Komponenty / Produkty

Koraliki ferrytowe o małej rezystancji i dużym dopuszczalnym prądzie przewodzenia
Podzespoły pasywne

Koraliki ferrytowe o małej rezystancji i dużym dopuszczalnym prądzie przewodzenia

Cewki wysokoprądowe z kwalifikacją AEC-Q200
Podzespoły pasywne
Cewki wysokoprądowe z kwalifikacją AEC-Q200
Wysokoprądowe cewki indukcyjne nowej serii WE-HCIT zostały zaprojektowane do zastosowań w motoryzacji. Charakteryzują się dużą odpornością na wibracje, szerokim zakresem dopuszczalnej temperatury pracy od -40 do +150°C (AEC-Q200 Grade 1) i łagodną charakterystyką nasycenia. Są produkowane w obudowach rozmiaru 1010 i 1008 do montażu przewlekanego.
Uniwersalne 20-woltowe tranzystory n-MOSFET w miniaturowych obudowach
Podzespoły półprzewodnikowe
Uniwersalne 20-woltowe tranzystory n-MOSFET w miniaturowych obudowach
Oferta n-kanałowych tranzystorów MOSFET firmy Torex powiększyła się o 3 nowe wersje 20-woltowe, stanowiące rozszerzenie serii XP22x. Są to tranzystory uniwersalne, zamykane w miniaturowych obudowach typu SOT-323-3A (2,1 x 1,25 x 0,95 mm) i SOT-23/TO-236 (2,9 x 2,4 x 1,15 mm).
800-woltowy przekaźnik półprzewodnikowy o dopuszczalnej temperaturze pracy do +105°C
Podzespoły półprzewodnikowe
800-woltowy przekaźnik półprzewodnikowy o dopuszczalnej temperaturze pracy do +105°C
Littelfuse powiększa ofertę przekaźników półprzewodnikowych rodziny OptoMOS o nowy model PLA172P o rekordowym napięciu znamionowym, wynoszącym 800 V. Jest to przekaźnik jednobiegunowy NO zamykany w 6-wyprowadzeniowej obudowie SSR Flatpage o wymiarach 9,7 x 9,4 x 2,7 mm z dużą separacją (6,8 mm) pomiędzy wyprowadzeniami nisko- i wysokonapięciowymi, zapobiegającą powstawaniu wyładowań łukowych.
Wzmacniacz operacyjny CMOS o bardzo małych oscylacjach wyjściowych
Podzespoły półprzewodnikowe
Wzmacniacz operacyjny CMOS o bardzo małych oscylacjach wyjściowych
Do rodziny niskoszumowych komparatorów i wzmacniaczy operacyjnych EMARMOUR firmy Rohm Semiconductor wchodzi nowy wzmacniacz CMOS oznaczony symbolem BD77501G, mogący znaleźć zastosowanie przy wykrywaniu anomalii sygnałów generowanych przez czujniki niskonapięciowe. W odróżnieniu od konwencjonalnych, szybkich wzmacniaczy operacyjnych, podatnych na oscylacje wynikające z obciążenia pojemnościowego (pochodzące m.in. od okablowania), charakteryzuje się on stabilnym sygnałem wyjściowym w szerokim zakresie pojemności do nanofaradów.
Pierwszy kondensator ceramiczny o pojemności 1 μF w obudowie rozmiaru 0402
Podzespoły pasywne
Pierwszy kondensator ceramiczny o pojemności 1 μF w obudowie rozmiaru 0402
Firma Murata wyprodukowała najmniejszy na rynku kondensator ceramiczny MLCC o pojemności 1 μF, zamykany w obudowie SMD 01005 (0402M) o wymiarach zaledwie 0,4 x 0,2 x 0,2 mm. Obecnie do masowej produkcji weszła wersja 4-woltowa (ozn. GRM022R60G105ME01), natomiast w 2021 roku ma się pojawić wersja o napięciu znamionowym 6,3 V, oznaczona symbolem GRM022R60J105M.
Polimerowe kondensatory aluminiowe hybrydowe o bardzo małej rezystancji ESR
Podzespoły pasywne
Polimerowe kondensatory aluminiowe hybrydowe o bardzo małej rezystancji ESR
Firma TDK powiększa ofertę polimerowych kondensatorów aluminiowych hybrydowych o dwie nowe serie: B40600x i B40700x obejmujące kondensatory z wyprowadzeniami odpowiednio osiowymi i solder star, zamykane w obudowach o wymiarach od Ø14 x 25 mm do Ø16 x 30 mm. Są to kondensatory o napięciach znamionowych 25 i 35 V, produkowane na zakres pojemności od 780 do 2200 µF. W ofercie TDK dostępne są też podobne wersje o napięciu znamionowym 63 V, produkowane na zakres pojemności od 390 do 720 µF (seria B40640x/B40740x).
Nowe superzłączowe tranzystory n-MOSFET o napięciu przebicia 650 V
Podzespoły półprzewodnikowe
Nowe superzłączowe tranzystory n-MOSFET o napięciu przebicia 650 V
Toshiba Electronics Europe wprowadza do oferty nowe superzłączowe tranzystory n-MOSFET, stanowiące rozszerzenie serii DTMOSVI. Podobnie, jak wcześniejsze wersje, wyróżniają się one bardzo małą rezystancją kanału i możliwością pracy z dużą częstotliwością taktowania. W porównaniu z tranzystorami DTMOS wcześniejszej generacji, zapewniają mniejszy o 40% iloczyn RDS(on) * QGD, co według obliczeń producenta przekłada się na większą o 0,36% sprawność realizowanych na ich bazie zasilaczy impulsowych.
Buzzery o wąskim przedziale tolerancji częstotliwości
Podzespoły pasywne
Buzzery o wąskim przedziale tolerancji częstotliwości
Oddział produktów audio firmy CUI wprowadza do produkcji nową rodzinę buzzerów magnetycznych i piezoelektrycznych o przedziale tolerancji częstotliwości ograniczonym do ±100 Hz, generujących bardziej stabilne dźwięki w urządzeniach docelowych, również przy wahaniach temperatury i napięcia zasilania.
Nowy typ obudowy SMD do tranzystorów MOSFET odpornych na promieniowanie jonizujące
Podzespoły półprzewodnikowe
Nowy typ obudowy SMD do tranzystorów MOSFET odpornych na promieniowanie jonizujące
Niezawodne mocowanie hermetycznych obudów tranzystorów dużej mocy do płytek PCB jest dużym wyzwaniem dla projektantów systemów przeznaczonych do pracy w przestrzeni kosmicznej. Często w tego typu aplikacjach mogą pojawiać się naprężenia związane ze znaczną różnicą współczynników rozszerzalności termicznej zastosowanych materiałów.

Jak kompensować moc bierną w małej firmie, by płacić mniej za energię bierną?

Z reguły małej firmy nie stać na zakup automatycznego kompensatora mocy biernej. Niemniej, sytuacja nie jest bez wyjścia i w tym artykule na prostym przykładzie pokazane zostało podejście do rozwiązania problemu mocy biernej.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów