wersja mobilna
Online: 467 Poniedziałek, 2018.06.25

Biznes

Elpida połączy się z tajwańskimi producentami DRAM

poniedziałek, 23 marca 2009 12:35

Elpida zgodziła się połączyć działalność z trzema tajwańskimi producentami półprzewodników w celu umocnienia pozycji firmy w obliczu malejących cen oraz słabej koniunktury. Znajdująca się na trzecim miejscu w światowym rankingu producentów DRAM, Elpida zawiąże współpracę z Powerchip Semiconductor, ProMOS Technologies oraz Rexchip Electronics, jak donosi japońska prasa.

Jeśli do tego dojdzie, powstałe przedsiębiorstwo awansuje na drugie miejsce rankingu ustępując miejsca jedynie Samsungowi. Będzie to także pierwszy przypadek połączenia japońskiego producenta półprzewodników z zagranicznymi firmami. Dodatkowym zyskiem dla Elpidy będzie możliwość skorzystania z pomocy, jaką tajwański rząd obiecał producentom półprzewodników z tego kraju.

Elpida oraz Powerchip dotychczas współpracowały w ramach spółki Rexchip. Mimo że nieznane są szczegółowe dane odnośnie porozumienia, najbardziej prawdopodobny scenariusz zakłada powołanie holdingu sprawującego kontrolę nad Elpidą oraz Rexchip, w skład którego wejdą także Powerchip i ProMOS. Wszelkie zmiany mają zostać wprowadzone przed 31 marca 2010 r.

 

World News 24h

niedziela, 24 czerwca 2018 19:52

TT Electronics has introduced SMD power inductors for use in high power density applications where size is critical. The low-profile devices are suitable for use in DC-DC converters using high switching frequencies up to 3MHz as well as EMI and low pass DC filters. Applications in the transportation field include powertrain, engine control, transmission control, LED driver, ABS braking systems, EPS, radar systems, and camera control systems. In the industrial sector they are suirable for use in automation systems as well as DC-DC converters. The HA66 series is a low profile, low loss, ferrite-based inductor designed with a wide range of inductances and package sizes. The series comprises a range of 38 inductors with inductance ratings from 2.5 to 220µH, DC resistances from 0.018 to 0.820Ω and Irms values from 1.22 to 11.2A.

więcej na: www.electronicsweekly.com