P-kanałowe tranzystory MOSFET w małogabarytowych obudowach LFPAK56

Nexperia zaprezentowała pierwsze p-kanałowe tranzystory MOSFET zamykane w obudowach LFPAK56 (Power-SO8) o małych gabarytach. Mogą być one stosowane jako zamienniki dla wcześniejszych wersji w obudowach DPAK, zapewniając zbliżone parametry elektryczne przy dwukrotnie mniejszej powierzchni montażowej. Występują w wersjach o napięciu znamionowym od 30 do 60 V. Charakteryzują się małą rezystancją RDS(on), wynoszącą już od 10 mΩ @ 30 V.

Obudowa LFPAK o strukturze połączeń copper-clip, opracowana przez firmę Nexperia, znajduje zastosowanie w elektronice samochodowej już od prawie 20 lat. Produkowane w tych obudowach tranzystory charakteryzują się dwukrotnie dłuższym czasem niezawodnej pracy od wymogów AEC. Dotychczas w obudowach LFPAK były produkowane jedynie tranzystory n-kanałowe. Dostępne teraz wersje p-kanałowe, zaprojektowane głównie na potrzeby rynku motoryzacyjnego, mogą być stosowane w układach zabezpieczających przed odwróceniem polaryzacji oraz przełącznikach high-side m.in. w układach podnoszenia szyb samochodowych i regulacji siedzeń.

Zapytania ofertowe
P-kanałowe tranzystory MOSFET w małogabarytowych obudowach LFPAK56
Zapytanie ofertowe