Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm

Komponenty / Produkty

Resetowalne bezpieczniki PPTC serii 0ZCM w nowych wersjach 10…40 mA
Podzespoły pasywne

Resetowalne bezpieczniki PPTC serii 0ZCM w nowych wersjach 10…40 mA

Niskoprofilowe, ultraszybkie diody prostownicze FRED Pt o dopuszczalnym prądzie przewodzenia 2 i 3 A
Podzespoły półprzewodnikowe
Niskoprofilowe, ultraszybkie diody prostownicze FRED Pt o dopuszczalnym prądzie przewodzenia 2 i 3 A
Firma Vishay powiększa ofertę ultraszybkich diod prostowniczych FRED Pt serii eSMP o 8 nowych wersji produkowanych na napięcia przebicia 100 i 200 V oraz na prądy przewodzenia 2 i 3 A. Wszystkie one są zamykane w identycznych niskoprofilowych (0,9 mm) obudowach SlimSMAW (DO-221AD), charakteryzujących się wydłużonymi elektrodami w porównaniu ze standardem SlimSMA, zwiększającymi wytrzymałość mechaniczną i ułatwiającymi prowadzenie automatycznej inspekcji optycznej połączeń.
650-woltowe tranzystory MOSFET CoolSiC o dużej niezawodności
Podzespoły półprzewodnikowe
650-woltowe tranzystory MOSFET CoolSiC o dużej niezawodności
Do oferty firmy Infineon Technologies wchodzi 8 kolejnych 650-woltowych tranzystorów MOSFET realizowanych na podłożach z węglika krzemu i stanowiących rozszerzenie rodziny CoolSiC. Zostały one zaprojektowane do zastosowań w układach zasilania serwerów, instalacjach solarnych, zasilaczach UPS, układach napędowych, układach ładowania samochodów EV i innych aplikacjach wymagających dużej niezawodności. Są produkowane w procesie Trench i zamykane w klasycznych 3- i 4-wyprowadzeniowych obudowach TO-247.
80-woltowy tranzystor MOSFET o rekordowo małym współczynniku FOM
Podzespoły półprzewodnikowe
80-woltowy tranzystor MOSFET o rekordowo małym współczynniku FOM
SiR680ADP to n-kanałowy tranzystor MOSFET o rekordowo małym współczynniku FOM (RDS(on) x Qg), decydującym o małych stratach przy pracy impulsowej. Jest on produkowany w procesie TrenchFET Gen IV i zamykany w obudowie PowerPAK SO-8 o powierzchni 6,15 x 5,15 mm. Charakteryzuje się napięciem przebicia 80 V i dopuszczalnym prądem ciągłym drenu wynoszącym 125 A i 100 A przy temperaturze obudowy odpowiednio +25°C i +70°C.
Dwuwyjściowe przełączniki high-side do współpracy z samochodowymi sterownikami ECU
Podzespoły półprzewodnikowe
Dwuwyjściowe przełączniki high-side do współpracy z samochodowymi sterownikami ECU
Firma ROHM wprowadza do oferty rodzinę wysokonapięciowych (41 V), dwuwyjściowych przełączników high-side BV2Hx045EFU-C zoptymalizowanych do współpracy z samochodowymi sterownikami ECU. Są to elementy półprzewodnikowe, realizujące ochronę przed uszkodzeniem obwodu wskutek dużych impulsów prądowych. W odróżnieniu od konwencjonalnych bezpieczników nie wykazują uszkodzenia ani degradacji parametrów, pozwalając na realizację systemów bezobsługowych.
12-kanałowy sterownik diod LED do samochodowych systemów oświetleniowych
Podzespoły półprzewodnikowe
12-kanałowy sterownik diod LED do samochodowych systemów oświetleniowych
NCV7685 to 12-kanałowy sterownik diod LED do samochodowych systemów oświetlenia zewnętrznego i wewnętrznego, wyposażony w 12 programowalnych źródeł prądowych dołączonych do wspólnej masy. Umożliwia programowanie 128 różnych współczynników PWM niezależnie dla poszczególnych kanałów. Zakres programowania częstotliwości przebiegu PWM wynosi do 1200 Hz, a maksymalny prąd wyjściowy kanału wynosi 60 mA i może być programowany pojedynczym zewnętrznym rezystorem.
Tranzystor MOSFET o prądzie drenu do 380 A i rekordowo małej rezystancji RDS(on)
Podzespoły półprzewodnikowe
Tranzystor MOSFET o prądzie drenu do 380 A i rekordowo małej rezystancji RDS(on)
Do oferty firmy Nexperia trafił nowy 25-woltowy tranzystor MOSFET o symbolu PSMNR51-25YLH, charakteryzujący się rekordowo małą rezystancją RDS(on), wynoszącą 0,57 mΩ. Jest on produkowany w procesie technologicznym NextPowerS3, pozwalającym uzyskać bardzo małą rezystancję przewodzenia bez pogorszenia innych ważnych parametrów, takich jak maksymalny prąd drenu, obszar bezpiecznej pracy (SOA) czy ładunek bramki. PSMNR51-25YLH jest zamykany w obudowie LFPAK56 o powierzchni 6 x 5 mm, kompatybilnej ze standardem Power-SO8. Konstrukcja wewnętrznych połączeń typu copper-clip skutecznie absorbuje naprężenia termiczne, zapewniając niezawodną pracę w długim okresie czasu.
Energooszczędny mikrofon PDM o zakresie dynamicznym 107 dB
Podzespoły pasywne
Energooszczędny mikrofon PDM o zakresie dynamicznym 107 dB
Mikrofon PDM T5818 firmy TDK Invensense wyróżnia się najszerszym zakresem dynamicznym spośród wszystkich tego typu komponentów dostępnych obecnie na rynku, wynoszącym 107 dB przy poborze prądu 590 µA w trybie wysokiej jakości. Pozwala to na rejestrowanie dźwięku zarówno w bardzo cichych, jak i głośnych środowiskach pracy, np. w systemach rozpoznawania komend głosowych w aktywnych głośnikach.
Nowe tranzystory GaN-HEMT do systemów komunikacji satelitarnej na pasmo Ku
Podzespoły półprzewodnikowe
Nowe tranzystory GaN-HEMT do systemów komunikacji satelitarnej na pasmo Ku
Zapotrzebowanie na systemy komunikacji satelitarnej pracujące w paśmie Ku oraz systemy transmisyjne SNG (satellite news-gathering) szybko rośnie ze względu na oferowane przez nie możliwości niezawodnej transmisji danych w rejonach występowania klęsk żywiołowych oraz w obszarach wiejskich, gdzie instalowanie sieci kablowych jest problematyczne. Ponadto, konieczność transmisji coraz większych ilości danych zwiększyła zapotrzebowanie na systemy satelitarne multi-carrier i single-carrier.
500-watowy tranzystor LDMOS na pasmo 433 MHz
Podzespoły półprzewodnikowe
500-watowy tranzystor LDMOS na pasmo 433 MHz
Do oferty firmy Ampleon wchodzi nowy tranzystor mocy LDMOS oznaczony symbolem BLP05H9S500P, mogący znaleźć zastosowanie m.in. w aplikacjach ISM, przemysłowych systemach grzewczych i aparaturze medycznej. Został on zaprojektowany do pracy w zakresie częstotliwości od 423 do 443 MHz. Oferuje moc wyjściową do 500 W w aplikacjach z falą ciągłą i impulsowych.
Polecamy
Polecamy

Komponenty indukcyjne

Podzespoły indukcyjne determinują osiągi urządzeń z zakresu konwersji mocy, a więc dążenie do minimalizacji strat energii, ułatwiają miniaturyzację urządzeń, a także zapewniają zgodność z wymaganiami norm w zakresie EMC. Stąd rozwój elektromobilności, systemów energii odnawialnej, elektroniki użytkowej sprzyja znacząco temu segmentowi rynku. Zapotrzebowanie na komponenty o wysokiej jakości i stabilności płynie ponadto z aplikacji IT, telekomunikacji, energoelektroniki i oczywiście sektorów specjalnych: wojska, lotnictwa. Pozytywnym zauważalnym zjawiskiem w branży jest powolny, ale stały wzrost zainteresowania klientów rodzimą produkcją pomimo wyższych cen niż produktów azjatyckich. Natomiast paradoksalnie negatywnym zjawiskiem jest fakt, że jakość produktów azjatyckich jest coraz lepsza i jeśli stereotyp "chińskiej bylejakości" przestanie być popularny, to rodzima produkcja będzie miała problem z utrzymaniem się na rynku bez znaczących inwestycji w automatyzację i nowe technologie wykonania, kontroli jakości i pomiarów.
Cała branża elektroniki. Twoje pytania.
Poszukuję produktu lub usługi Chcę skontaktować się z firmą Mam pytanie ogólne
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów