Komponenty / Produkty

Do oferty firmy Infineon Technologies wchodzi 8 kolejnych 650-woltowych tranzystorów MOSFET realizowanych na podłożach z węglika krzemu i stanowiących rozszerzenie rodziny CoolSiC. Zostały one zaprojektowane do zastosowań w układach zasilania serwerów, instalacjach solarnych, zasilaczach UPS, układach napędowych, układach ładowania samochodów EV i innych aplikacjach wymagających dużej niezawodności. Są produkowane w procesie Trench i zamykane w klasycznych 3- i 4-wyprowadzeniowych obudowach TO-247.

SiR680ADP to n-kanałowy tranzystor MOSFET o rekordowo małym współczynniku FOM (RDS(on) x Qg), decydującym o małych stratach przy pracy impulsowej. Jest on produkowany w procesie TrenchFET Gen IV i zamykany w obudowie PowerPAK SO-8 o powierzchni 6,15 x 5,15 mm. Charakteryzuje się napięciem przebicia 80 V i dopuszczalnym prądem ciągłym drenu wynoszącym 125 A i 100 A przy temperaturze obudowy odpowiednio +25°C i +70°C.

Firma ROHM wprowadza do oferty rodzinę wysokonapięciowych (41 V), dwuwyjściowych przełączników high-side BV2Hx045EFU-C zoptymalizowanych do współpracy z samochodowymi sterownikami ECU. Są to elementy półprzewodnikowe, realizujące ochronę przed uszkodzeniem obwodu wskutek dużych impulsów prądowych. W odróżnieniu od konwencjonalnych bezpieczników nie wykazują uszkodzenia ani degradacji parametrów, pozwalając na realizację systemów bezobsługowych.

NCV7685 to 12-kanałowy sterownik diod LED do samochodowych systemów oświetlenia zewnętrznego i wewnętrznego, wyposażony w 12 programowalnych źródeł prądowych dołączonych do wspólnej masy. Umożliwia programowanie 128 różnych współczynników PWM niezależnie dla poszczególnych kanałów. Zakres programowania częstotliwości przebiegu PWM wynosi do 1200 Hz, a maksymalny prąd wyjściowy kanału wynosi 60 mA i może być programowany pojedynczym zewnętrznym rezystorem.

Do oferty firmy Nexperia trafił nowy 25-woltowy tranzystor MOSFET o symbolu PSMNR51-25YLH, charakteryzujący się rekordowo małą rezystancją RDS(on), wynoszącą 0,57 mΩ. Jest on produkowany w procesie technologicznym NextPowerS3, pozwalającym uzyskać bardzo małą rezystancję przewodzenia bez pogorszenia innych ważnych parametrów, takich jak maksymalny prąd drenu, obszar bezpiecznej pracy (SOA) czy ładunek bramki. PSMNR51-25YLH jest zamykany w obudowie LFPAK56 o powierzchni 6 x 5 mm, kompatybilnej ze standardem Power-SO8. Konstrukcja wewnętrznych połączeń typu copper-clip skutecznie absorbuje naprężenia termiczne, zapewniając niezawodną pracę w długim okresie czasu.

Mikrofon PDM T5818 firmy TDK Invensense wyróżnia się najszerszym zakresem dynamicznym spośród wszystkich tego typu komponentów dostępnych obecnie na rynku, wynoszącym 107 dB przy poborze prądu 590 µA w trybie wysokiej jakości. Pozwala to na rejestrowanie dźwięku zarówno w bardzo cichych, jak i głośnych środowiskach pracy, np. w systemach rozpoznawania komend głosowych w aktywnych głośnikach.

Zapotrzebowanie na systemy komunikacji satelitarnej pracujące w paśmie Ku oraz systemy transmisyjne SNG (satellite news-gathering) szybko rośnie ze względu na oferowane przez nie możliwości niezawodnej transmisji danych w rejonach występowania klęsk żywiołowych oraz w obszarach wiejskich, gdzie instalowanie sieci kablowych jest problematyczne. Ponadto, konieczność transmisji coraz większych ilości danych zwiększyła zapotrzebowanie na systemy satelitarne multi-carrier i single-carrier.

Do oferty firmy Ampleon wchodzi nowy tranzystor mocy LDMOS oznaczony symbolem BLP05H9S500P, mogący znaleźć zastosowanie m.in. w aplikacjach ISM, przemysłowych systemach grzewczych i aparaturze medycznej. Został on zaprojektowany do pracy w zakresie częstotliwości od 423 do 443 MHz. Oferuje moc wyjściową do 500 W w aplikacjach z falą ciągłą i impulsowych.

Firma Bel Fuse-Circuit Protection powiększa ofertę bezpieczników resetowalnych PTC serii 0ZCF o nowe warianty produkowane na większe prądy znamionowe (hold current): 3,3 A, 4 A i 5 A. Są to bezpieczniki zamykane w obudowach SMD rozmiaru 2920, zaprojektowane głównie na potrzeby sieci Ethernet i aplikacji samochodowych.