wersja mobilna
Online: 942 Piątek, 2018.02.23

Biznes

Montaż 3D coraz powszechniejszy w układach pamięci

wtorek, 10 listopada 2009 08:29

Wykorzystanie montażu 3D i technologii Through-Silicon Vias (TSV) doprowadzi do znaczących zmian w sektorze pamięci, przygotowując fundamenty pod dalszy wzrost, jak prognozują analitycy Yole Développement. Wzrost popularności komunikacji bezprzewodowej zwiększył ilość przesyłanych danych, równocześnie stwarzając nowe wymagania, co do stosowanych pojemności pamięci oraz wydajności energetycznej tych układów.

Zdaniem analityków, aby nadążyć za tymi wyzwaniami, producenci pamięci muszą opracować nowe metody połączeń między układami scalonymi oraz ich gęstszego upakowania, w szczególności w technologii trójwymiarowej. 

Rozwiązania 3D odegrają ważną rolę w rozwoju branży pamięci, nawet pomimo spadku tempa adaptacji rozwiązań TSV w aplikacjach masowych spowodowanego trwającym kryzysem gospodarczym. Pierwsze układy wykonane w montażu trójwymiarowym trafią na rynek jeszcze w bieżącym roku. Do 2013 r., sektor telekomunikacyjny i komputerowy generować będzie 70% dostaw trójwymiarowych układów pamięci.


Tabela 1. Dostawy układów w technologii TSV 3D w ujęciu produktowym w 2013 r.

Telekomunikacyjny

37%

Konsumencki

13%

Komputerowy

33%

Motoryzacyjny

1%

Przemysłowy/Medyczny

0,3%

Serwery

16%

(źródło: Yole Développement)

 

 

World News 24h

piątek, 23 lutego 2018 19:54

Toshiba has developed TaRF10, a new version of its TarfSOI CMOS process optimized for low-noise amplifiers in smartphone applications. In recent years, the increasing speed of mobile data communication has expanded the use of RF switches and filters in the analog front end of mobile devices. The resulting increase in signal loss between the antenna and receiver circuits has degraded receiver sensitivity, and focused attention on LNAs with a low Noise Figure as a means to compensate for signal loss and improve the integrity of the received signal. Toshiba has used its new TaRF10 process to develop a prototype LNA with avnoise figure of 0.72dB and a gain of 16.9dB at a frequency of 1.8GHz.

więcej na: www.electronicsweekly.com