Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm

Komponenty / Produkty

Uniwersalne 20-woltowe tranzystory n-MOSFET w miniaturowych obudowach
Podzespoły półprzewodnikowe

Uniwersalne 20-woltowe tranzystory n-MOSFET w miniaturowych obudowach

800-woltowy przekaźnik półprzewodnikowy o dopuszczalnej temperaturze pracy do +105°C
Podzespoły półprzewodnikowe
800-woltowy przekaźnik półprzewodnikowy o dopuszczalnej temperaturze pracy do +105°C
Littelfuse powiększa ofertę przekaźników półprzewodnikowych rodziny OptoMOS o nowy model PLA172P o rekordowym napięciu znamionowym, wynoszącym 800 V. Jest to przekaźnik jednobiegunowy NO zamykany w 6-wyprowadzeniowej obudowie SSR Flatpage o wymiarach 9,7 x 9,4 x 2,7 mm z dużą separacją (6,8 mm) pomiędzy wyprowadzeniami nisko- i wysokonapięciowymi, zapobiegającą powstawaniu wyładowań łukowych.
Wzmacniacz operacyjny CMOS o bardzo małych oscylacjach wyjściowych
Podzespoły półprzewodnikowe
Wzmacniacz operacyjny CMOS o bardzo małych oscylacjach wyjściowych
Do rodziny niskoszumowych komparatorów i wzmacniaczy operacyjnych EMARMOUR firmy Rohm Semiconductor wchodzi nowy wzmacniacz CMOS oznaczony symbolem BD77501G, mogący znaleźć zastosowanie przy wykrywaniu anomalii sygnałów generowanych przez czujniki niskonapięciowe. W odróżnieniu od konwencjonalnych, szybkich wzmacniaczy operacyjnych, podatnych na oscylacje wynikające z obciążenia pojemnościowego (pochodzące m.in. od okablowania), charakteryzuje się on stabilnym sygnałem wyjściowym w szerokim zakresie pojemności do nanofaradów.
Pierwszy kondensator ceramiczny o pojemności 1 μF w obudowie rozmiaru 0402
Podzespoły pasywne
Pierwszy kondensator ceramiczny o pojemności 1 μF w obudowie rozmiaru 0402
Firma Murata wyprodukowała najmniejszy na rynku kondensator ceramiczny MLCC o pojemności 1 μF, zamykany w obudowie SMD 01005 (0402M) o wymiarach zaledwie 0,4 x 0,2 x 0,2 mm. Obecnie do masowej produkcji weszła wersja 4-woltowa (ozn. GRM022R60G105ME01), natomiast w 2021 roku ma się pojawić wersja o napięciu znamionowym 6,3 V, oznaczona symbolem GRM022R60J105M.
Polimerowe kondensatory aluminiowe hybrydowe o bardzo małej rezystancji ESR
Podzespoły pasywne
Polimerowe kondensatory aluminiowe hybrydowe o bardzo małej rezystancji ESR
Firma TDK powiększa ofertę polimerowych kondensatorów aluminiowych hybrydowych o dwie nowe serie: B40600x i B40700x obejmujące kondensatory z wyprowadzeniami odpowiednio osiowymi i solder star, zamykane w obudowach o wymiarach od Ø14 x 25 mm do Ø16 x 30 mm. Są to kondensatory o napięciach znamionowych 25 i 35 V, produkowane na zakres pojemności od 780 do 2200 µF. W ofercie TDK dostępne są też podobne wersje o napięciu znamionowym 63 V, produkowane na zakres pojemności od 390 do 720 µF (seria B40640x/B40740x).
Nowe superzłączowe tranzystory n-MOSFET o napięciu przebicia 650 V
Podzespoły półprzewodnikowe
Nowe superzłączowe tranzystory n-MOSFET o napięciu przebicia 650 V
Toshiba Electronics Europe wprowadza do oferty nowe superzłączowe tranzystory n-MOSFET, stanowiące rozszerzenie serii DTMOSVI. Podobnie, jak wcześniejsze wersje, wyróżniają się one bardzo małą rezystancją kanału i możliwością pracy z dużą częstotliwością taktowania. W porównaniu z tranzystorami DTMOS wcześniejszej generacji, zapewniają mniejszy o 40% iloczyn RDS(on) * QGD, co według obliczeń producenta przekłada się na większą o 0,36% sprawność realizowanych na ich bazie zasilaczy impulsowych.
Buzzery o wąskim przedziale tolerancji częstotliwości
Podzespoły pasywne
Buzzery o wąskim przedziale tolerancji częstotliwości
Oddział produktów audio firmy CUI wprowadza do produkcji nową rodzinę buzzerów magnetycznych i piezoelektrycznych o przedziale tolerancji częstotliwości ograniczonym do ±100 Hz, generujących bardziej stabilne dźwięki w urządzeniach docelowych, również przy wahaniach temperatury i napięcia zasilania.
Nowy typ obudowy SMD do tranzystorów MOSFET odpornych na promieniowanie jonizujące
Podzespoły półprzewodnikowe
Nowy typ obudowy SMD do tranzystorów MOSFET odpornych na promieniowanie jonizujące
Niezawodne mocowanie hermetycznych obudów tranzystorów dużej mocy do płytek PCB jest dużym wyzwaniem dla projektantów systemów przeznaczonych do pracy w przestrzeni kosmicznej. Często w tego typu aplikacjach mogą pojawiać się naprężenia związane ze znaczną różnicą współczynników rozszerzalności termicznej zastosowanych materiałów.
1200-woltowe tranzystory SiC MOSFET o małych stratach statycznych i dynamicznych
Podzespoły półprzewodnikowe
1200-woltowe tranzystory SiC MOSFET o małych stratach statycznych i dynamicznych
Do oferty firmy Alpha and Omega Semiconductor wchodzi nowa rodzina 1200-woltowych tranzystorów SiC MOSFET, zaprojektowanych na rynek motoryzacyjny i przemysłowy. W porównaniu z dostępnymi obecnie tranzystorami krzemowymi, tranzystory αSiC zapewniają większą sprawność i gęstość mocy w układach zasilania i napędowych. Zoptymalizowane pod kątem ograniczenia strat stało- i zmiennoprądowych, wyróżniają się małą rezystancją bramki i małą rezystancją RDS(on) w szerokim zakresie temperatury i częstotliwości pracy, co pozwala ograniczyć liczbę podzespołów i koszty realizacji zasilaczy UPS, układów ładowania i falowników do instalacji fotowoltaicznych.
Miniaturowe 6-milimetrowe potencjometry firmy Piher z zapadkami sygnalizującymi kąt obrotu
Podzespoły pasywne
Miniaturowe 6-milimetrowe potencjometry firmy Piher z zapadkami sygnalizującymi kąt obrotu
Miniaturowe potencjometry PT-6/PS-6 firmy Piher są obecnie dostępne w wersji z zapadkami sygnalizacyjnymi. Dotyczy to wersji do obu wariantów montażu: przewlekanego (seria PT-6) i powierzchniowego (PT-6). Cecha ta nie tylko dostarcza użytkownikowi informację zwrotną o kącie obrotu rotora w postaci wyczuwalnego "kliknięcia", ale również pozwala zapobiegać przypadkowej zmianie jego położenia.
Polecamy
Polecamy

Komponenty indukcyjne

Podzespoły indukcyjne determinują osiągi urządzeń z zakresu konwersji mocy, a więc dążenie do minimalizacji strat energii, ułatwiają miniaturyzację urządzeń, a także zapewniają zgodność z wymaganiami norm w zakresie EMC. Stąd rozwój elektromobilności, systemów energii odnawialnej, elektroniki użytkowej sprzyja znacząco temu segmentowi rynku. Zapotrzebowanie na komponenty o wysokiej jakości i stabilności płynie ponadto z aplikacji IT, telekomunikacji, energoelektroniki i oczywiście sektorów specjalnych: wojska, lotnictwa. Pozytywnym zauważalnym zjawiskiem w branży jest powolny, ale stały wzrost zainteresowania klientów rodzimą produkcją pomimo wyższych cen niż produktów azjatyckich. Natomiast paradoksalnie negatywnym zjawiskiem jest fakt, że jakość produktów azjatyckich jest coraz lepsza i jeśli stereotyp "chińskiej bylejakości" przestanie być popularny, to rodzima produkcja będzie miała problem z utrzymaniem się na rynku bez znaczących inwestycji w automatyzację i nowe technologie wykonania, kontroli jakości i pomiarów.
Cała branża elektroniki. Twoje pytania.
Poszukuję produktu lub usługi Chcę skontaktować się z firmą Mam pytanie ogólne
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów