600- i 700-woltowe superzłączowe tranzystory MOSFET o dużej gęstości mocy
Firma Alpha and Omega Semiconductor wprowadza do oferty nowe 600- i 700-woltowe superzłączowe tranzystory MOSFET rodziny αMOS5, produkowane w obudowach DFN o powierzchni 6 x 5 mm i 8 x 8 mm. Są to tranzystory najnowszej generacji o bardzo dużej gęstości mocy, zaprojektowane do zastosowań w układach zasilania.
Tranzystory αMOS5 w obudowach DFN 8x8 charakteryzują się mniejszą o prawie 60% powierzchnią obudowy w stosunku do standardu D2Pak, a ich grubość, wynosząca 0,9 mm, jest mniejsza o 80%. Zredukowana indukcyjność źródła zapewnia mniejsze oscylacje na bramce i mniejsze straty przy włączaniu (Eon). Wyprowadzenie Kelvina na źródle tranzystora pozwala dodatkowo zmniejszyć straty przy pracy impulsowej.
Tranzystory αMOS5 zamykane w obudowach DFN 5x6 zajmują powierzchnię mniejszą o 61% od tranzystorów w obudowach DPak. Ich grubość wynosi zaledwie 0,75 mm, mniej o 67% od grubości obudów DPAK. Podobnie, jak dla wersji DFN 8x8, zaletą tych tranzystorów jest mała indukcyjność źródła, pozwalająca na zastosowania w szybkich układach impulsowych.
Obecnie w ofercie firmy Alpha and Omega dostępne są trzy pierwsze tranzystory rodziny αMOS5: 600-woltowy AONV210A60 (210 mΩ, DFN8x8) i dwa 700-woltowe: AONS660A70F (660 mΩ, DFN5x6) i AONS1R6A70 (1,6 Ω, DFN 5x6). Ich ceny hurtowe wynoszą odpowiednio 2,7 USD, 1,05 USD i 0,72 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.
