Szybkie p-kanałowe tranzystory MOSFET o małej rezystancji RDS(on)

Do oferty firmy Torex wchodzą dwa nowe p-kanałowe tranzystory MOSFET o niskiej rezystancji kanału i napięciu przebicia 30 V, oznaczone symbolami XP231P02013R i XP232P05013R. Są to tranzystory uniwersalne, mogące znaleźć zastosowanie m.in. w szybkich układach przełączających. Zawierają wbudowaną diodę zabezpieczającą bramkę przed wyładowaniami ESD.

XP231P02013R i XP232P05013R różnią się dopuszczalnym ciągłym prądem drenu, wynoszącym odpowiednio 0,2 i 0,45 A. Ich rezystancja R_DS(on) to odpowiednio 5 Ω i 1,25 Ω przy napięciu V_GS równym -4,5 V. Oba modele są zamykane w obudowach sSOT-323-3A o powierzchni 2,1 x 1,25 mm i grubości 0,95 mm.