Komponenty / Produkty

Do oferty oscylatorów VCO firmy Z-Communications wchodzi nowy model SMV0912B-LF wyróżniający się na tle wcześniejszych wersji bardzo małym poborem prądu, wynoszącym około 6 mA przy napięciu zasilania 3 V. Pracuje on z częstotliwością wyjściową z zakresu od 865 do 960 MHz przestrajaną sygnałem napięciowym 0…2,5 VDC. Charakteryzuje się dużą czystością widmową; jego poziom szumów fazowych wynosi -100 dBc/Hz przy offsecie 10 kHz.

Murata wprowadza do masowej produkcji najmniejszy na rynku termistor PTC o oznaczeniu PRG03BC181QB6RL, zamykany w obudowie SMD rozmiaru 0201 (0,6 x 0,3 x 0,3 mm). Został on zaprojektowany specjalnie do zastosowań w urządzeniach mobilnych o dużym stopniu upakowania podzespołów. Charakteryzuje się mniejszą o 80% objętością i mniejszą o 70% powierzchnią montażową od wcześniejszej wersji, zamykanej w obudowie 0402. Został wyprodukowany na bazie unikalnego materiału ceramicznego, zapewniającego stabilne parametry w długim okresie czasu. PRG03BC181QB6RL nadaje się do pracy w zakresie temperatury otoczenia od -20 do +60°C.

Wurth Elektronik powiększa ofertę komponentów pasywnych z kwalifikacją AEC-Q200 Grade 1 o nową serię cewek indukcyjnych przeznaczonych do tłumienia zaburzeń elektromagnetycznych w podsystemach samochodowych. Są to cewki z rdzeniem prętowym, przystosowane do montażu SMT. Mogą pracować w temperaturze otoczenia od -40 do +150°C.

Aluminiowe kondensatory elektrolityczne nowej serii 257 PRM-SI firmy Vishay BCcomponents są elementami tanimi, pozwalającymi zaoszczędzić przestrzeń na płytce drukowanej. Wyróżniają się dużym współczynnikiem pojemności do objętości i długim użytecznym czasem życia, określanym na 5000 godzin w temperaturze +85°C.

Toshiba Electronics Europe powiększa ofertę tranzystorów MOSFET o dwa tranzystory n-kanałowe o napięciu znamionowym 80 V. TPH2R408QM i TPN19008QM to tranzystory zrealizowane w nowym procesie U-MOSX-H, przeznaczone do zastosowań w zasilaczach sieciowych i konwerterach DC-DC o dużej sprawności energetycznej. W porównaniu z 80-woltowymi tranzystorami produkowanymi na bazie wcześniejszego procesu U-MOSVIII-H, wykazują mniejszą o około 40% rezystancję RDS(on), wynoszącą maksymalnie 19 mΩ dla TPN19008QM i 2,43 mΩ dla TPH2R408QM (dla VGS=10 V). Dzięki optymalizacji wewnętrznej struktury zapewniają ponadto mniejszy o odpowiednio 15% i 31% ładunek bramki i ładunek wyjściowy, co czyni je jednymi z najbardziej energooszczędnych tego typu tranzystorów dostępnych na rynku.

Duża dokładność i niezawodna praca w trudnych warunkach są najważniejszymi kryteriami, na których projektanci opierają swoje decyzje dotyczące wyboru podzespołów, zwłaszcza tych przeznaczonych do pracy w ciężkich warunkach. Podzespoły pracujące w pobliżu silników są narażone na działanie oleju, brud i wysokie temperatury, mogące stanowić poważne zagrożenie dla ich niezawodnej pracy w długim okresie czasu.

Firma Coilcraft opracowała nową serię małostratnych cewek indukcyjnych charakteryzujących się zredukowaną nawet o 40% rezystancją DC w stosunku do najlepszych pod tym względem cewek z wcześniejszej oferty. Mogą one znaleźć zastosowanie m.in. w przetwornicach DC-DC o częstotliwości taktowania od kilkuset kHz do ponad 5 MHz. Obecnie są produkowane w 18 wariantach o indukcyjności od 0,13 do 12 µH.

Każdorazowo, gdy w zasilaczu impulsowym następuje włączenie lub wyłączenie tranzystora MOSFET, indukcyjności pasożytnicze powodują przesunięcie poziomu masy, mogące powodować błędne działanie układu scalonego sterującego bramką. Nowy jednokanałowy sterownik bramek firmy Infineon Technologies został zaprojektowany dla wyeliminowania tego problemu. Przy wejściowym sygnale PWM o napięciu 3,3 V, zapewnia on odporność na przesunięcia poziomu masy nawet do ±150 VP-P (CMR) w trybie dynamicznym.

Nowy przetwornik A/C VSP5324-Q1 firmy Texas Instruments został zaprojektowany do zastosowań w różnego rodzaju systemach skanowania przestrzennego ToF (time of flight), wizyjnych, rozpoznawania gestów oraz monitoringu. Jest to 4-kanałowy przetwornik o 12-bitowej rozdzielczości, mogący pracować z maksymalną szybkością próbkowania 80 MSps. Zawiera różnicowe wejścia 2 Vpp i szeregowy interfejs LVDS. Uzyskał kwalifikację AEC-Q100, potwierdzającą odporność na ciężkie warunki pracy, w tym ekstremalne temperatury otoczenia z zakresu od -40 do +105°C oraz wyładowania ESD do ±2 kV HBM.