Podzespoły pasywne
Precyzyjne rezystory chipowe z azotku tantalu o dużej odporności na wilgoć
Precyzyjne rezystory o tolerancji 0,1% i współczynniku TCR 25 ppm/°C lub mniejszym nie są niczym niezwykłym w dzisiejszych urządzeniach elektronicznych. Jednak w niektórych aplikacjach wymagana jest dodatkowo praca w warunkach wysokiej wilgotności, co może stwarzać problemy w przypadku niektórych cienkowarstwowych rezystorów nichromowych, gdyż jest to materiał podatny na korozję.
Podzespoły półprzewodnikowe
Miniaturowy 16-bitowy przetwornik C/A z interfejsem SPI/I2C
DAC80501 to jednokanałowy 16-bitowy przetwornik C/A, zamykany w miniaturowych obudowach WSON-8 (2 x 2 mm) i VSSOP-10 (3 x 3 mm). Zawiera wejściowy interfejs SPI/I²C i wyjście napięciowe. Jest przetwornikiem o monotonicznej charakterystyce, wykazującym błędy INL i DNL poniżej 1 LSB. Wyróżnia się też małą energią przepięć przy zmianie stanów (4 nV-s).
Podzespoły energoelektroniczne
Wieloelementowe transile 3 kW do pracy w ciężkich warunkach środowiskowych
Nowe wieloelementowe transile MDA3KP firmy Microchip, zaprojektowane do pracy w ciężkich warunkach środowiskowych, zapewniają ochronę przed uszkodzeniem i degradacją parametrów m.in. komponentów lotniczych i wojskowych oraz elementów infrastruktury telekomunikacyjnej.
Podzespoły pasywne
Koraliki ferrytowe w obudowach 1608 do tłumienia zaburzeń w instalacjach samochodowych
Do oferty firmy Murata wchodzi kolejna seria koralików ferrytowych zaprojektowanych do tłumienia zaburzeń elektromagnetycznych w instalacjach samochodowych. Uzyskały one kwalifikację AEC-Q200 dla komponentów pasywnych. Są produkowane w obudowach chipowych rozmiaru 1608 (1,6 x 0,8 mm) o mniejszej o 50% powierzchni od koralików wcześniejszej serii BML21PG.
Podzespoły półprzewodnikowe
Funkcja odczytu sekwencyjnego w szybkich pamięciach Flash QspiNAND firmy Winbond
Producenci działający na rynku samochodowym i IoT chętnie korzystają z pamięci NAND Flash Single-Level Cell (SLC) o pojemności 512 MB i większej, jako tańszej alternatywy dla pamięci NOR Flash, tradycyjnie stosowanych do przechowywania kodu programu. Poprzednie innowacje firmy Winbond, wprowadzone do pamięci NAND Flash, obejmowały interfejs Quad SPI-NAND korzystający z tego samego 6-liniowego interfejsu i zestawu komend QSPI, co w przypadku Quad SPI-NOR oraz funkcję Continuous Read, zapewniającą ciągły transfer danych z szybkością do 52 MBps przy częstotliwości taktowania 104 MHz.
Podzespoły pasywne
Kondensatory wysokonapięciowe o małych współczynnikach ESR i ESL
Oferta kondensatorów wysokonapięciowych KC-LINK firmy Kemet powiększyła się o nowe wersje produkowane z wykorzystaniem techniki montażu Konnekt, pozwalającej na zastosowania w aplikacjach o dużej gęstości mocy, wymagających odporności na duże impulsy prądowe. Są to kondensatory przeznaczone do współpracy z szybkimi podzespołami półprzewodnikowymi WBG (wide bandgap) o znacznie większym dopuszczalnym napięciu, temperaturze i częstotliwości pracy od tradycyjnych półprzewodników krzemowych i GaAs.
Podzespoły półprzewodnikowe
Czytnik RFID nowej generacji do samochodowych systemów zdalnego dostępu
STMicroelectronics powiększa rodzinę czytników NFC ST25R o nowy układ oznaczony symbolem ST25R3920, zaprojektowany do zastosowań w samochodowych systemach zdalnego dostępu. Zastosowano w nim unikalne technologie DPO (Dynamic Power Output) i NSR (Noise-Suppression Receiver), zapewniające skrócenie czasu nawiązywania połączenia i wydłużenie zasięgu transmisji.
Podzespoły półprzewodnikowe
Ultraminiaturowe tranzystory MOSFET w obudowach o powierzchni 0,62 x 0,62 mm
Nexperia powiększa ofertę tranzystorów MOSFET o 9 ultraminiaturowych wersji produkowanych w obudowach DFN0606 o powierzchni 0,62 x 0,62 mm, zredukowanej o 36% w stosunku do wcześniejszych odpowiedników w obudowach DFN1006.
Podzespoły półprzewodnikowe
Ultraniskoszumowy wzmacniacz operacyjny audio z wejściem FET
OPA1656 to dwukanałowy wzmacniacz operacyjny zaprojektowany specjalnie do zastosowań w systemach audio oraz w tych aplikacjach przemysłowych, w których kluczowe jest wierne odtworzenie sygnału wejściowego. Dzięki zastosowanej tu architekturze z wejściem FET, uzyskano bardzo małą wejściową gęstość napięcia szumu, wynoszącą 2,9 nV/√Hz.
Poszukuję produktu lub usługi
Chcę skontaktować się z firmą
Mam pytanie ogólne
