Komponenty / Produkty

600- i 700-woltowe superzłączowe tranzystory MOSFET o dużej gęstości mocy
Podzespoły półprzewodnikowe

600- i 700-woltowe superzłączowe tranzystory MOSFET o dużej gęstości mocy

Złącze wysokoprądowe z zabezpieczeniem antyiskrowym
Podzespoły elektromechaniczne
Złącze wysokoprądowe z zabezpieczeniem antyiskrowym
Firma BTO wprowadziła do swojej oferty nowe złącze AMASS-AS120. Jest ono na tyle ciekawe, że jako jedno z niewielu ma zabezpieczenie antyiskrowe w postaci rezystora 5,6 Ω wbudowanego w biegun dodatni. Taka budowa złącza zabezpiecza przed iskrzeniem np. przy podłączaniu niektórych zasilaczy laboratoryjnych lub w podobnych sytuacjach, gdzie występuje znaczna różnica potencjałów. Złącze ma 6 pinów z czego 2 spolaryzowane wysokoprądowe oraz 4 sygnałowe. Złącza prądowe można obciążyć prądem ciągłym do 60 A. Testy wykonane przez BTO wykazały, że przy obciążeniu prądem ciągłym 80 A, złącze podgrzało się do temperatury 48ºC.
Energooszczędny 4-kanałowy izolator cyfrowy ISO7041 z certyfikatem ATEX/IECEx
Podzespoły półprzewodnikowe
Energooszczędny 4-kanałowy izolator cyfrowy ISO7041 z certyfikatem ATEX/IECEx
ISO7041 to czterokanałowy izolator cyfrowy z certyfikatem ATEX/IECEx, przeznaczony do współpracy z układami logicznymi CMOS i LVCMOS. Każdy z jego izolowanych kanałów zawiera wejście logiczne i bufor wyjściowy odseparowane podwójną pojemnościową barierą izolacyjną SiO2. Dzięki wykorzystaniu modulacji OOK (ON-OFF keying), układ charakteryzuje się bardzo małym poborem mocy przy zapewnieniu izolacji do 3000 V rms (zgodnie z UL1577).
Dwuwyjściowy sterownik bramek tranzystorów MOSFET z wewnętrzną barierą izolacyjną
Podzespoły półprzewodnikowe
Dwuwyjściowy sterownik bramek tranzystorów MOSFET z wewnętrzną barierą izolacyjną
TLP5231 to 2,5-amperowy, dwuwyjściowy sterownik bramek tranzystorów MOSFET zaprojektowany do zastosowań w falownikach przemysłowych, serwonapędach i systemach fotowoltaicznych, zamykany w obudowie SO16L o długiej drodze upływu i dużym odstępie izolacyjnym. Steruje bramkami zewnętrznej pary tranzystorów MOSFET: p- i n-kanałowego. Zawiera konfigurowalny układ miękkiego wyłączania tranzystorów oraz izolowaną linię Fault do sygnalizacji błędu: zadziałania zabezpieczenia podnapięciowego lub zadziałania detektora nadprądowego, wykorzystującego pomiar napięcia VCE(sat).
Kompozytowe cewki wysokoprądowe o małej emisji ciepła do zastosowań w motoryzacji
Podzespoły pasywne
Kompozytowe cewki wysokoprądowe o małej emisji ciepła do zastosowań w motoryzacji
Do oferty firmy Kemet wchodzi nowa seria wysokoprądowych cewek kompozytowych z kwalifikacją AEC-Q200, zaprojektowanych do zastosowań w motoryzacji. Cewki serii MPXV wyróżniają się dużą niezawodnością i skutecznym ekranowaniem, zapewniającym mały poziom generowanych zaburzeń elektromagnetycznych. Bazują na kompozytowym rdzeniu z proszku metalowego o dużej przenikalności magnetycznej, umieszczonym na zewnątrz uzwojenia i ograniczającym do minimum wpływ pola magnetycznego na sąsiednie elementy na płytce drukowanej. Ponadto, są elementami o małych stratach i małej emisji ciepła, nie powodującymi nagrzewania innych elementów.
Sterowniki bramek tranzystorów SiC MOSFET z kwalifikacją AEC-Q100
Podzespoły półprzewodnikowe
Sterowniki bramek tranzystorów SiC MOSFET z kwalifikacją AEC-Q100
Jednokanałowe sterowniki bramek tranzystorów SiC MOSFET serii SIC118xKQ SCALE-iDriver są obecnie dostępne w wersjach z kwalifikacją AEC-Q100, dopuszczającą je do zastosowań w elektronice samochodowej. Są to układy o szerokim zakresie zmienności napięcia wyjściowego (rail-to-rail), krótkim czasie przełączania i wzmocnionej izolacji. Pracują z pojedynczym napięciem wejściowym, umożliwiając generowanie wyjściowych napięć sterujących zarówno dodatnich, jak i ujemnych. Zawierają zabezpieczenie podnapięciowe, czujnik prądu wyjściowego, układ monitorowania napięcia VDS oraz funkcję zabezpieczającą AAC (Advanced Active Clamping) zapewniającą bezpieczne wyłączenie tranzystora w czasie krótszym od 2 µs po wystąpieniu zwarcia.
Tanie mikrokontrolery STM32L4 o małym poborze mocy
Podzespoły półprzewodnikowe
Tanie mikrokontrolery STM32L4 o małym poborze mocy
Do oferty firmy STMicroelectronics wchodzą nowe mikrokontrolery STM32L4P5 i STM32L4Q5, zaprojektowane do zastosowań wymagających podzespołów tanich i energooszczędnych m.in. w miernikach zużycia mediów, czujnikach przemysłowych i medycznych, opaskach sportowych oraz różnego typu produktach smart-home. Bazują one na jednostce obliczeniowej ARM Cortex-M4. Zawierają 320 KB pamięci SRAM oraz od 512 do 1024 KB pamięci Flash. Są produkowane w różnych wariantach obudów, począwszy od UQFN/LQFP-48 o powierzchni 7 x 7 mm do UFBGA o 169 wyprowadzeniach.
Zabezpieczenie przed atakami Rootkit/Bootkit do systemów uruchamianych z zewnętrznej pamięci Flash
Podzespoły półprzewodnikowe
Zabezpieczenie przed atakami Rootkit/Bootkit do systemów uruchamianych z zewnętrznej pamięci Flash
Szczególnie podstępną formą złośliwego oprogramowania jest rootkit. Przenika on do urządzenia jeszcze przed załadowaniem systemu operacyjnego, dzięki czemu może ukryć się przed zwykłym oprogramowaniem antywirusowym i jest niezwykle trudny do wykrycia. Jednym ze sposobów obrony przed tego typu atakami jest bezpieczny rozruch. Realizuje to najnowszy mikrokontroler kryptograficzny CEC1712 MCU firmy Microchip z oprogramowaniem firmware Soteria-G2. Zapewnia on skuteczne zabezpieczenie przed złośliwym oprogramowaniem Rootkit i Bootkit w systemach mikroprocesorowych uruchamianych z zewnętrznej pamięci Flash.
Pierwszy układ zabezpieczający przed wyładowaniami ESD do ochrony nowych interfejsów USB 4
Podzespoły pasywne
Pierwszy układ zabezpieczający przed wyładowaniami ESD do ochrony nowych interfejsów USB 4
Nexperia wprowadza na rynek pierwszy diodowy układ zabezpieczający przed wyładowaniami ESD, przystosowany do ochrony interfejsów nowego standardu USB 4, a także Thunderbolt 3. PESD2V8R1BSF jest produkowany w procesie TrEOS ESD zapewniającym bardzo małą pojemność wewnętrzną (od 0,1 pF) i bardzo małą rezystancję dynamiczną (typ. 0,45 W).
Szerokopasmowy syntezer częstotliwości do aplikacji 5G, MIMO i kształtowania wiązki sygnału
Podzespoły półprzewodnikowe
Szerokopasmowy syntezer częstotliwości do aplikacji 5G, MIMO i kształtowania wiązki sygnału
Firma Renesas opracowała monolityczny, szerokopasmowy syntezer częstotliwości 8V97003 mogący znaleźć szeroki zakres zastosowań w infrastrukturze 5G, aplikacjach MIMO, systemach kształtowania wiązki sygnału, łączach mikrofalowych, aparaturze pomiarowej, radarach i komunikacji satelitarnej. Układ pracuje w zakresie częstotliwości wyjściowych od 171,875 MHz do 18 GHz.

Informator Rynkowy Elektroniki 2025 już dostępny! Pobierz!

Informator Rynkowy Elektroniki to największe źródło informacji dla polskiego rynku elektroniki. To publikacja przeznaczona dla menadżerów i kadry zarządzającej, ale także dla inżynierów konstruktorów oraz pracowników działów zaopatrzeniowych firm. Znajdź dostawców i producentów! Pozyskaj klientów! Pobierz bezpłatnie!
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów