Komponenty / Produkty

Oferta n-kanałowych tranzystorów MOSFET firmy Torex powiększyła się o 3 nowe wersje 20-woltowe, stanowiące rozszerzenie serii XP22x. Są to tranzystory uniwersalne, zamykane w miniaturowych obudowach typu SOT-323-3A (2,1 x 1,25 x 0,95 mm) i SOT-23/TO-236 (2,9 x 2,4 x 1,15 mm).

Littelfuse powiększa ofertę przekaźników półprzewodnikowych rodziny OptoMOS o nowy model PLA172P o rekordowym napięciu znamionowym, wynoszącym 800 V. Jest to przekaźnik jednobiegunowy NO zamykany w 6-wyprowadzeniowej obudowie SSR Flatpage o wymiarach 9,7 x 9,4 x 2,7 mm z dużą separacją (6,8 mm) pomiędzy wyprowadzeniami nisko- i wysokonapięciowymi, zapobiegającą powstawaniu wyładowań łukowych.

Do rodziny niskoszumowych komparatorów i wzmacniaczy operacyjnych EMARMOUR firmy Rohm Semiconductor wchodzi nowy wzmacniacz CMOS oznaczony symbolem BD77501G, mogący znaleźć zastosowanie przy wykrywaniu anomalii sygnałów generowanych przez czujniki niskonapięciowe. W odróżnieniu od konwencjonalnych, szybkich wzmacniaczy operacyjnych, podatnych na oscylacje wynikające z obciążenia pojemnościowego (pochodzące m.in. od okablowania), charakteryzuje się on stabilnym sygnałem wyjściowym w szerokim zakresie pojemności do nanofaradów.

Firma Murata wyprodukowała najmniejszy na rynku kondensator ceramiczny MLCC o pojemności 1 μF, zamykany w obudowie SMD 01005 (0402M) o wymiarach zaledwie 0,4 x 0,2 x 0,2 mm. Obecnie do masowej produkcji weszła wersja 4-woltowa (ozn. GRM022R60G105ME01), natomiast w 2021 roku ma się pojawić wersja o napięciu znamionowym 6,3 V, oznaczona symbolem GRM022R60J105M.

Firma TDK powiększa ofertę polimerowych kondensatorów aluminiowych hybrydowych o dwie nowe serie: B40600x i B40700x obejmujące kondensatory z wyprowadzeniami odpowiednio osiowymi i solder star, zamykane w obudowach o wymiarach od Ø14 x 25 mm do Ø16 x 30 mm. Są to kondensatory o napięciach znamionowych 25 i 35 V, produkowane na zakres pojemności od 780 do 2200 µF. W ofercie TDK dostępne są też podobne wersje o napięciu znamionowym 63 V, produkowane na zakres pojemności od 390 do 720 µF (seria B40640x/B40740x).

Toshiba Electronics Europe wprowadza do oferty nowe superzłączowe tranzystory n-MOSFET, stanowiące rozszerzenie serii DTMOSVI. Podobnie, jak wcześniejsze wersje, wyróżniają się one bardzo małą rezystancją kanału i możliwością pracy z dużą częstotliwością taktowania. W porównaniu z tranzystorami DTMOS wcześniejszej generacji, zapewniają mniejszy o 40% iloczyn RDS(on) * QGD, co według obliczeń producenta przekłada się na większą o 0,36% sprawność realizowanych na ich bazie zasilaczy impulsowych.

Oddział produktów audio firmy CUI wprowadza do produkcji nową rodzinę buzzerów magnetycznych i piezoelektrycznych o przedziale tolerancji częstotliwości ograniczonym do ±100 Hz, generujących bardziej stabilne dźwięki w urządzeniach docelowych, również przy wahaniach temperatury i napięcia zasilania.

Niezawodne mocowanie hermetycznych obudów tranzystorów dużej mocy do płytek PCB jest dużym wyzwaniem dla projektantów systemów przeznaczonych do pracy w przestrzeni kosmicznej. Często w tego typu aplikacjach mogą pojawiać się naprężenia związane ze znaczną różnicą współczynników rozszerzalności termicznej zastosowanych materiałów.

Do oferty firmy Alpha and Omega Semiconductor wchodzi nowa rodzina 1200-woltowych tranzystorów SiC MOSFET, zaprojektowanych na rynek motoryzacyjny i przemysłowy. W porównaniu z dostępnymi obecnie tranzystorami krzemowymi, tranzystory αSiC zapewniają większą sprawność i gęstość mocy w układach zasilania i napędowych. Zoptymalizowane pod kątem ograniczenia strat stało- i zmiennoprądowych, wyróżniają się małą rezystancją bramki i małą rezystancją RDS(on) w szerokim zakresie temperatury i częstotliwości pracy, co pozwala ograniczyć liczbę podzespołów i koszty realizacji zasilaczy UPS, układów ładowania i falowników do instalacji fotowoltaicznych.