30-woltowy p-kanałowy MOSFET o rekordowo małej rezystancji RDS(on)

SiSS05DN to 30-woltowy p-kanałowy tranzystor MOSFET o rekordowo małej rezystancji R_DS(on), mogący zmniejszyć straty mocy w urządzeniach przenośnych. Jest on zamykany w obudowie PowerPAK 1212-8S (3,3 x 3,3 x 1,0 mm) z dużym wyprowadzeniem drenu, zapewniającym skuteczne odprowadzanie ciepła do płytki drukowanej. Charakteryzuje się rezystancją R_DS(on) równą 3,5 mW @ 10 V, mniejszą o 26% od wcześniejszej wersji oraz o 35% od najbliższego odpowiednika dostępnego obecnie na rynku. Z kolei współczynnik FOM (R_DS(on) * Qg), decydujący o małych stratach przy pracy impulsowej, wynosi zaledwie 172 mΩ*nC i jest mniejszy o 15% od najbliższego odpowiednika.

Tranzystor SiSS05DN został wykonany w procesie TrenchFET 4. generacji. Pracuje z dopuszczalnym ciągłym prądem drenu 108 A (T_C=25°C) i z maksymalnym prądem impulsowym 300 A (t=100 μs). Pod względem powierzchni montażowej jest mniejszy o 65% od innych tranzystorów o zbliżonej rezystancji R_DS(on), zamykanych najczęściej w obudowach 6 x 5 mm. Producent poleca SiSS05DN do zastosowań w zasilaczach, przełącznikach zasilania, ładowarkach i układach napędowych, gdzie pozwala on zmniejszyć straty mocy i ograniczyć wymaganą powierzchnię montażową na płytce drukowanej.