Półmostkowy stopień mocy o dużej gęstości prądu z dwoma 30-woltowymi tranzystorami MOSFET

SiZF300DT to półmostkowy stopień mocy z dwoma n-kanałowymi tranzystorami MOSFET, zamykany w małogabarytowej obudowie PowerPAIR o powierzchni 3,3 x 3,3 mm. W porównaniu z wcześniejszymi odpowiednikami produkowanymi w obudowach o powierzchni 6 x 5 mm charakteryzuje się on mniejszą o 65% powierzchnią montażową. Struktura wewnętrzna układu obejmuje dwa 30-woltowe n-kanałowe tranzystory MOSFET połączone w konfiguracji półmostkowej: tranzystor high-side rodziny TrenchFET oraz tranzystor low-side rodziny SkyFET z wbudowaną diodą Schottky’ego.

SiZF300DT został zaprojektowany z myślą o zastosowaniach w układach konwersji mocy w systemach telekomunikacyjnych i komputerowych, gdzie pozwala zmniejszyć liczbę podzespołów i uprościć projekt płytki drukowanej. Jest jednym z najmniejszych tego typu elementów dostępnych obecnie na rynku. Zastosowane w nim tranzystory MOSFET charakteryzują się bardzo małą rezystancją R_DS(on), wynoszącą 4,5 mΩ @ 10 V i 7,0 mΩ @ 4,5 V dla tranzystora high-side oraz 1,84 mΩ @ 10 V i 2,57 mΩ @ 4,5 V dla tranzystora low-side. Ich typowy ładunek bramki wynosi odpowiednio 6,9 i 19,4 nC. Maksymalny ciągły prąd drenu to odpowiednio 75 A i 141 A przy idealnym chłodzeniu oraz 60 A i 113 A w temperaturze T_C=+70°C.

W porównaniu z układami konkurencyjnymi o tej samej powierzchni obudowy, SiZF300DT zapewnia większy o 11% prąd wyjściowy oraz większą sprawność w zakresie prądów przewodzenia powyżej 20 A. Zastosowany tu rozkład wyprowadzeń wraz z dużą powierzchnią masy zapewniają bardzo dobry transfer ciepła i optymalną ścieżkę elektryczną, upraszczającą projekt płytki drukowanej.