Podzespoły półprzewodnikowe
Tranzystor MOSFET o prądzie drenu do 380 A i rekordowo małej rezystancji RDS(on)
Do oferty firmy Nexperia trafił nowy 25-woltowy tranzystor MOSFET o symbolu PSMNR51-25YLH, charakteryzujący się rekordowo małą rezystancją RDS(on), wynoszącą 0,57 mΩ. Jest on produkowany w procesie technologicznym NextPowerS3, pozwalającym uzyskać bardzo małą rezystancję przewodzenia bez pogorszenia innych ważnych parametrów, takich jak maksymalny prąd drenu, obszar bezpiecznej pracy (SOA) czy ładunek bramki. PSMNR51-25YLH jest zamykany w obudowie LFPAK56 o powierzchni 6 x 5 mm, kompatybilnej ze standardem Power-SO8. Konstrukcja wewnętrznych połączeń typu copper-clip skutecznie absorbuje naprężenia termiczne, zapewniając niezawodną pracę w długim okresie czasu.
Podzespoły pasywne
Energooszczędny mikrofon PDM o zakresie dynamicznym 107 dB
Mikrofon PDM T5818 firmy TDK Invensense wyróżnia się najszerszym zakresem dynamicznym spośród wszystkich tego typu komponentów dostępnych obecnie na rynku, wynoszącym 107 dB przy poborze prądu 590 µA w trybie wysokiej jakości. Pozwala to na rejestrowanie dźwięku zarówno w bardzo cichych, jak i głośnych środowiskach pracy, np. w systemach rozpoznawania komend głosowych w aktywnych głośnikach.
Podzespoły półprzewodnikowe
Nowe tranzystory GaN-HEMT do systemów komunikacji satelitarnej na pasmo Ku
Zapotrzebowanie na systemy komunikacji satelitarnej pracujące w paśmie Ku oraz systemy transmisyjne SNG (satellite news-gathering) szybko rośnie ze względu na oferowane przez nie możliwości niezawodnej transmisji danych w rejonach występowania klęsk żywiołowych oraz w obszarach wiejskich, gdzie instalowanie sieci kablowych jest problematyczne. Ponadto, konieczność transmisji coraz większych ilości danych zwiększyła zapotrzebowanie na systemy satelitarne multi-carrier i single-carrier.
Podzespoły półprzewodnikowe
500-watowy tranzystor LDMOS na pasmo 433 MHz
Do oferty firmy Ampleon wchodzi nowy tranzystor mocy LDMOS oznaczony symbolem BLP05H9S500P, mogący znaleźć zastosowanie m.in. w aplikacjach ISM, przemysłowych systemach grzewczych i aparaturze medycznej. Został on zaprojektowany do pracy w zakresie częstotliwości od 423 do 443 MHz. Oferuje moc wyjściową do 500 W w aplikacjach z falą ciągłą i impulsowych.
Podzespoły pasywne
Nowe resetowalne bezpieczniki PTC serii 0ZCF o prądach progowych 3,3, 4 i 5 A
Firma Bel Fuse-Circuit Protection powiększa ofertę bezpieczników resetowalnych PTC serii 0ZCF o nowe warianty produkowane na większe prądy znamionowe (hold current): 3,3 A, 4 A i 5 A. Są to bezpieczniki zamykane w obudowach SMD rozmiaru 2920, zaprojektowane głównie na potrzeby sieci Ethernet i aplikacji samochodowych.
Podzespoły półprzewodnikowe
Diody prostownicze Schottky’ego w obudowach SMP o rekordowej gęstości prądu
Firma Vishay powiększyła rodzinę diod prostowniczych TMBS eSMP produkowanych w procesie Trench MOS o 16 nowych modeli o nominalnym prądzie przewodzenia 2 i 3 A. Są one produkowane w wersjach o napięciu przebicia od 45 do 200 V i zamykane w niskoprofilowych obudowach SMP (DO-220AA) o wymiarach 4,00 x 2,2 x 1,15 mm.
Podzespoły pasywne
Kondensatory elektrolityczne 740 µF...100.000 µF o długim czasie bezawaryjnej pracy
Firma Cornell Dubilier Electronics, specjalizująca się w produkcji kondensatorów do zastosowań specjalnych, wprowadza na rynek nową serię wysokotemperaturowych kondensatorów elektrolitycznych 381/383LL z końcówkami typu snap-in. Są to kondensatory zaprojektowane do zastosowań w aplikacjach wymagających dużej niezawodności i długiego czasu bezawaryjnej pracy. Charakteryzują się żywotnością 8 tys. godzin przy napięciu znamionowym i w temperaturze +80°C, zapewniając stabilną pojemność i prąd upływu przez cały czas trwania testu.
Podzespoły półprzewodnikowe
Ogniwa Peltiera o łatwej instalacji i bardzo dobrych parametrach termicznych
Oddział Thermal Management firmy CUI opracował nowe typy ogniw Peltiera o poprawionych parametrach termicznych, dostarczane w postaci łatwych w instalacji modułów z otworami montażowymi. CPM-2F, CPM-2C i CPM-2H charakteryzują się prądem Imax wynoszącym odpowiednio 6 A, 7 A i 8,5 A. Są zamykane w hermetycznych obudowach o powierzchni 70 x 70 mm.
Podzespoły półprzewodnikowe
Podwójny 40-woltowy tranzystor MOSFET do elektroniki samochodowej
Firma Taiwan Semiconductor wprowadziła na rynek podwójny samochodowy tranzystor MOSFET z kwalifikacją AEC-Q101, charakteryzujący się napięciem znamionowym 40 V i małą rezystancją RDS(on). Jest to tranzystor produkowany w procesie Trench, zamykany w obudowie SMD 6 x 5 mm z wyprowadzeniami Wettable Flank do automatycznej inspekcji optycznej, kompatybilnej z konwencjonalnymi obudowami PDFN.