Komponenty / Produkty

Jednokanałowe sterowniki bramek tranzystorów SiC MOSFET serii SIC118xKQ SCALE-iDriver są obecnie dostępne w wersjach z kwalifikacją AEC-Q100, dopuszczającą je do zastosowań w elektronice samochodowej. Są to układy o szerokim zakresie zmienności napięcia wyjściowego (rail-to-rail), krótkim czasie przełączania i wzmocnionej izolacji. Pracują z pojedynczym napięciem wejściowym, umożliwiając generowanie wyjściowych napięć sterujących zarówno dodatnich, jak i ujemnych. Zawierają zabezpieczenie podnapięciowe, czujnik prądu wyjściowego, układ monitorowania napięcia VDS oraz funkcję zabezpieczającą AAC (Advanced Active Clamping) zapewniającą bezpieczne wyłączenie tranzystora w czasie krótszym od 2 µs po wystąpieniu zwarcia.

Do oferty firmy STMicroelectronics wchodzą nowe mikrokontrolery STM32L4P5 i STM32L4Q5, zaprojektowane do zastosowań wymagających podzespołów tanich i energooszczędnych m.in. w miernikach zużycia mediów, czujnikach przemysłowych i medycznych, opaskach sportowych oraz różnego typu produktach smart-home. Bazują one na jednostce obliczeniowej ARM Cortex-M4. Zawierają 320 KB pamięci SRAM oraz od 512 do 1024 KB pamięci Flash. Są produkowane w różnych wariantach obudów, począwszy od UQFN/LQFP-48 o powierzchni 7 x 7 mm do UFBGA o 169 wyprowadzeniach.

Szczególnie podstępną formą złośliwego oprogramowania jest rootkit. Przenika on do urządzenia jeszcze przed załadowaniem systemu operacyjnego, dzięki czemu może ukryć się przed zwykłym oprogramowaniem antywirusowym i jest niezwykle trudny do wykrycia. Jednym ze sposobów obrony przed tego typu atakami jest bezpieczny rozruch. Realizuje to najnowszy mikrokontroler kryptograficzny CEC1712 MCU firmy Microchip z oprogramowaniem firmware Soteria-G2. Zapewnia on skuteczne zabezpieczenie przed złośliwym oprogramowaniem Rootkit i Bootkit w systemach mikroprocesorowych uruchamianych z zewnętrznej pamięci Flash.

Nexperia wprowadza na rynek pierwszy diodowy układ zabezpieczający przed wyładowaniami ESD, przystosowany do ochrony interfejsów nowego standardu USB 4, a także Thunderbolt 3. PESD2V8R1BSF jest produkowany w procesie TrEOS ESD zapewniającym bardzo małą pojemność wewnętrzną (od 0,1 pF) i bardzo małą rezystancję dynamiczną (typ. 0,45 W).

Firma Renesas opracowała monolityczny, szerokopasmowy syntezer częstotliwości 8V97003 mogący znaleźć szeroki zakres zastosowań w infrastrukturze 5G, aplikacjach MIMO, systemach kształtowania wiązki sygnału, łączach mikrofalowych, aparaturze pomiarowej, radarach i komunikacji satelitarnej. Układ pracuje w zakresie częstotliwości wyjściowych od 171,875 MHz do 18 GHz.

Toshiba Electronics Europe powiększa ofertę sterowników szczotkowych silników DC o nowy model TB67H451FNG wyróżniający się szerokim zakresem napięć zasilania od 4,4 do 45 V. Zawiera on wewnętrzne wyjściowe tranzystory MOSFET o małej rezystancji (typ. 0,6 Ω high side + low side). Jest sterownikiem jednokanałowym z wbudowanym detektorem nadprądowym typu non-latch, zamykanym w obudowie HSOP8 o wymiarach 6,0 x 4,9 mm z wyprowadzeniem PowerPad.

Nowa samochodowa cewka wysokoprądowa IHDM-1008BC-3A firmy Vishay wykazuje stabilną indukcyjność i stabilny prąd nasycenia w szerokim zakresie temperatury od -40 do +180°C. Została ona wykonana z wykorzystaniem rdzenia ze sproszkowanego stopu żelaza i niskorezystancyjnego (0,25 mΩ) uzwojenia, co pozwoliło zapewnić małe straty mocy.

AL17150-10B to uniwersalny, wysokonapięciowy regulator step-down, zapewniający precyzyjną stabilizację napięcia wyjściowego w szerokim zakresie zmian napięcia wejściowego i prądu obciążenia. Jest to regulator nieizolowany, zaprojektowany do zastosowań głównie w urządzeniach IoT i systemach oświetleniowych z diodami LED. Zawiera tranzystor MOSFET 500 V/1 A i wysokonapięciowy układ startowy, pozwalające zmniejszyć liczbę podzespołów zewnętrznych.

XK1R9F10QB jest pierwszym tranzystorem n-MOSFET produkowanym w nowym procesie technologicznym U-MOS X-H ze strukturą Trench. Charakteryzuje się ultra-niską rezystancją RDS(on), poniżej 1,92 mΩ przy napięciu VGS równym 10 V, co stanowi 20-procentową redukcję w porównaniu z najlepszymi obecnie pod tym względem tranzystorami do elektroniki samochodowej, jak np. TK160F10N1L. Dodatkową zaletą jest mniejszy poziom generowanych zaburzeń elektromagnetycznych przy pracy impulsowej, wynikający ze zredukowanej pojemności wewnętrznej oraz mały prąd upływu IDSS, poniżej 10 μA przy VDS=100 V.