Komponenty / Produkty

Do linii produktowej tranzystorów GaN FET Gen III firma Transphorm dodaje dwa nowe modele o napięciu znamionowym 650 V. TP65H070LSG (source tab) i TP65H070LDG (drain tab) to pierwsze tego typu tranzystory zamykane w obudowach SMD typu PQFN88 (8 x 8 mm) z szerokimi wyprowadzeniami, zwiększającymi stabilność na płytce drukowanej. Oba wyróżniają się bardzo małą rezystancją RDS(on), wynoszącą typowo 72 mΩ i małym poziomem zaburzeń elektromagnetycznych zaburzeń przy pracy impulsowej. Pracują z napięciem progowym bramki równym 4 V i tolerują napięcia VGS z szerokiego zakresu ±20 V. Dopuszczalny ciągły prąd drenu wynosi 25 A w temperaturze 25°C (16 A @ 100°C), a impulsowy 120 A (dla impulsu o szerokości 10 µs).

Firma TDK zaprezentowała pierwszą na rynku serię kondensatorów ceramicznych MLCC zamykanych w obudowach 0510 (EIA 0204) typu flip-chip, przeznaczonych do zastosowań w elektronice samochodowej. Są to kondensatory z kwalifikacją AEC-Q200. Nadają się do tłumienia szumów i odsprzęgania zasilania, pozwalając zredukować liczbę komponentów i wymaganą powierzchnię płytki drukowanej.

Firma Rohm wprowadziła do oferty serię rezystorów bocznikowych GMR50 o rekordowej gęstości mocy, zaprojektowanych do pomiaru natężenia prądu w aplikacjach samochodowych i przemysłowych. Są one produkowane w obudowach SMD 2010 o powierzchni 5,0 x 2,5 mm i charakteryzują się dopuszczalną mocą strat wynoszącą 4 W w temperaturze +90°C (3 W @ +110°C).

Firma Kemet powiększa ofertę kondensatorów foliowych polipropylenowych o dwie nowe serie R41T i R76H. Obejmują one kondensatory z kwalifikacją samochodową AEC-Q200, przystosowane do pracy w ekstremalnych warunkach środowiskowych, w tym w systemach wspomagania kierowcy (ADAS) i układach napędowych samochodów EV. Kondensatory obu serii nadają się do pracy w zakresie temperatur otoczenia od -40 do +125°C i przeszły testy 85ºC/85% RH w zakresie odporności na dużą temperaturę i wilgotność.

Firma Bel Fuse-Circuit Protection powiększa serię bezpieczników resetowalnych 0ZCM o cztery nowe warianty o prądach znamionowych od 10 do 40 mA. Są to bezpieczniki PPTC, zamykane w obudowach chipowych rozmiaru 0603 i spełniające wymogi normy samochodowej AEC-Q200. Były one dotąd dostępne w wersjach o prądzie trzymania (Ihold) od 50 do 200 mA.

Firma Vishay powiększa ofertę ultraszybkich diod prostowniczych FRED Pt serii eSMP o 8 nowych wersji produkowanych na napięcia przebicia 100 i 200 V oraz na prądy przewodzenia 2 i 3 A. Wszystkie one są zamykane w identycznych niskoprofilowych (0,9 mm) obudowach SlimSMAW (DO-221AD), charakteryzujących się wydłużonymi elektrodami w porównaniu ze standardem SlimSMA, zwiększającymi wytrzymałość mechaniczną i ułatwiającymi prowadzenie automatycznej inspekcji optycznej połączeń.

Do oferty firmy Infineon Technologies wchodzi 8 kolejnych 650-woltowych tranzystorów MOSFET realizowanych na podłożach z węglika krzemu i stanowiących rozszerzenie rodziny CoolSiC. Zostały one zaprojektowane do zastosowań w układach zasilania serwerów, instalacjach solarnych, zasilaczach UPS, układach napędowych, układach ładowania samochodów EV i innych aplikacjach wymagających dużej niezawodności. Są produkowane w procesie Trench i zamykane w klasycznych 3- i 4-wyprowadzeniowych obudowach TO-247.

SiR680ADP to n-kanałowy tranzystor MOSFET o rekordowo małym współczynniku FOM (RDS(on) x Qg), decydującym o małych stratach przy pracy impulsowej. Jest on produkowany w procesie TrenchFET Gen IV i zamykany w obudowie PowerPAK SO-8 o powierzchni 6,15 x 5,15 mm. Charakteryzuje się napięciem przebicia 80 V i dopuszczalnym prądem ciągłym drenu wynoszącym 125 A i 100 A przy temperaturze obudowy odpowiednio +25°C i +70°C.

Firma ROHM wprowadza do oferty rodzinę wysokonapięciowych (41 V), dwuwyjściowych przełączników high-side BV2Hx045EFU-C zoptymalizowanych do współpracy z samochodowymi sterownikami ECU. Są to elementy półprzewodnikowe, realizujące ochronę przed uszkodzeniem obwodu wskutek dużych impulsów prądowych. W odróżnieniu od konwencjonalnych bezpieczników nie wykazują uszkodzenia ani degradacji parametrów, pozwalając na realizację systemów bezobsługowych.