Podzespoły pasywne
Najmniejsze na rynku termistory liniowe o dużej czułości i dokładności
Termistory NTC są szeroko stosowane ze względu na niską cenę, jednak ich parametry ulegają znacznemu pogorszeniu w wysokich temperaturach, co zwiększa wymogi odnośnie kalibracji i wydłuża czas projektowania. Nowe termistory liniowe TMP61, TMP63 i TMP64 z oferty Texas Instruments są dostępne w podobnej cenie, natomiast pozwalają skrócić czas projektowania i ograniczyć liczbę komponentów.
Podzespoły pasywne
Aluminiowe kondensatory elektrolityczne snap-in o długim czasie bezawaryjnej pracy
Aluminiowe kondensatory elektrolityczne nowej serii 381/383LL mogą znaleźć zastosowanie wszędzie tam, gdzie priorytetami są długi czas bezawaryjnej pracy, mała rezystancja ESR i odporność na duże prądy udarowe, sięgające 10 A. Typowe przykłady to zasilacze impulsowe, zasilacze UPS oraz falowniki dużej mocy, m.in. w instalacjach solarnych. Kondensatory 381/383LL są zamykane w cylindrycznych obudowach z wyprowadzeniami snap-in. Występują w wersjach o pojemności 740…100.000 µF i napięciu znamionowym 16…250 VDC. Ich żywotność producent ocenia na 8000 godzin pracy przy napięciu znamionowym i w temperaturze +105°C.
Podzespoły pasywne
Transformatory izolacyjne o długiej drodze upływu i dużym odstępie izolacyjnym
Transformatory izolacyjne serii HCT firmy Bourns wyróżniają się długą drogą upływu i dużym odstępem izolacyjnym. Zostały zaprojektowane do zastosowań w izolowanych układach zasilania z interfejsami CAN, RS-485, RS-422, RS-232, SPI, I²C i LAN małej mocy stosowanych m.in. w czujnikach medycznych, miernikach i układach warstwy fizycznej (PHY) w komunikacji. Mogą również znaleźć stosowanie wszędzie tam, gdzie zachodzi potrzeba ochrony urządzeń przed dużymi napięciami wejściowymi.
Podzespoły pasywne
Energooszczędne oscylatory 400, 800 i 1200 MHz o stabilności ±2 ppm
Firma IQD Frequency Products dodaje do oferty nową serię miniaturowych, niskoszumowych oscylatorów OCVCSO (Oven Controlled Voltage Controlled SAW Oscillator) produkowanych na trzy częstotliwości znamionowe: 400 MHz (ozn. OSVCSO-2), 800 MHz (OCVCSO-1) i 1,2 GHz (OCVCSO-3). Są one produkowane w jednakowych obudowach SMD o wymiarach 25,4 x 22 x 13,2 mm.
Podzespoły pasywne
100-woltowy kondensator ceramiczny 0,1 µF o wymiarach 1,0 x 0,5 x 0,5 mm
Taiyo Yuden dodaje do oferty 100-woltowy kondensator ceramiczny HMR105 B7103KV o pojemności 0,1 µF, produkowany w obudowie SMD 1005 o wymiarach 1,0 x 0,5 x 0,5 mm. Dzięki opracowaniu nowych materiałów i technologii produkcyjnych zwiększono w nim dwukrotnie napięcie znamionowe w porównaniu z poprzednim 50-woltowym modelem UMR105 B7103KV o tej samej pojemności i tych samych gabarytach oraz zmniejszono o 75% objętość w porównaniu ze 100-woltowym kondensatorem HMR107 B7103KA (100 V, 0,01 μF) produkowanym w klasycznej obudowie rozmiaru 1608 (1,6 x 0,8 x 0,8 mm).
Podzespoły pasywne
Metalowe rezystory pomiarowe Yageo serii PA w wersji niskoprofilowej
Firma Yageo wkrótce powiększy ofertę metalowych rezystorów chipowych serii PA do pomiaru natężenia prądu o nowe wersje niskoprofilowe. Zostały one zaprojektowane z myślą o aplikacjach wymagających dużego stopnia upakowania podzespołów i w porównaniu z wcześniejszymi odpowiednikami charakteryzują się mniejszą do 30% grubością obudowy.
Podzespoły pasywne
Superkondensator litowo-jonowy 100 F o dopuszczalnej temperaturze pracy 105°C
Firma Taiyo Yuden powiększa rodzinę superkondensatorów litowo-jonowych Lithosion o nowy model oznaczony symbolem LIC1840RH3R8107. Jest to superkondensator o pojemności 100 F, wyróżniający się szerokim zakresem dopuszczalnych temperatur pracy do 105°C (większym o 20°C niż w przypadku wersji standardowych, np. LIC1840RS3R8107 o identycznych parametrach).
Podzespoły półprzewodnikowe
30-woltowy p-kanałowy MOSFET o rekordowo małej rezystancji RDS(on)
SiSS05DN to 30-woltowy p-kanałowy tranzystor MOSFET o rekordowo małej rezystancji RDS(on), mogący zmniejszyć straty mocy w urządzeniach przenośnych. Jest on zamykany w obudowie PowerPAK 1212-8S (3,3 x 3,3 x 1,0 mm) z dużym wyprowadzeniem drenu, zapewniającym skuteczne odprowadzanie ciepła do płytki drukowanej. Charakteryzuje się rezystancją RDS(on) równą 3,5 mW @ 10 V, mniejszą o 26% od wcześniejszej wersji oraz o 35% od najbliższego odpowiednika dostępnego obecnie na rynku. Z kolei współczynnik FOM (RDS(on) * Qg), decydujący o małych stratach przy pracy impulsowej, wynosi zaledwie 172 mΩ*nC i jest mniejszy o 15% od najbliższego odpowiednika.
Podzespoły półprzewodnikowe
Tranzystory CoolMOS 600 V do zastosowań wymagających bardzo dużej gęstości mocy
Superzłączowe 600-woltowe tranzystory CoolMOS nowej serii PFD7 zostały zaprojektowane do zastosowań w aplikacjach wymagających bardzo dużej gęstości mocy, m.in. ładowarkach, zasilaczach sieciowych oraz układach napędowych małej mocy i oświetleniowych. Przykładowo, IPN60R360PFD7S zamykany w obudowie SOT-223 o wymiarach 6,5 x 3,5 x 1,65 mm umożliwia przewodzenie maksymalnego prądu ciągłego 10 A i impulsowego do 24 A.