacji na rynku, wydatki na narzędzia EDA staną się znów priorytetem wobec wzrostu skomplikowania architektury nowych układów.

Wśród czterech największych dostawców narzędzi i usług EDA, oczekiwania na 2009 r. są zróżnicowane. Firma Synopsys prognozuje wzrost obrotów do zakresu od 1.38 do 1.41 mld dolarów. Oznacza to poprawę o ok. 4% względem ubiegłego roku. Cadence, która w ubiegłym roku spadła z pozycji lidera rynku, przewiduje spadek o 10% lub więcej do wartości poniżej 1 mld dolarów. Zdaniem analityków, wzrost czeka firmę Mentor, która może wypracować obroty o 5-6% większe niż w 2007 r. Magma w roku rozliczeniowym 2009, kończącym się 3 maja, spodziewa się odnotować straty na poziomie ok. 32%.

 

World News 24h

wtorek, 21 listopada 2017 16:09

Chinese foundry SMIC has added direct bond interconnect capability from Invensas at its Avezzano, Italy, wafer fab. Invensas is a wholly owned subsidiary of Xperi Corp. The addition of DBI enables SMIC to manufacture hybrid stacked backside illuminated image sensors, as well as other semiconductor devices for applications in smartphones and automobiles. SMIC and Invensas previously signed a development license in March 2017. DBI technology is a low temperature hybrid wafer bonding solution that allows wafers to be bonded with scalable fine pitch 3D electrical interconnect without requiring bond pressure. DBI 3D interconnect can eliminate the need for through-silicon vias and reduce die size and cost while enabling pixel level interconnect for future generations of image sensors.

więcej na: www.eenewseurope.com

Produkty