Komponenty / Produkty

Koraliki ferrytowe w obudowach 1608 do tłumienia zaburzeń w instalacjach samochodowych
Podzespoły pasywne

Koraliki ferrytowe w obudowach 1608 do tłumienia zaburzeń w instalacjach samochodowych

Funkcja odczytu sekwencyjnego w szybkich pamięciach Flash QspiNAND firmy Winbond
Podzespoły półprzewodnikowe
Funkcja odczytu sekwencyjnego w szybkich pamięciach Flash QspiNAND firmy Winbond
Producenci działający na rynku samochodowym i IoT chętnie korzystają z pamięci NAND Flash Single-Level Cell (SLC) o pojemności 512 MB i większej, jako tańszej alternatywy dla pamięci NOR Flash, tradycyjnie stosowanych do przechowywania kodu programu. Poprzednie innowacje firmy Winbond, wprowadzone do pamięci NAND Flash, obejmowały interfejs Quad SPI-NAND korzystający z tego samego 6-liniowego interfejsu i zestawu komend QSPI, co w przypadku Quad SPI-NOR oraz funkcję Continuous Read, zapewniającą ciągły transfer danych z szybkością do 52 MBps przy częstotliwości taktowania 104 MHz.
Kondensatory wysokonapięciowe o małych współczynnikach ESR i ESL
Podzespoły pasywne
Kondensatory wysokonapięciowe o małych współczynnikach ESR i ESL
Oferta kondensatorów wysokonapięciowych KC-LINK firmy Kemet powiększyła się o nowe wersje produkowane z wykorzystaniem techniki montażu Konnekt, pozwalającej na zastosowania w aplikacjach o dużej gęstości mocy, wymagających odporności na duże impulsy prądowe. Są to kondensatory przeznaczone do współpracy z szybkimi podzespołami półprzewodnikowymi WBG (wide bandgap) o znacznie większym dopuszczalnym napięciu, temperaturze i częstotliwości pracy od tradycyjnych półprzewodników krzemowych i GaAs.
Czytnik RFID nowej generacji do samochodowych systemów zdalnego dostępu
Podzespoły półprzewodnikowe
Czytnik RFID nowej generacji do samochodowych systemów zdalnego dostępu
STMicroelectronics powiększa rodzinę czytników NFC ST25R o nowy układ oznaczony symbolem ST25R3920, zaprojektowany do zastosowań w samochodowych systemach zdalnego dostępu. Zastosowano w nim unikalne technologie DPO (Dynamic Power Output) i NSR (Noise-Suppression Receiver), zapewniające skrócenie czasu nawiązywania połączenia i wydłużenie zasięgu transmisji.
Ultraminiaturowe tranzystory MOSFET w obudowach o powierzchni 0,62 x 0,62 mm
Podzespoły półprzewodnikowe
Ultraminiaturowe tranzystory MOSFET w obudowach o powierzchni 0,62 x 0,62 mm
Nexperia powiększa ofertę tranzystorów MOSFET o 9 ultraminiaturowych wersji produkowanych w obudowach DFN0606 o powierzchni 0,62 x 0,62 mm, zredukowanej o 36% w stosunku do wcześniejszych odpowiedników w obudowach DFN1006.
Ultraniskoszumowy wzmacniacz operacyjny audio z wejściem FET
Podzespoły półprzewodnikowe
Ultraniskoszumowy wzmacniacz operacyjny audio z wejściem FET
OPA1656 to dwukanałowy wzmacniacz operacyjny zaprojektowany specjalnie do zastosowań w systemach audio oraz w tych aplikacjach przemysłowych, w których kluczowe jest wierne odtworzenie sygnału wejściowego. Dzięki zastosowanej tu architekturze z wejściem FET, uzyskano bardzo małą wejściową gęstość napięcia szumu, wynoszącą 2,9 nV/√Hz.
Ultraprecyzyjne rezystory cienkowarstwowe TNPU e3 o współczynniku TCR od ±2 ppm/K
Podzespoły pasywne
Ultraprecyzyjne rezystory cienkowarstwowe TNPU e3 o współczynniku TCR od ±2 ppm/K
Do rodziny ultraprecyzyjnych rezystorów TNPU e3 firmy Vishay Draloric wchodzą nowe wersje o współczynniku temperaturowym TCR obniżonym do zaledwie ±2 ppm/K. Są to rezystory z kwalifikacją AEC Q200, produkowane w trzech typach obudów SMD: 0603, 0805 i 1206.
Krzemo-germanowe diody prostownicze o małych stratach i dużej stabilności termicznej
Podzespoły półprzewodnikowe
Krzemo-germanowe diody prostownicze o małych stratach i dużej stabilności termicznej
Do oferty firmy Nexperia wchodzą nowe krzemo-germanowe diody prostownicze z kwalifikacją AEC-Q101, łączące zalety diod Schottky’ego i szybkich diod regeneracyjnych, tj. małe straty i dużą stabilność termiczną. Są one produkowane w wersjach o napięciu przebicia 120, 150 i 200 V oraz o prądzie przewodzenia 1, 2 i 3 A. Wyróżniają się bardzo małym prądem upływu, poniżej 1 nA @ 25°C oraz zapewniają stabilność termiczną aż do maksymalnej temperatury pracy złącza, równej +175°C. Producent poleca je do zastosowań w elektronice samochodowej (oświetlenie LED, sterowniki ECU, układy wtrysku paliwa), a także infrastrukturze komunikacyjnej i układach zasilania serwerów.
p-kanałowy tranzystor MOSFET do układów przełączających
Podzespoły półprzewodnikowe
p-kanałowy tranzystor MOSFET do układów przełączających
Torex Semiconductor powiększa ofertę tranzystorów MOSFET o nowy tranzystor p-kanałowy XP231P02015R o napięciu znamionowym -30 V, zaprojektowany do zastosowań w szybkich układach przełączających. Jest to tranzystor produkowany w miniaturowej obudowie SOT-523 (1,6 x 1,6 x 0,9 mm), pracujący z maksymalnym ciągłym prądem drenu równym 200 mA oraz do 400 mA w impulsie.
Filtry skompensowane prądowo do tłumienia zaburzeń w szybkich interfejsach różnicowych
Podzespoły pasywne
Filtry skompensowane prądowo do tłumienia zaburzeń w szybkich interfejsach różnicowych
Murata wprowadza do produkcji nową serię miniaturowych filtrów skompensowanych prądowo do tłumienia zaburzeń w.cz. w szybkich interfejsach różnicowych do transmisji danych i strumieni wideo, m.in. USB 4 (40 Gbps), USB 3.2 Gen1 (5 Gbps) / Gen2 (10 Gbps) i HDMI 2.1 (12 Gbps).

Informator Rynkowy Elektroniki 2025 już dostępny! Pobierz!

Informator Rynkowy Elektroniki to największe źródło informacji dla polskiego rynku elektroniki. To publikacja przeznaczona dla menadżerów i kadry zarządzającej, ale także dla inżynierów konstruktorów oraz pracowników działów zaopatrzeniowych firm. Znajdź dostawców i producentów! Pozyskaj klientów! Pobierz bezpłatnie!
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów