Nowe superzłączowe tranzystory n-MOSFET o napięciu przebicia 650 V

Toshiba Electronics Europe wprowadza do oferty nowe superzłączowe tranzystory n-MOSFET, stanowiące rozszerzenie serii DTMOSVI. Podobnie, jak wcześniejsze wersje, wyróżniają się one bardzo małą rezystancją kanału i możliwością pracy z dużą częstotliwością taktowania. W porównaniu z tranzystorami DTMOS wcześniejszej generacji, zapewniają mniejszy o 40% iloczyn R_DS(on) * Q_GD, co według obliczeń producenta przekłada się na większą o 0,36% sprawność realizowanych na ich bazie zasilaczy impulsowych.

Nowa oferta obejmuje w sumie 8 typów tranzystorów zamykanych w obudowach TO-247 (TK110N65Z, TK110Z65Z), TO-220SIS (TK110A65Z, TK155A65Z, TK190A65Z) i DFN 8 x 8 mm (TK125V65Z, TK170V65Z, TK210V65Z). Cztery z nich (TK110Z65Z oraz wersje w obudowach DFN) zawierają podwójne wyprowadzenie źródła, pozwalające poprawić parametry dynamiczne i dodatkowo ograniczyć straty mocy.