Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm

Komponenty / Produkty

100-woltowy kondensator ceramiczny 0,1 µF o wymiarach 1,0 x 0,5 x 0,5 mm
Podzespoły pasywne

100-woltowy kondensator ceramiczny 0,1 µF o wymiarach 1,0 x 0,5 x 0,5 mm

Metalowe rezystory pomiarowe Yageo serii PA w wersji niskoprofilowej
Podzespoły pasywne
Metalowe rezystory pomiarowe Yageo serii PA w wersji niskoprofilowej
Firma Yageo wkrótce powiększy ofertę metalowych rezystorów chipowych serii PA do pomiaru natężenia prądu o nowe wersje niskoprofilowe. Zostały one zaprojektowane z myślą o aplikacjach wymagających dużego stopnia upakowania podzespołów i w porównaniu z wcześniejszymi odpowiednikami charakteryzują się mniejszą do 30% grubością obudowy.
Superkondensator litowo-jonowy 100 F o dopuszczalnej temperaturze pracy 105°C
Podzespoły pasywne
Superkondensator litowo-jonowy 100 F o dopuszczalnej temperaturze pracy 105°C
Firma Taiyo Yuden powiększa rodzinę superkondensatorów litowo-jonowych Lithosion o nowy model oznaczony symbolem LIC1840RH3R8107. Jest to superkondensator o pojemności 100 F, wyróżniający się szerokim zakresem dopuszczalnych temperatur pracy do 105°C (większym o 20°C niż w przypadku wersji standardowych, np. LIC1840RS3R8107 o identycznych parametrach).
30-woltowy p-kanałowy MOSFET o rekordowo małej rezystancji RDS(on)
Podzespoły półprzewodnikowe
30-woltowy p-kanałowy MOSFET o rekordowo małej rezystancji RDS(on)
SiSS05DN to 30-woltowy p-kanałowy tranzystor MOSFET o rekordowo małej rezystancji RDS(on), mogący zmniejszyć straty mocy w urządzeniach przenośnych. Jest on zamykany w obudowie PowerPAK 1212-8S (3,3 x 3,3 x 1,0 mm) z dużym wyprowadzeniem drenu, zapewniającym skuteczne odprowadzanie ciepła do płytki drukowanej. Charakteryzuje się rezystancją RDS(on) równą 3,5 mW @ 10 V, mniejszą o 26% od wcześniejszej wersji oraz o 35% od najbliższego odpowiednika dostępnego obecnie na rynku. Z kolei współczynnik FOM (RDS(on) * Qg), decydujący o małych stratach przy pracy impulsowej, wynosi zaledwie 172 mΩ*nC i jest mniejszy o 15% od najbliższego odpowiednika.
Tranzystory CoolMOS 600 V do zastosowań wymagających bardzo dużej gęstości mocy
Podzespoły półprzewodnikowe
Tranzystory CoolMOS 600 V do zastosowań wymagających bardzo dużej gęstości mocy
Superzłączowe 600-woltowe tranzystory CoolMOS nowej serii PFD7 zostały zaprojektowane do zastosowań w aplikacjach wymagających bardzo dużej gęstości mocy, m.in. ładowarkach, zasilaczach sieciowych oraz układach napędowych małej mocy i oświetleniowych. Przykładowo, IPN60R360PFD7S zamykany w obudowie SOT-223 o wymiarach 6,5 x 3,5 x 1,65 mm umożliwia przewodzenie maksymalnego prądu ciągłego 10 A i impulsowego do 24 A.
Grubowarstwowe rezystory dużej mocy z kwalifikacją AEC-Q200
Podzespoły pasywne
Grubowarstwowe rezystory dużej mocy z kwalifikacją AEC-Q200
Do oferty firmy Vishay wchodzą pierwsze na rynku grubowarstwowe rezystory dużej mocy z kwalifikacją AEC-Q200, pozwalającą na zastosowania w motoryzacji. Są to rezystory przystosowane do bezpośredniego montażu na radiatorach, występujące w trzech wersjach różniących się mocą znamionową: LPSA 300 (300 W), LPSA 600 (600 W) i LPSA 800 (800 W). Wytrzymują impulsy energetyczne do 1500 J @ 0,5 s, co pozwala na zastępowanie nimi większych rezystorów drutowych, zapewniając oszczędność kosztów i powierzchni na płytkach drukowanych.
650-woltowe tranzystory GaN FET o rezystancji przewodzenia 0,72 mΩ
Podzespoły półprzewodnikowe
650-woltowe tranzystory GaN FET o rezystancji przewodzenia 0,72 mΩ
Do linii produktowej tranzystorów GaN FET Gen III firma Transphorm dodaje dwa nowe modele o napięciu znamionowym 650 V. TP65H070LSG (source tab) i TP65H070LDG (drain tab) to pierwsze tego typu tranzystory zamykane w obudowach SMD typu PQFN88 (8 x 8 mm) z szerokimi wyprowadzeniami, zwiększającymi stabilność na płytce drukowanej. Oba wyróżniają się bardzo małą rezystancją RDS(on), wynoszącą typowo 72 mΩ i małym poziomem zaburzeń elektromagnetycznych zaburzeń przy pracy impulsowej. Pracują z napięciem progowym bramki równym 4 V i tolerują napięcia VGS z szerokiego zakresu ±20 V. Dopuszczalny ciągły prąd drenu wynosi 25 A w temperaturze 25°C (16 A @ 100°C), a impulsowy 120 A (dla impulsu o szerokości 10 µs).
Pierwsze na rynku kondensatory MLCC do elektroniki samochodowej w obudowach 0510 flip-chip
Podzespoły pasywne
Pierwsze na rynku kondensatory MLCC do elektroniki samochodowej w obudowach 0510 flip-chip
Firma TDK zaprezentowała pierwszą na rynku serię kondensatorów ceramicznych MLCC zamykanych w obudowach 0510 (EIA 0204) typu flip-chip, przeznaczonych do zastosowań w elektronice samochodowej. Są to kondensatory z kwalifikacją AEC-Q200. Nadają się do tłumienia szumów i odsprzęgania zasilania, pozwalając zredukować liczbę komponentów i wymaganą powierzchnię płytki drukowanej.
4-watowe rezystory bocznikowe w obudowach SMD o powierzchni 5 x 2,5 mm
Podzespoły pasywne
4-watowe rezystory bocznikowe w obudowach SMD o powierzchni 5 x 2,5 mm
Firma Rohm wprowadziła do oferty serię rezystorów bocznikowych GMR50 o rekordowej gęstości mocy, zaprojektowanych do pomiaru natężenia prądu w aplikacjach samochodowych i przemysłowych. Są one produkowane w obudowach SMD 2010 o powierzchni 5,0 x 2,5 mm i charakteryzują się dopuszczalną mocą strat wynoszącą 4 W w temperaturze +90°C (3 W @ +110°C).
Kondensatory foliowe polipropylenowe do elektroniki samochodowej
Podzespoły pasywne
Kondensatory foliowe polipropylenowe do elektroniki samochodowej
Firma Kemet powiększa ofertę kondensatorów foliowych polipropylenowych o dwie nowe serie R41T i R76H. Obejmują one kondensatory z kwalifikacją samochodową AEC-Q200, przystosowane do pracy w ekstremalnych warunkach środowiskowych, w tym w systemach wspomagania kierowcy (ADAS) i układach napędowych samochodów EV. Kondensatory obu serii nadają się do pracy w zakresie temperatur otoczenia od -40 do +125°C i przeszły testy 85ºC/85% RH w zakresie odporności na dużą temperaturę i wilgotność.
Polecamy
Polecamy

Komponenty indukcyjne

Podzespoły indukcyjne determinują osiągi urządzeń z zakresu konwersji mocy, a więc dążenie do minimalizacji strat energii, ułatwiają miniaturyzację urządzeń, a także zapewniają zgodność z wymaganiami norm w zakresie EMC. Stąd rozwój elektromobilności, systemów energii odnawialnej, elektroniki użytkowej sprzyja znacząco temu segmentowi rynku. Zapotrzebowanie na komponenty o wysokiej jakości i stabilności płynie ponadto z aplikacji IT, telekomunikacji, energoelektroniki i oczywiście sektorów specjalnych: wojska, lotnictwa. Pozytywnym zauważalnym zjawiskiem w branży jest powolny, ale stały wzrost zainteresowania klientów rodzimą produkcją pomimo wyższych cen niż produktów azjatyckich. Natomiast paradoksalnie negatywnym zjawiskiem jest fakt, że jakość produktów azjatyckich jest coraz lepsza i jeśli stereotyp "chińskiej bylejakości" przestanie być popularny, to rodzima produkcja będzie miała problem z utrzymaniem się na rynku bez znaczących inwestycji w automatyzację i nowe technologie wykonania, kontroli jakości i pomiarów.
Cała branża elektroniki. Twoje pytania.
Poszukuję produktu lub usługi Chcę skontaktować się z firmą Mam pytanie ogólne
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów