Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm

Komponenty / Produkty

Tanie mikrokontrolery STM32L4 o małym poborze mocy
Podzespoły półprzewodnikowe

Tanie mikrokontrolery STM32L4 o małym poborze mocy

Zabezpieczenie przed atakami Rootkit/Bootkit do systemów uruchamianych z zewnętrznej pamięci Flash
Podzespoły półprzewodnikowe
Zabezpieczenie przed atakami Rootkit/Bootkit do systemów uruchamianych z zewnętrznej pamięci Flash
Szczególnie podstępną formą złośliwego oprogramowania jest rootkit. Przenika on do urządzenia jeszcze przed załadowaniem systemu operacyjnego, dzięki czemu może ukryć się przed zwykłym oprogramowaniem antywirusowym i jest niezwykle trudny do wykrycia. Jednym ze sposobów obrony przed tego typu atakami jest bezpieczny rozruch. Realizuje to najnowszy mikrokontroler kryptograficzny CEC1712 MCU firmy Microchip z oprogramowaniem firmware Soteria-G2. Zapewnia on skuteczne zabezpieczenie przed złośliwym oprogramowaniem Rootkit i Bootkit w systemach mikroprocesorowych uruchamianych z zewnętrznej pamięci Flash.
Pierwszy układ zabezpieczający przed wyładowaniami ESD do ochrony nowych interfejsów USB 4
Podzespoły pasywne
Pierwszy układ zabezpieczający przed wyładowaniami ESD do ochrony nowych interfejsów USB 4
Nexperia wprowadza na rynek pierwszy diodowy układ zabezpieczający przed wyładowaniami ESD, przystosowany do ochrony interfejsów nowego standardu USB 4, a także Thunderbolt 3. PESD2V8R1BSF jest produkowany w procesie TrEOS ESD zapewniającym bardzo małą pojemność wewnętrzną (od 0,1 pF) i bardzo małą rezystancję dynamiczną (typ. 0,45 W).
Szerokopasmowy syntezer częstotliwości do aplikacji 5G, MIMO i kształtowania wiązki sygnału
Podzespoły półprzewodnikowe
Szerokopasmowy syntezer częstotliwości do aplikacji 5G, MIMO i kształtowania wiązki sygnału
Firma Renesas opracowała monolityczny, szerokopasmowy syntezer częstotliwości 8V97003 mogący znaleźć szeroki zakres zastosowań w infrastrukturze 5G, aplikacjach MIMO, systemach kształtowania wiązki sygnału, łączach mikrofalowych, aparaturze pomiarowej, radarach i komunikacji satelitarnej. Układ pracuje w zakresie częstotliwości wyjściowych od 171,875 MHz do 18 GHz.
Sterownik silników szczotkowych DC o szerokim zakresie napięć zasilania od 4,4 do 45 V
Podzespoły półprzewodnikowe
Sterownik silników szczotkowych DC o szerokim zakresie napięć zasilania od 4,4 do 45 V
Toshiba Electronics Europe powiększa ofertę sterowników szczotkowych silników DC o nowy model TB67H451FNG wyróżniający się szerokim zakresem napięć zasilania od 4,4 do 45 V. Zawiera on wewnętrzne wyjściowe tranzystory MOSFET o małej rezystancji (typ. 0,6 Ω high side + low side). Jest sterownikiem jednokanałowym z wbudowanym detektorem nadprądowym typu non-latch, zamykanym w obudowie HSOP8 o wymiarach 6,0 x 4,9 mm z wyprowadzeniem PowerPad.
Cewka wysokoprądowa o stabilnej indukcyjności i prądzie nasycenia w zakresie temperatur do 180°C
Podzespoły pasywne
Cewka wysokoprądowa o stabilnej indukcyjności i prądzie nasycenia w zakresie temperatur do 180°C
Nowa samochodowa cewka wysokoprądowa IHDM-1008BC-3A firmy Vishay wykazuje stabilną indukcyjność i stabilny prąd nasycenia w szerokim zakresie temperatury od -40 do +180°C. Została ona wykonana z wykorzystaniem rdzenia ze sproszkowanego stopu żelaza i niskorezystancyjnego (0,25 mΩ) uzwojenia, co pozwoliło zapewnić małe straty mocy.
Wysokonapięciowy regulator step-down z wewnętrznym kluczem MOSFET 500 V/1 A
Podzespoły półprzewodnikowe
Wysokonapięciowy regulator step-down z wewnętrznym kluczem MOSFET 500 V/1 A
AL17150-10B to uniwersalny, wysokonapięciowy regulator step-down, zapewniający precyzyjną stabilizację napięcia wyjściowego w szerokim zakresie zmian napięcia wejściowego i prądu obciążenia. Jest to regulator nieizolowany, zaprojektowany do zastosowań głównie w urządzeniach IoT i systemach oświetleniowych z diodami LED. Zawiera tranzystor MOSFET 500 V/1 A i wysokonapięciowy układ startowy, pozwalające zmniejszyć liczbę podzespołów zewnętrznych.
100-woltowy tranzystor n-MOSFET o rezystancji kanału
Podzespoły półprzewodnikowe
100-woltowy tranzystor n-MOSFET o rezystancji kanału
XK1R9F10QB jest pierwszym tranzystorem n-MOSFET produkowanym w nowym procesie technologicznym U-MOS X-H ze strukturą Trench. Charakteryzuje się ultra-niską rezystancją RDS(on), poniżej 1,92 mΩ przy napięciu VGS równym 10 V, co stanowi 20-procentową redukcję w porównaniu z najlepszymi obecnie pod tym względem tranzystorami do elektroniki samochodowej, jak np. TK160F10N1L. Dodatkową zaletą jest mniejszy poziom generowanych zaburzeń elektromagnetycznych przy pracy impulsowej, wynikający ze zredukowanej pojemności wewnętrznej oraz mały prąd upływu IDSS, poniżej 10 μA przy VDS=100 V.
Superzłączowe tranzystory MOSFET 600 V do aplikacji niskoczęstotliwościowych
Podzespoły półprzewodnikowe
Superzłączowe tranzystory MOSFET 600 V do aplikacji niskoczęstotliwościowych
600-woltowe superzłączowe tranzystory CoolMOS S7 firmy Infineon zapewniają bardzo dużą sprawność i gęstość mocy w aplikacjach pracujących z małymi częstotliwościami taktowania. Mogą znaleźć zastosowanie w aktywnych mostkach prostowniczych, falownikach, sterownikach PLC, przekaźnikach półprzewodnikowych dużej mocy i półprzewodnikowych wyłącznikach automatycznych. Ich kluczową cechą są zoptymalizowane parametry decydujące o stratach przy przewodzeniu. Ponadto, tranzystory te wykazują małą rezystancję termiczną i odporność na duże impulsy prądowe.
Ultraprecyzyjne rezystory chipowe 100 Ω…511 kΩ w obudowach rozmiaru od 0402
Podzespoły pasywne
Ultraprecyzyjne rezystory chipowe 100 Ω…511 kΩ w obudowach rozmiaru od 0402
Do oferty ultraprecyzyjnych rezystorów firmy Vishay wchodzą cztery nowe serie cienkowarstwowych rezystorów chipowych, zamykanych w obudowach rozmiaru od 0402 do 1206. Wyróżniają się one małym współczynnikiem TCR, wynoszącym od ±5 ppm/K, tolerancją od ±0,02% oraz bardzo dobrą stabilnością długoterminową; zmiana rezystancji nie przekracza 0,05% wartości znamionowej przy pracy przez 1000 h z pełną mocą znamionową.
Polecamy
Polecamy

Komponenty indukcyjne

Podzespoły indukcyjne determinują osiągi urządzeń z zakresu konwersji mocy, a więc dążenie do minimalizacji strat energii, ułatwiają miniaturyzację urządzeń, a także zapewniają zgodność z wymaganiami norm w zakresie EMC. Stąd rozwój elektromobilności, systemów energii odnawialnej, elektroniki użytkowej sprzyja znacząco temu segmentowi rynku. Zapotrzebowanie na komponenty o wysokiej jakości i stabilności płynie ponadto z aplikacji IT, telekomunikacji, energoelektroniki i oczywiście sektorów specjalnych: wojska, lotnictwa. Pozytywnym zauważalnym zjawiskiem w branży jest powolny, ale stały wzrost zainteresowania klientów rodzimą produkcją pomimo wyższych cen niż produktów azjatyckich. Natomiast paradoksalnie negatywnym zjawiskiem jest fakt, że jakość produktów azjatyckich jest coraz lepsza i jeśli stereotyp "chińskiej bylejakości" przestanie być popularny, to rodzima produkcja będzie miała problem z utrzymaniem się na rynku bez znaczących inwestycji w automatyzację i nowe technologie wykonania, kontroli jakości i pomiarów.
Cała branża elektroniki. Twoje pytania.
Poszukuję produktu lub usługi Chcę skontaktować się z firmą Mam pytanie ogólne
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów