Podzespoły półprzewodnikowe
Ultraminiaturowy sterownik bramek tranzystorów MOSFET do aplikacji niskonapięciowych
Każdorazowo, gdy w zasilaczu impulsowym następuje włączenie lub wyłączenie tranzystora MOSFET, indukcyjności pasożytnicze powodują przesunięcie poziomu masy, mogące powodować błędne działanie układu scalonego sterującego bramką. Nowy jednokanałowy sterownik bramek firmy Infineon Technologies został zaprojektowany dla wyeliminowania tego problemu. Przy wejściowym sygnale PWM o napięciu 3,3 V, zapewnia on odporność na przesunięcia poziomu masy nawet do ±150 VP-P (CMR) w trybie dynamicznym.
Podzespoły półprzewodnikowe
4-kanałowy 12-bitowy przetwornik A/C o szybkości próbkowania 80 MSps
Nowy przetwornik A/C VSP5324-Q1 firmy Texas Instruments został zaprojektowany do zastosowań w różnego rodzaju systemach skanowania przestrzennego ToF (time of flight), wizyjnych, rozpoznawania gestów oraz monitoringu. Jest to 4-kanałowy przetwornik o 12-bitowej rozdzielczości, mogący pracować z maksymalną szybkością próbkowania 80 MSps. Zawiera różnicowe wejścia 2 Vpp i szeregowy interfejs LVDS. Uzyskał kwalifikację AEC-Q100, potwierdzającą odporność na ciężkie warunki pracy, w tym ekstremalne temperatury otoczenia z zakresu od -40 do +105°C oraz wyładowania ESD do ±2 kV HBM.
Podzespoły pasywne
Jumpery termiczne do odprowadzania ciepła z komponentów odizolowanych elektrycznie
Jumpery termiczne serii ThermaWick THJP odprowadzają ciepło z komponentów odizolowanych elektrycznie do masy lub radiatora, umożliwiając ich pracę z większą mocą oraz wydłużając czas bezawaryjnej pracy. Są to elementy SMD produkowane na bazie podłoży z azotku glinu, zapewniające izolację elektryczną wyprowadzeń, a równocześnie charakteryzujące się bardzo małą rezystancją termiczną (170 W/mK).
Podzespoły półprzewodnikowe
Izolator cyfrowy z kwalifikacją AEC-Q100 Grade 0 do pracy w temperaturze otoczenia do +150°C
ISO7741E-Q1 to pierwszy na rynku 4-kanałowy izolator cyfrowy z kwalifikacją AEC-Q100 Grade 0, mogący pracować w zakresie temperatury otoczenia do +150°C. Zapewnia skuteczną ochronę obwodów niskonapięciowych przed impulsami wysokonapięciowymi m.in. w pojazdach o napędzie elektrycznym, równocześnie eliminując potrzebę zapewnienia dodatkowego chłodzenia, co było konieczne we wcześniejszych izolatorach Grade 0 o maksymalnej temperaturze pracy ograniczonej do +125°C. Producent zaleca go do zastosowań w samochodowych sieciach CAN we współpracy z transceiverem TCAN1044EV-Q1.
Podzespoły półprzewodnikowe
Zaawansowane oscylatory OCXO z wewnętrznym odbiornikiem GNSS
Zaawansowane oscylatory OCXO serii IQCM-112 zawierają wewnętrzny odbiornik GNSS (GPS, GLONASS, BEIDOU, GALILEO) z wyjściem 1PPS, wyjście OCXO 10 MHz oraz gniazdo SMA do podłączenia zewnętrznej anteny. Podczas normalnej pracy synchronizują się z sygnałem GNSS, a w razie utraty sygnału są przełączane w tryb holdover, zapewniający zachowanie dokładności wynoszącej 1,5 µs w czasie 24 godzin, co zapewnia wbudowany algorytm adaptacyjny.
Podzespoły pasywne
Aluminiowe kondensatory elektrolityczne o małej rezystancji ESR
Aluminiowe kondensatory elektrolityczne nowej serii FN firmy Panasonic są produkowane na szeroki zakres pojemności od 10 do 1800 µF i na szeroki zakres napięć znamionowych od 6,3 do 100 VDC, co jest ich główną zaletą w stosunku do kondensatorów wcześniejszej serii FK. Ponadto, wyróżniają się one małą rezystancją ESR i dużym współczynnikiem pojemności do wymiarów obudowy, co zmniejsza wymaganą przestrzeń na płytkach drukowanych.
Podzespoły pasywne
Tanie samochodowe cewki ekranowane o obniżonej emisji pola elektrycznego
Do oferty firmy Vishay wchodzą dwie kolejne ekranowane cewki SMD serii IHLE o obniżonej emisji elektromagnetycznej, zamykane w obudowach SMD rozmiaru 5050 (14,0 x 13,6 x 6,5 mm). Zapewniają one redukcję pola elektrycznego nawet o -20 dB w odległości 1 cm od obudowy po przylutowaniu ekranu do masy na płytce drukowanej. Nadają się do pracy w zakresie częstotliwości do około 2 MHz.
Podzespoły półprzewodnikowe
Szybkie p-kanałowe tranzystory MOSFET o małej rezystancji RDS(on)
Do oferty firmy Torex wchodzą dwa nowe p-kanałowe tranzystory MOSFET o niskiej rezystancji kanału i napięciu przebicia 30 V, oznaczone symbolami XP231P02013R i XP232P05013R. Są to tranzystory uniwersalne, mogące znaleźć zastosowanie m.in. w szybkich układach przełączających. Zawierają wbudowaną diodę zabezpieczającą bramkę przed wyładowaniami ESD.
Podzespoły półprzewodnikowe
600- i 700-woltowe superzłączowe tranzystory MOSFET o dużej gęstości mocy
Firma Alpha and Omega Semiconductor wprowadza do oferty nowe 600- i 700-woltowe superzłączowe tranzystory MOSFET rodziny αMOS5, produkowane w obudowach DFN o powierzchni 6 x 5 mm i 8 x 8 mm. Są to tranzystory najnowszej generacji o bardzo dużej gęstości mocy, zaprojektowane do zastosowań w układach zasilania.