100-woltowy tranzystor n-MOSFET o rezystancji kanału
Toshiba Corporation
XK1R9F10QB jest pierwszym tranzystorem n-MOSFET produkowanym w nowym procesie technologicznym U-MOS X-H ze strukturą Trench. Charakteryzuje się ultra-niską rezystancją RDS(on), poniżej 1,92 mΩ przy napięciu VGS równym 10 V, co stanowi 20-procentową redukcję w porównaniu z najlepszymi obecnie pod tym względem tranzystorami do elektroniki samochodowej, jak np. TK160F10N1L. Dodatkową zaletą jest mniejszy poziom generowanych zaburzeń elektromagnetycznych przy pracy impulsowej, wynikający ze zredukowanej pojemności wewnętrznej oraz mały prąd upływu IDSS, poniżej 10 μA przy VDS=100 V.
XK1R9F10QB charakteryzuje się napięciem VDSS równym 100 V i dopuszczalnym ciągłym prądem drenu 160 A (480 A w impulsie). Może pracować przy maksymalnej temperaturze kanału 175°C. Jest produkowany w obudowie TO-220SM(W) o impedancji termicznej kanał-obudowa nie przekraczającej 0,4ºC/W. Uzyskał kwalifikację AEC-Q101.