Komponenty / Produkty

Sonitron – płaski głośnik piezoelektryczny
Podzespoły pasywne

Sonitron – płaski głośnik piezoelektryczny

Precyzyjny modulator delta-sigma do automatyki przemysłowej
Podzespoły półprzewodnikowe
Precyzyjny modulator delta-sigma do automatyki przemysłowej
Renesas wprowadza do sprzedaży precyzyjny modulator delta-sigma o symbolu RV1S9353A, zaprojektowany do pomiaru prądu i napięcia w automatyce przemysłowej. Realizuje on konwersję napięcia analogowego na strumień bitów, przesyłany przez barierę izolacyjną. Jest modulatorem z izolacją optyczną, charakteryzującym się większą dokładnością od wcześniejszych odpowiedników. Zawiera przetwornik A/C o współczynniku ENOB wynoszącym typowo 13,8 bitu. Może być łączony bezpośrednio z mikroprocesorami rodziny RZ/T, mikrokontrolerami RX72M oraz innymi seriami mikroprocesorów, mikrokontrolerów, układów SoC i układów FPGA z filtrem cyfrowym. Producent poleca go do zastosowań w kontrolerach robotów i serwonapędów przemysłowych.
Półmostkowy stopień mocy CoolSiC MOSFET 1200 V do pojazdów elektrycznych
Podzespoły półprzewodnikowe
Półmostkowy stopień mocy CoolSiC MOSFET 1200 V do pojazdów elektrycznych
Podzespoły mocy produkowane z węglika krzemu zapewniają dużą sprawność i gęstość mocy w pojazdach o zasilaniu elektrycznym. W szczególności w systemach 800-woltowych o dużej pojemności akumulatorów pozwalają uzyskać większą sprawność falowników, zapewniając większy zasięg lub niższy koszt akumulatorów. Firma Infineon zaprezentowała ostatnio nowy półmostkowy moduł mocy EasyPACK oparty na tranzystorach CoolSiC MOSFET.
Oscylator SPXO 1...75 MHz z kwalifikacją samochodową AEC-Q200
Podzespoły pasywne
Oscylator SPXO 1...75 MHz z kwalifikacją samochodową AEC-Q200
Firma Epson powiększa ofertę oscylatorów SPXO (Simple Packaged Crystal Oscillator) do aplikacji motoryzacyjnych o nowy typ oscylatora z wyjściem CMOS, produkowanego na zakres częstotliwości wyjściowych od 1 do 75 MHz. SG2520CAA to oscylator z kwalifikacją AEC-Q200, mogący znaleźć zastosowanie w systemach wspomagania kierowcy (ADAS) oraz kamerach, LiDARach i radarach samochodowych. Zapewnia tolerancję częstotliwości od ±50 x 10-6.
4-bitowy tłumik cyfrowy na pasmo 10 MHz...60 GHz o zakresie regulacji 22 dB
Podzespoły półprzewodnikowe
4-bitowy tłumik cyfrowy na pasmo 10 MHz...60 GHz o zakresie regulacji 22 dB
Oferta tłumików sygnałów w.cz. firmy Analog Devices powiększyła się o 4-bitowy tłumik ADRF5740 zaprojektowany do pracy z sygnałami o częstotliwości z zakresu od 10 MHz do 60 GHz. Jest on zamykany w obudowie LGA o powierzchni 2,5 x 2,5 mm. Umożliwia programowanie współczynnika tłumienia w zakresie 22 dB z krokiem 2 dB. Charakteryzuje się stratami wtrąconymi poniżej 3,3 dB i dokładnością wynoszącą ±(0,2 + 7,0% współczynnika tłumienia) na częstotliwości 55 GHz.
Półmostkowy stopień mocy o dużej gęstości prądu z dwoma 30-woltowymi tranzystorami MOSFET
Podzespoły półprzewodnikowe
Półmostkowy stopień mocy o dużej gęstości prądu z dwoma 30-woltowymi tranzystorami MOSFET
SiZF300DT to półmostkowy stopień mocy z dwoma n-kanałowymi tranzystorami MOSFET, zamykany w małogabarytowej obudowie PowerPAIR o powierzchni 3,3 x 3,3 mm. W porównaniu z wcześniejszymi odpowiednikami produkowanymi w obudowach o powierzchni 6 x 5 mm charakteryzuje się on mniejszą o 65% powierzchnią montażową. Struktura wewnętrzna układu obejmuje dwa 30-woltowe n-kanałowe tranzystory MOSFET połączone w konfiguracji półmostkowej: tranzystor high-side rodziny TrenchFET oraz tranzystor low-side rodziny SkyFET z wbudowaną diodą Schottky’ego. SiZF300DT został zaprojektowany z myślą o zastosowaniach w układach konwersji mocy w systemach telekomunikacyjnych i komputerowych, gdzie pozwala zmniejszyć liczbę podzespołów i uprościć projekt płytki drukowanej. Jest jednym z najmniejszych tego typu elementów dostępnych obecnie na rynku. Zastosowane w nim tranzystory MOSFET charakteryzują się bardzo małą rezystancją RDS(on), wynoszącą 4,5 mΩ @ 10 V i 7,0 mΩ @ 4,5 V dla tranzystora high-side oraz 1,84 mΩ @ 10 V i 2,57 mΩ @ 4,5 V dla tranzystora low-side. Ich typowy ładunek bramki wynosi odpowiednio 6,9 i 19,4 nC. Maksymalny ciągły prąd drenu to odpowiednio 75 A i 141 A przy idealnym chłodzeniu oraz 60 A i 113 A w temperaturze TC=+70°C.
Metalizowane kondensatory foliowe polipropylenowe do aplikacji przemysłowych i motoryzacyjnych
Podzespoły pasywne
Metalizowane kondensatory foliowe polipropylenowe do aplikacji przemysłowych i motoryzacyjnych
Firma Kemet informuje o wprowadzeniu do oferty trzech nowych serii metalizowanych kondensatorów foliowych polipropylenowych: C44U-M, C44P-R i R75H. Kondensatory C44U-M i C44P-R, zamykane w obudowach cylindrycznych, zostały zaprojektowane do zastosowań w systemach konwersji mocy i gromadzenia energii z sektora przemysłowego i energii odnawialnej. Z kolei kondensatory serii R75H, produkowane w obudowach prostopadłościennych, poza wymienionymi aplikacjami nadają się też do zastosowań w motoryzacji. Uzyskały w tym zakresie kwalifikację AEC-Q200.
Koraliki ferrytowe o małej rezystancji i dużym dopuszczalnym prądzie przewodzenia
Podzespoły pasywne
Koraliki ferrytowe o małej rezystancji i dużym dopuszczalnym prądzie przewodzenia
Koraliki ferrytowe nowej serii WE-MPSA firmy Wurth Elektronik wyróżniają się dużym prądem znamionowym, sięgającym 10 A i bardzo małą rezystancją przewodzenia od 4 mW. Są to elementy z kwalifikacją AEC-Q200, zaprojektowane do tłumienia zaburzeń elektromagnetycznych w podsystemach samochodowych, począwszy od układów napędowych po informacyjno-rozrywkowe.
Cewki wysokoprądowe z kwalifikacją AEC-Q200
Podzespoły pasywne
Cewki wysokoprądowe z kwalifikacją AEC-Q200
Wysokoprądowe cewki indukcyjne nowej serii WE-HCIT zostały zaprojektowane do zastosowań w motoryzacji. Charakteryzują się dużą odpornością na wibracje, szerokim zakresem dopuszczalnej temperatury pracy od -40 do +150°C (AEC-Q200 Grade 1) i łagodną charakterystyką nasycenia. Są produkowane w obudowach rozmiaru 1010 i 1008 do montażu przewlekanego.
Uniwersalne 20-woltowe tranzystory n-MOSFET w miniaturowych obudowach
Podzespoły półprzewodnikowe
Uniwersalne 20-woltowe tranzystory n-MOSFET w miniaturowych obudowach
Oferta n-kanałowych tranzystorów MOSFET firmy Torex powiększyła się o 3 nowe wersje 20-woltowe, stanowiące rozszerzenie serii XP22x. Są to tranzystory uniwersalne, zamykane w miniaturowych obudowach typu SOT-323-3A (2,1 x 1,25 x 0,95 mm) i SOT-23/TO-236 (2,9 x 2,4 x 1,15 mm).

Komponenty indukcyjne

Podzespoły indukcyjne determinują osiągi urządzeń z zakresu konwersji mocy, a więc dążenie do minimalizacji strat energii, ułatwiają miniaturyzację urządzeń, a także zapewniają zgodność z wymaganiami norm w zakresie EMC. Stąd rozwój elektromobilności, systemów energii odnawialnej, elektroniki użytkowej sprzyja znacząco temu segmentowi rynku. Zapotrzebowanie na komponenty o wysokiej jakości i stabilności płynie ponadto z aplikacji IT, telekomunikacji, energoelektroniki i oczywiście sektorów specjalnych: wojska, lotnictwa. Pozytywnym zauważalnym zjawiskiem w branży jest powolny, ale stały wzrost zainteresowania klientów rodzimą produkcją pomimo wyższych cen niż produktów azjatyckich. Natomiast paradoksalnie negatywnym zjawiskiem jest fakt, że jakość produktów azjatyckich jest coraz lepsza i jeśli stereotyp "chińskiej bylejakości" przestanie być popularny, to rodzima produkcja będzie miała problem z utrzymaniem się na rynku bez znaczących inwestycji w automatyzację i nowe technologie wykonania, kontroli jakości i pomiarów.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów