Komponenty / Produkty

Zaawansowane oscylatory OCXO z wewnętrznym odbiornikiem GNSS
Podzespoły półprzewodnikowe

Zaawansowane oscylatory OCXO z wewnętrznym odbiornikiem GNSS

Aluminiowe kondensatory elektrolityczne o małej rezystancji ESR
Podzespoły pasywne
Aluminiowe kondensatory elektrolityczne o małej rezystancji ESR
Aluminiowe kondensatory elektrolityczne nowej serii FN firmy Panasonic są produkowane na szeroki zakres pojemności od 10 do 1800 µF i na szeroki zakres napięć znamionowych od 6,3 do 100 VDC, co jest ich główną zaletą w stosunku do kondensatorów wcześniejszej serii FK. Ponadto, wyróżniają się one małą rezystancją ESR i dużym współczynnikiem pojemności do wymiarów obudowy, co zmniejsza wymaganą przestrzeń na płytkach drukowanych.
Tanie samochodowe cewki ekranowane o obniżonej emisji pola elektrycznego
Podzespoły pasywne
Tanie samochodowe cewki ekranowane o obniżonej emisji pola elektrycznego
Do oferty firmy Vishay wchodzą dwie kolejne ekranowane cewki SMD serii IHLE o obniżonej emisji elektromagnetycznej, zamykane w obudowach SMD rozmiaru 5050 (14,0 x 13,6 x 6,5 mm). Zapewniają one redukcję pola elektrycznego nawet o -20 dB w odległości 1 cm od obudowy po przylutowaniu ekranu do masy na płytce drukowanej. Nadają się do pracy w zakresie częstotliwości do około 2 MHz.
Szybkie p-kanałowe tranzystory MOSFET o małej rezystancji RDS(on)
Podzespoły półprzewodnikowe
Szybkie p-kanałowe tranzystory MOSFET o małej rezystancji RDS(on)
Do oferty firmy Torex wchodzą dwa nowe p-kanałowe tranzystory MOSFET o niskiej rezystancji kanału i napięciu przebicia 30 V, oznaczone symbolami XP231P02013R i XP232P05013R. Są to tranzystory uniwersalne, mogące znaleźć zastosowanie m.in. w szybkich układach przełączających. Zawierają wbudowaną diodę zabezpieczającą bramkę przed wyładowaniami ESD.
600- i 700-woltowe superzłączowe tranzystory MOSFET o dużej gęstości mocy
Podzespoły półprzewodnikowe
600- i 700-woltowe superzłączowe tranzystory MOSFET o dużej gęstości mocy
Firma Alpha and Omega Semiconductor wprowadza do oferty nowe 600- i 700-woltowe superzłączowe tranzystory MOSFET rodziny αMOS5, produkowane w obudowach DFN o powierzchni 6 x 5 mm i 8 x 8 mm. Są to tranzystory najnowszej generacji o bardzo dużej gęstości mocy, zaprojektowane do zastosowań w układach zasilania.
Złącze wysokoprądowe z zabezpieczeniem antyiskrowym
Podzespoły elektromechaniczne
Złącze wysokoprądowe z zabezpieczeniem antyiskrowym
Firma BTO wprowadziła do swojej oferty nowe złącze AMASS-AS120. Jest ono na tyle ciekawe, że jako jedno z niewielu ma zabezpieczenie antyiskrowe w postaci rezystora 5,6 Ω wbudowanego w biegun dodatni. Taka budowa złącza zabezpiecza przed iskrzeniem np. przy podłączaniu niektórych zasilaczy laboratoryjnych lub w podobnych sytuacjach, gdzie występuje znaczna różnica potencjałów. Złącze ma 6 pinów z czego 2 spolaryzowane wysokoprądowe oraz 4 sygnałowe. Złącza prądowe można obciążyć prądem ciągłym do 60 A. Testy wykonane przez BTO wykazały, że przy obciążeniu prądem ciągłym 80 A, złącze podgrzało się do temperatury 48ºC.
Energooszczędny 4-kanałowy izolator cyfrowy ISO7041 z certyfikatem ATEX/IECEx
Podzespoły półprzewodnikowe
Energooszczędny 4-kanałowy izolator cyfrowy ISO7041 z certyfikatem ATEX/IECEx
ISO7041 to czterokanałowy izolator cyfrowy z certyfikatem ATEX/IECEx, przeznaczony do współpracy z układami logicznymi CMOS i LVCMOS. Każdy z jego izolowanych kanałów zawiera wejście logiczne i bufor wyjściowy odseparowane podwójną pojemnościową barierą izolacyjną SiO2. Dzięki wykorzystaniu modulacji OOK (ON-OFF keying), układ charakteryzuje się bardzo małym poborem mocy przy zapewnieniu izolacji do 3000 V rms (zgodnie z UL1577).
Dwuwyjściowy sterownik bramek tranzystorów MOSFET z wewnętrzną barierą izolacyjną
Podzespoły półprzewodnikowe
Dwuwyjściowy sterownik bramek tranzystorów MOSFET z wewnętrzną barierą izolacyjną
TLP5231 to 2,5-amperowy, dwuwyjściowy sterownik bramek tranzystorów MOSFET zaprojektowany do zastosowań w falownikach przemysłowych, serwonapędach i systemach fotowoltaicznych, zamykany w obudowie SO16L o długiej drodze upływu i dużym odstępie izolacyjnym. Steruje bramkami zewnętrznej pary tranzystorów MOSFET: p- i n-kanałowego. Zawiera konfigurowalny układ miękkiego wyłączania tranzystorów oraz izolowaną linię Fault do sygnalizacji błędu: zadziałania zabezpieczenia podnapięciowego lub zadziałania detektora nadprądowego, wykorzystującego pomiar napięcia VCE(sat).
Kompozytowe cewki wysokoprądowe o małej emisji ciepła do zastosowań w motoryzacji
Podzespoły pasywne
Kompozytowe cewki wysokoprądowe o małej emisji ciepła do zastosowań w motoryzacji
Do oferty firmy Kemet wchodzi nowa seria wysokoprądowych cewek kompozytowych z kwalifikacją AEC-Q200, zaprojektowanych do zastosowań w motoryzacji. Cewki serii MPXV wyróżniają się dużą niezawodnością i skutecznym ekranowaniem, zapewniającym mały poziom generowanych zaburzeń elektromagnetycznych. Bazują na kompozytowym rdzeniu z proszku metalowego o dużej przenikalności magnetycznej, umieszczonym na zewnątrz uzwojenia i ograniczającym do minimum wpływ pola magnetycznego na sąsiednie elementy na płytce drukowanej. Ponadto, są elementami o małych stratach i małej emisji ciepła, nie powodującymi nagrzewania innych elementów.
Sterowniki bramek tranzystorów SiC MOSFET z kwalifikacją AEC-Q100
Podzespoły półprzewodnikowe
Sterowniki bramek tranzystorów SiC MOSFET z kwalifikacją AEC-Q100
Jednokanałowe sterowniki bramek tranzystorów SiC MOSFET serii SIC118xKQ SCALE-iDriver są obecnie dostępne w wersjach z kwalifikacją AEC-Q100, dopuszczającą je do zastosowań w elektronice samochodowej. Są to układy o szerokim zakresie zmienności napięcia wyjściowego (rail-to-rail), krótkim czasie przełączania i wzmocnionej izolacji. Pracują z pojedynczym napięciem wejściowym, umożliwiając generowanie wyjściowych napięć sterujących zarówno dodatnich, jak i ujemnych. Zawierają zabezpieczenie podnapięciowe, czujnik prądu wyjściowego, układ monitorowania napięcia VDS oraz funkcję zabezpieczającą AAC (Advanced Active Clamping) zapewniającą bezpieczne wyłączenie tranzystora w czasie krótszym od 2 µs po wystąpieniu zwarcia.

Komponenty indukcyjne

Podzespoły indukcyjne determinują osiągi urządzeń z zakresu konwersji mocy, a więc dążenie do minimalizacji strat energii, ułatwiają miniaturyzację urządzeń, a także zapewniają zgodność z wymaganiami norm w zakresie EMC. Stąd rozwój elektromobilności, systemów energii odnawialnej, elektroniki użytkowej sprzyja znacząco temu segmentowi rynku. Zapotrzebowanie na komponenty o wysokiej jakości i stabilności płynie ponadto z aplikacji IT, telekomunikacji, energoelektroniki i oczywiście sektorów specjalnych: wojska, lotnictwa. Pozytywnym zauważalnym zjawiskiem w branży jest powolny, ale stały wzrost zainteresowania klientów rodzimą produkcją pomimo wyższych cen niż produktów azjatyckich. Natomiast paradoksalnie negatywnym zjawiskiem jest fakt, że jakość produktów azjatyckich jest coraz lepsza i jeśli stereotyp "chińskiej bylejakości" przestanie być popularny, to rodzima produkcja będzie miała problem z utrzymaniem się na rynku bez znaczących inwestycji w automatyzację i nowe technologie wykonania, kontroli jakości i pomiarów.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów