Podzespoły półprzewodnikowe
Izolator cyfrowy z kwalifikacją AEC-Q100 Grade 0 do pracy w temperaturze otoczenia do +150°C
ISO7741E-Q1 to pierwszy na rynku 4-kanałowy izolator cyfrowy z kwalifikacją AEC-Q100 Grade 0, mogący pracować w zakresie temperatury otoczenia do +150°C. Zapewnia skuteczną ochronę obwodów niskonapięciowych przed impulsami wysokonapięciowymi m.in. w pojazdach o napędzie elektrycznym, równocześnie eliminując potrzebę zapewnienia dodatkowego chłodzenia, co było konieczne we wcześniejszych izolatorach Grade 0 o maksymalnej temperaturze pracy ograniczonej do +125°C. Producent zaleca go do zastosowań w samochodowych sieciach CAN we współpracy z transceiverem TCAN1044EV-Q1.
Podzespoły półprzewodnikowe
Zaawansowane oscylatory OCXO z wewnętrznym odbiornikiem GNSS
Zaawansowane oscylatory OCXO serii IQCM-112 zawierają wewnętrzny odbiornik GNSS (GPS, GLONASS, BEIDOU, GALILEO) z wyjściem 1PPS, wyjście OCXO 10 MHz oraz gniazdo SMA do podłączenia zewnętrznej anteny. Podczas normalnej pracy synchronizują się z sygnałem GNSS, a w razie utraty sygnału są przełączane w tryb holdover, zapewniający zachowanie dokładności wynoszącej 1,5 µs w czasie 24 godzin, co zapewnia wbudowany algorytm adaptacyjny.
Podzespoły pasywne
Aluminiowe kondensatory elektrolityczne o małej rezystancji ESR
Aluminiowe kondensatory elektrolityczne nowej serii FN firmy Panasonic są produkowane na szeroki zakres pojemności od 10 do 1800 µF i na szeroki zakres napięć znamionowych od 6,3 do 100 VDC, co jest ich główną zaletą w stosunku do kondensatorów wcześniejszej serii FK. Ponadto, wyróżniają się one małą rezystancją ESR i dużym współczynnikiem pojemności do wymiarów obudowy, co zmniejsza wymaganą przestrzeń na płytkach drukowanych.
Podzespoły pasywne
Tanie samochodowe cewki ekranowane o obniżonej emisji pola elektrycznego
Do oferty firmy Vishay wchodzą dwie kolejne ekranowane cewki SMD serii IHLE o obniżonej emisji elektromagnetycznej, zamykane w obudowach SMD rozmiaru 5050 (14,0 x 13,6 x 6,5 mm). Zapewniają one redukcję pola elektrycznego nawet o -20 dB w odległości 1 cm od obudowy po przylutowaniu ekranu do masy na płytce drukowanej. Nadają się do pracy w zakresie częstotliwości do około 2 MHz.
Podzespoły półprzewodnikowe
Szybkie p-kanałowe tranzystory MOSFET o małej rezystancji RDS(on)
Do oferty firmy Torex wchodzą dwa nowe p-kanałowe tranzystory MOSFET o niskiej rezystancji kanału i napięciu przebicia 30 V, oznaczone symbolami XP231P02013R i XP232P05013R. Są to tranzystory uniwersalne, mogące znaleźć zastosowanie m.in. w szybkich układach przełączających. Zawierają wbudowaną diodę zabezpieczającą bramkę przed wyładowaniami ESD.
Podzespoły półprzewodnikowe
600- i 700-woltowe superzłączowe tranzystory MOSFET o dużej gęstości mocy
Firma Alpha and Omega Semiconductor wprowadza do oferty nowe 600- i 700-woltowe superzłączowe tranzystory MOSFET rodziny αMOS5, produkowane w obudowach DFN o powierzchni 6 x 5 mm i 8 x 8 mm. Są to tranzystory najnowszej generacji o bardzo dużej gęstości mocy, zaprojektowane do zastosowań w układach zasilania.
Podzespoły elektromechaniczne
Złącze wysokoprądowe z zabezpieczeniem antyiskrowym
Firma BTO wprowadziła do swojej oferty nowe złącze AMASS-AS120. Jest ono na tyle ciekawe, że jako jedno z niewielu ma zabezpieczenie antyiskrowe w postaci rezystora 5,6 Ω wbudowanego w biegun dodatni. Taka budowa złącza zabezpiecza przed iskrzeniem np. przy podłączaniu niektórych zasilaczy laboratoryjnych lub w podobnych sytuacjach, gdzie występuje znaczna różnica potencjałów. Złącze ma 6 pinów z czego 2 spolaryzowane wysokoprądowe oraz 4 sygnałowe. Złącza prądowe można obciążyć prądem ciągłym do 60 A. Testy wykonane przez BTO wykazały, że przy obciążeniu prądem ciągłym 80 A, złącze podgrzało się do temperatury 48ºC.
Podzespoły półprzewodnikowe
Energooszczędny 4-kanałowy izolator cyfrowy ISO7041 z certyfikatem ATEX/IECEx
ISO7041 to czterokanałowy izolator cyfrowy z certyfikatem ATEX/IECEx, przeznaczony do współpracy z układami logicznymi CMOS i LVCMOS. Każdy z jego izolowanych kanałów zawiera wejście logiczne i bufor wyjściowy odseparowane podwójną pojemnościową barierą izolacyjną SiO2. Dzięki wykorzystaniu modulacji OOK (ON-OFF keying), układ charakteryzuje się bardzo małym poborem mocy przy zapewnieniu izolacji do 3000 V rms (zgodnie z UL1577).
Podzespoły półprzewodnikowe
Dwuwyjściowy sterownik bramek tranzystorów MOSFET z wewnętrzną barierą izolacyjną
TLP5231 to 2,5-amperowy, dwuwyjściowy sterownik bramek tranzystorów MOSFET zaprojektowany do zastosowań w falownikach przemysłowych, serwonapędach i systemach fotowoltaicznych, zamykany w obudowie SO16L o długiej drodze upływu i dużym odstępie izolacyjnym. Steruje bramkami zewnętrznej pary tranzystorów MOSFET: p- i n-kanałowego. Zawiera konfigurowalny układ miękkiego wyłączania tranzystorów oraz izolowaną linię Fault do sygnalizacji błędu: zadziałania zabezpieczenia podnapięciowego lub zadziałania detektora nadprądowego, wykorzystującego pomiar napięcia VCE(sat).