Podzespoły pasywne
Małogabarytowe, podwójne cewki indukcyjne o dużym prądzie nasycenia
Rodzina podwójnych cewek indukcyjnych B82477D6x firmy TDK powiększyła się o 7 nowych modeli produkowanych na zakres indukcyjności od 2 x 3,9 µH do 2 x 47 µH oraz na zakres prądów znamionowych od 2,83 A do 7,05 A. Są to cewki o dużym prądzie nasycenia, sięgającym 16,1 A, zamykane w ekranowanych magnetycznie obudowach o wymiarach 12,5 x 12,5 x 10,5 mm.
Podzespoły półprzewodnikowe
Tranzystor IGBT 1350 V do urządzeń AGD
Nowy 1350-woltowy tranzystor IGBT GT20N135SRA firmy Toshiba został zaprojektowany specjalnie do zastosowań w urządzeniach AGD, m.in. w indukcyjnych płytach grzewczych i kuchenkach mikrofalowych. Wyróżnia się niskim napięciem nasycenia (VCE(sat)=1,60 V) i niskim napięciem przewodzenia wewnętrznej diody (VF=1,75 V), mniejszymi odpowiednio o 10% i 20% od konwencjonalnych odpowiedników.
Podzespoły pasywne
Kondensatory polimerowe hybrydowe do pracy w zakresie temperatury od -55 do +150°C
Firma Panasonic Industry Europe powiększa ofertę podzespołów pasywnych o nową serię polimerowych kondensatorów hybrydowych o szerokim zakresie dopuszczalnej temperatury pracy od -55 do +150°C i odporności na duże prądy tętnień. Kondensatory serii ZF wyróżniają się małą rezystancją szeregową, wynoszącą od 20 mΩ @ 100 kHz i małym prądem upływu.
Podzespoły półprzewodnikowe
650-woltowe superzłączowe tranzystory MOSFET dla przemysłu motoryzacyjnego
Superzłączowe tranzystory krzemowe MOSFET nowej serii CoolMOS CFD7A zostały zaprojektowane specjalnie pod kątem zastosowań w przemyśle motoryzacyjnym. Są to tranzystory o napięciu VDS równym 650 V, zoptymalizowane pod kątem wysokonapięciowych przetwornic DC-DC i układów korekcji PFC stosowanych w układach ładowania.
Źródła zasilania
2-watowe konwertery DC-DC do zastosowań przemysłowych
Firma Flex Power Modules powiększa ofertę 2-watowych konwerterów DC-DC do aplikacji przemysłowych. Izolowane konwertery nowej serii PUB-2M są przystosowane do pracy w szerokim zakresie temperatury otoczenia od -40 do +110°C. Występują w wersjach jedno- i dwuwyjściowych, zamykanych w obudowach SIP7 o wymiarach odpowiednio 12,75 x 11,2 x 8,0 mm i 15,25 x 11,2 x 8,0 mm. Nie wymagają minimalnego obciążenia wyjścia. Są konwerterami nieregulowanymi, zapewniającymi współczynnik MTBF równy 17,9 miliona godzin i sprawność sięgającą 86,5% przy pełnym obciążeniu. Zawierają zabezpieczenie przed zwarciem wyjścia.
Podzespoły półprzewodnikowe
Moduły mocy z tranzystorami Trenchstop IGBT7 na szerszy zakres prądów znamionowych
Infineon Technologies dodaje do oferty 1200-woltowych modułów mocy bazujących na tranzystorach Trenchstop IGBT7 nowe wersje produkowane na szerszy zakres prądów znamionowych. Uzupełniają one rodzinę modułów Easy 1B i 2B, które są obecnie dostępne na zakres mocy znamionowych do 11 kW w przypadku konfiguracji PIM oraz do 22 kW w przypadku konfiguracji six-pack. Oferta obejmuje konfiguracje PIM o prądach znamionowych 10…50 A oraz konfiguracje six-pack o prądach znamionowych 25…100 A.
Podzespoły półprzewodnikowe
Tranzystory MOSFET o małej rezystancji RDS(on) w obudowach o powierzchni 0,62 x 0,62 mm
Nexperia po raz kolejny podnosi poprzeczkę w zakresie miniaturyzacji tranzystorów MOSFET. Tranzystory najnowszej serii PMH, produkowane w obudowach DFN0606, charakteryzują się powierzchnią montażową wynoszącą zaledwie 0,62 x 0,62 mm, grubością 0,37 mm i rozstawem wyprowadzeń 0,35 mm. W porównaniu z najmniejszymi do tej pory tranzystorami produkowanymi w obudowach DFN1006 ich powierzchnię montażową ograniczono o 36%.
Podzespoły półprzewodnikowe
Wzmacniacze głośnikowe 2,8 W do nowoczesnych instalacji samochodowych
Wprowadzane w ostatnich latach innowacje w branży motoryzacyjnej, takie jak systemy autonomicznego kierowania i ADAS, wymagają generowania różnorodnych dźwięków sygnalizacyjnych i ostrzegawczych, np. podczas zjeżdżania z pasa lub manewrowania w pobliżu przeszkód. Zamiast tradycyjnych przekaźników sterujących elektronicznymi brzęczykami emitującymi dźwięki ostrzegawcze, coraz częściej wykorzystywane są do tego celu wzmacniacze głośnikowe współpracujące z mikrokontrolerem. Problemem w tego typu układach było dotąd zapewnienie dostatecznej głośności komunikatów dźwiękowych.
Podzespoły pasywne
Grubowarstwowe rezystory chipowe z kwalifikacją AEC-Q200
Rodzina grubowarstwowych rezystorów chipowych CR firmy Bourns powiększyła się o kolejną serię CRxxxxA obejmującą rezystory z kwalifikacją AEC-Q200. Są one produkowane w 8 wariantach obudów rozmiaru od 0201 (metryczny 0603) do 2512 (6431). Pokrywają szeroki zakres mocy znamionowych (od 0,05 do 1 W @ 70°C) i rezystancji (od 1 Ω do 20 MΩ).
Poszukuję produktu lub usługi
Chcę skontaktować się z firmą
Mam pytanie ogólne
