stdClass Object
(
    [id] => 13988
    [categories_id] => 2756
    [categories_type_id] => 1511
    [categories_article_type_id] => 2686
    [catalog_firm_id] => 1594
    [users_last_edit_id] => 3230
    [assets_id] => 
    [ulubionykiosk_id] => 0
    [name] => Nowe superzłączowe tranzystory n-MOSFET o napięciu przebicia 650 V
    [alias] => nowe-superzlaczowe-tranzystory-n-mosfet-o-napieciu-przebicia-650-v
    [introtext] => 

Toshiba Electronics Europe wprowadza do oferty nowe superzłączowe tranzystory n-MOSFET, stanowiące rozszerzenie serii DTMOSVI. Podobnie, jak wcześniejsze wersje, wyróżniają się one bardzo małą rezystancją kanału i możliwością pracy z dużą częstotliwością taktowania. W porównaniu z tranzystorami DTMOS wcześniejszej generacji, zapewniają mniejszy o 40% iloczyn RDS(on) * QGD, co według obliczeń producenta przekłada się na większą o 0,36% sprawność realizowanych na ich bazie zasilaczy impulsowych.

[fulltext] =>

Nowa oferta obejmuje w sumie 8 typów tranzystorów zamykanych w obudowach TO-247 (TK110N65Z, TK110Z65Z), TO-220SIS (TK110A65Z, TK155A65Z, TK190A65Z) i DFN 8 x 8 mm (TK125V65Z, TK170V65Z, TK210V65Z). Cztery z nich (TK110Z65Z oraz wersje w obudowach DFN) zawierają podwójne wyprowadzenie źródła, pozwalające poprawić parametry dynamiczne i dodatkowo ograniczyć straty mocy.

[price] => 0.00 [price_old] => [meta_title] => [meta_description] => [meta_data] => [published] => 1 [date_modified] => 2020-08-26 22:13:27 [date_created] => 2020-08-26 22:09:37 [date_publish] => 2020-08-27 05:50:37 [date_publish_down] => 0000-00-00 00:00:00 [hits] => 0 [checked_out] => 0 [checked_out_time] => 0000-00-00 00:00:00 [redakcja] => 1 [ceneo_phrase] => [product_name] => [www] => www.toshiba.semicon-storage.com [firm_name] => Toshiba Corporation [firmId] => 1594 [firmType] => 1975 [firmCategory] => 2457 [firmAlias] => toshiba-corporation [firmWww] => www.toshiba.pl [firmPaid] => 0 [categoryTitle] => Podzespoły półprzewodnikowe [articleTypeId] => 2686 [articleTypeTitle] => Komponenty [linkCategory] => /produkty/podzespoly-elektroniczne/podzespoly-polprzewodnikowe [articleTypeListLink] => /komponenty/produkty )

Nowe superzłączowe tranzystory n-MOSFET o napięciu przebicia 650 V

Produkt firmy:

Toshiba Corporation

Toshiba Electronics Europe wprowadza do oferty nowe superzłączowe tranzystory n-MOSFET, stanowiące rozszerzenie serii DTMOSVI. Podobnie, jak wcześniejsze wersje, wyróżniają się one bardzo małą rezystancją kanału i możliwością pracy z dużą częstotliwością taktowania. W porównaniu z tranzystorami DTMOS wcześniejszej generacji, zapewniają mniejszy o 40% iloczyn RDS(on) * QGD, co według obliczeń producenta przekłada się na większą o 0,36% sprawność realizowanych na ich bazie zasilaczy impulsowych.

Nowa oferta obejmuje w sumie 8 typów tranzystorów zamykanych w obudowach TO-247 (TK110N65Z, TK110Z65Z), TO-220SIS (TK110A65Z, TK155A65Z, TK190A65Z) i DFN 8 x 8 mm (TK125V65Z, TK170V65Z, TK210V65Z). Cztery z nich (TK110Z65Z oraz wersje w obudowach DFN) zawierają podwójne wyprowadzenie źródła, pozwalające poprawić parametry dynamiczne i dodatkowo ograniczyć straty mocy.

Zapytanie ofertowe
Dotyczy produktu
Nowe superzłączowe tranzystory n-MOSFET o napięciu przebicia 650 V
Firma: Toshiba Corporation
Kategoria: Podzespoły półprzewodnikowe
Treść zapytania *
Imię i nazwisko *
Nazwa firmy
Adres firmy
Kod pocztowy
Miasto
E-mail *
Telefon
Usługa przesyłania zapytań ofertowych jest bezpłatna i nie rodzi żadnego zobowiązania po stronie zadającego pytanie. Administratorem danych osobowych jest AVT-Korporacja sp. z o.o. z siedzibą: ul. Leszczynowa 11, 03-197 Warszawa. Celem przetwarzania danych jest realizacja usługi i jest ograniczone czasowo do jej wykonania. Podstawa prawna: art. 5, 6, 12, 13 Ogólnego rozporządzenia o ochronie danych osobowych (RODO).