100-woltowy tranzystor n-MOSFET o rezystancji kanału

XK1R9F10QB jest pierwszym tranzystorem n-MOSFET produkowanym w nowym procesie technologicznym U-MOS X-H ze strukturą Trench. Charakteryzuje się ultra-niską rezystancją R_DS(on), poniżej 1,92 mΩ przy napięciu V_GS równym 10 V, co stanowi 20-procentową redukcję w porównaniu z najlepszymi obecnie pod tym względem tranzystorami do elektroniki samochodowej, jak np. TK160F10N1L. Dodatkową zaletą jest mniejszy poziom generowanych zaburzeń elektromagnetycznych przy pracy impulsowej, wynikający ze zredukowanej pojemności wewnętrznej oraz mały prąd upływu I_DSS, poniżej 10 μA przy V_DS=100 V.

XK1R9F10QB charakteryzuje się napięciem V_DSS równym 100 V i dopuszczalnym ciągłym prądem drenu 160 A (480 A w impulsie). Może pracować przy maksymalnej temperaturze kanału 175°C. Jest produkowany w obudowie TO-220SM(W) o impedancji termicznej kanał-obudowa nie przekraczającej 0,4ºC/W. Uzyskał kwalifikację AEC-Q101.