stdClass Object
(
    [id] => 14016
    [categories_id] => 2756
    [categories_type_id] => 1511
    [categories_article_type_id] => 2686
    [catalog_firm_id] => 1601
    [users_last_edit_id] => 3230
    [assets_id] => 
    [ulubionykiosk_id] => 0
    [name] => Półmostkowy stopień mocy o dużej gęstości prądu z dwoma 30-woltowymi tranzystorami MOSFET
    [alias] => polmostkowy-stopien-mocy-o-duzej-gestosci-pradu-z-dwoma-30-woltowymi-tranzystorami-mosfet
    [introtext] => 

SiZF300DT to półmostkowy stopień mocy z dwoma n-kanałowymi tranzystorami MOSFET, zamykany w małogabarytowej obudowie PowerPAIR o powierzchni 3,3 x 3,3 mm. W porównaniu z wcześniejszymi odpowiednikami produkowanymi w obudowach o powierzchni 6 x 5 mm charakteryzuje się on mniejszą o 65% powierzchnią montażową. Struktura wewnętrzna układu obejmuje dwa 30-woltowe n-kanałowe tranzystory MOSFET połączone w konfiguracji półmostkowej: tranzystor high-side rodziny TrenchFET oraz tranzystor low-side rodziny SkyFET z wbudowaną diodą Schottky’ego.

SiZF300DT został zaprojektowany z myślą o zastosowaniach w układach konwersji mocy w systemach telekomunikacyjnych i komputerowych, gdzie pozwala zmniejszyć liczbę podzespołów i uprościć projekt płytki drukowanej. Jest jednym z najmniejszych tego typu elementów dostępnych obecnie na rynku. Zastosowane w nim tranzystory MOSFET charakteryzują się bardzo małą rezystancją RDS(on), wynoszącą 4,5 mΩ @ 10 V i 7,0 mΩ @ 4,5 V dla tranzystora high-side oraz 1,84 mΩ @ 10 V i 2,57 mΩ @ 4,5 V dla tranzystora low-side. Ich typowy ładunek bramki wynosi odpowiednio 6,9 i 19,4 nC. Maksymalny ciągły prąd drenu to odpowiednio 75 A i 141 A przy idealnym chłodzeniu oraz 60 A i 113 A w temperaturze TC=+70°C.

[fulltext] =>

W porównaniu z układami konkurencyjnymi o tej samej powierzchni obudowy, SiZF300DT zapewnia większy o 11% prąd wyjściowy oraz większą sprawność w zakresie prądów przewodzenia powyżej 20 A. Zastosowany tu rozkład wyprowadzeń wraz z dużą powierzchnią masy zapewniają bardzo dobry transfer ciepła i optymalną ścieżkę elektryczną, upraszczającą projekt płytki drukowanej.

[price] => 0.00 [price_old] => [meta_title] => [meta_description] => [meta_data] => [published] => 1 [date_modified] => 2020-09-08 07:41:50 [date_created] => 2020-09-08 07:38:47 [date_publish] => 2020-09-08 05:50:47 [date_publish_down] => 0000-00-00 00:00:00 [hits] => 0 [checked_out] => 0 [checked_out_time] => 0000-00-00 00:00:00 [redakcja] => 1 [ceneo_phrase] => [product_name] => [www] => www.vishay.com [firm_name] => Vishay Intertechnology, Inc. [firmId] => 1601 [firmType] => 1975 [firmCategory] => 2457 [firmAlias] => vishay-intertechnology-inc [firmWww] => www.vishay.com [firmPaid] => 0 [categoryTitle] => Podzespoły półprzewodnikowe [articleTypeId] => 2686 [articleTypeTitle] => Komponenty [linkCategory] => /produkty/podzespoly-elektroniczne/podzespoly-polprzewodnikowe [articleTypeListLink] => /komponenty/produkty )

Półmostkowy stopień mocy o dużej gęstości prądu z dwoma 30-woltowymi tranzystorami MOSFET

Produkt firmy:

Vishay Intertechnology, Inc.

SiZF300DT to półmostkowy stopień mocy z dwoma n-kanałowymi tranzystorami MOSFET, zamykany w małogabarytowej obudowie PowerPAIR o powierzchni 3,3 x 3,3 mm. W porównaniu z wcześniejszymi odpowiednikami produkowanymi w obudowach o powierzchni 6 x 5 mm charakteryzuje się on mniejszą o 65% powierzchnią montażową. Struktura wewnętrzna układu obejmuje dwa 30-woltowe n-kanałowe tranzystory MOSFET połączone w konfiguracji półmostkowej: tranzystor high-side rodziny TrenchFET oraz tranzystor low-side rodziny SkyFET z wbudowaną diodą Schottky’ego.

SiZF300DT został zaprojektowany z myślą o zastosowaniach w układach konwersji mocy w systemach telekomunikacyjnych i komputerowych, gdzie pozwala zmniejszyć liczbę podzespołów i uprościć projekt płytki drukowanej. Jest jednym z najmniejszych tego typu elementów dostępnych obecnie na rynku. Zastosowane w nim tranzystory MOSFET charakteryzują się bardzo małą rezystancją RDS(on), wynoszącą 4,5 mΩ @ 10 V i 7,0 mΩ @ 4,5 V dla tranzystora high-side oraz 1,84 mΩ @ 10 V i 2,57 mΩ @ 4,5 V dla tranzystora low-side. Ich typowy ładunek bramki wynosi odpowiednio 6,9 i 19,4 nC. Maksymalny ciągły prąd drenu to odpowiednio 75 A i 141 A przy idealnym chłodzeniu oraz 60 A i 113 A w temperaturze TC=+70°C.

W porównaniu z układami konkurencyjnymi o tej samej powierzchni obudowy, SiZF300DT zapewnia większy o 11% prąd wyjściowy oraz większą sprawność w zakresie prądów przewodzenia powyżej 20 A. Zastosowany tu rozkład wyprowadzeń wraz z dużą powierzchnią masy zapewniają bardzo dobry transfer ciepła i optymalną ścieżkę elektryczną, upraszczającą projekt płytki drukowanej.

Zapytanie ofertowe
Dotyczy produktu
Półmostkowy stopień mocy o dużej gęstości prądu z dwoma 30-woltowymi tranzystorami MOSFET
Firma: Vishay Intertechnology, Inc.
Kategoria: Podzespoły półprzewodnikowe
Treść zapytania *
Imię i nazwisko *
Nazwa firmy
Adres firmy
Kod pocztowy
Miasto
E-mail *
Telefon
Usługa przesyłania zapytań ofertowych jest bezpłatna i nie rodzi żadnego zobowiązania po stronie zadającego pytanie. Administratorem danych osobowych jest AVT-Korporacja sp. z o.o. z siedzibą: ul. Leszczynowa 11, 03-197 Warszawa. Celem przetwarzania danych jest realizacja usługi i jest ograniczone czasowo do jej wykonania. Podstawa prawna: art. 5, 6, 12, 13 Ogólnego rozporządzenia o ochronie danych osobowych (RODO).