Podzespoły półprzewodnikowe
Ultraminiaturowe tranzystory MOSFET w obudowach o powierzchni 0,62 x 0,62 mm
Nexperia powiększa ofertę tranzystorów MOSFET o 9 ultraminiaturowych wersji produkowanych w obudowach DFN0606 o powierzchni 0,62 x 0,62 mm, zredukowanej o 36% w stosunku do wcześniejszych odpowiedników w obudowach DFN1006.
Podzespoły półprzewodnikowe
Ultraniskoszumowy wzmacniacz operacyjny audio z wejściem FET
OPA1656 to dwukanałowy wzmacniacz operacyjny zaprojektowany specjalnie do zastosowań w systemach audio oraz w tych aplikacjach przemysłowych, w których kluczowe jest wierne odtworzenie sygnału wejściowego. Dzięki zastosowanej tu architekturze z wejściem FET, uzyskano bardzo małą wejściową gęstość napięcia szumu, wynoszącą 2,9 nV/√Hz.
Podzespoły pasywne
Ultraprecyzyjne rezystory cienkowarstwowe TNPU e3 o współczynniku TCR od ±2 ppm/K
Do rodziny ultraprecyzyjnych rezystorów TNPU e3 firmy Vishay Draloric wchodzą nowe wersje o współczynniku temperaturowym TCR obniżonym do zaledwie ±2 ppm/K. Są to rezystory z kwalifikacją AEC Q200, produkowane w trzech typach obudów SMD: 0603, 0805 i 1206.
Podzespoły półprzewodnikowe
Krzemo-germanowe diody prostownicze o małych stratach i dużej stabilności termicznej
Do oferty firmy Nexperia wchodzą nowe krzemo-germanowe diody prostownicze z kwalifikacją AEC-Q101, łączące zalety diod Schottky’ego i szybkich diod regeneracyjnych, tj. małe straty i dużą stabilność termiczną. Są one produkowane w wersjach o napięciu przebicia 120, 150 i 200 V oraz o prądzie przewodzenia 1, 2 i 3 A. Wyróżniają się bardzo małym prądem upływu, poniżej 1 nA @ 25°C oraz zapewniają stabilność termiczną aż do maksymalnej temperatury pracy złącza, równej +175°C. Producent poleca je do zastosowań w elektronice samochodowej (oświetlenie LED, sterowniki ECU, układy wtrysku paliwa), a także infrastrukturze komunikacyjnej i układach zasilania serwerów.
Podzespoły półprzewodnikowe
p-kanałowy tranzystor MOSFET do układów przełączających
Torex Semiconductor powiększa ofertę tranzystorów MOSFET o nowy tranzystor p-kanałowy XP231P02015R o napięciu znamionowym -30 V, zaprojektowany do zastosowań w szybkich układach przełączających. Jest to tranzystor produkowany w miniaturowej obudowie SOT-523 (1,6 x 1,6 x 0,9 mm), pracujący z maksymalnym ciągłym prądem drenu równym 200 mA oraz do 400 mA w impulsie.
Podzespoły pasywne
Filtry skompensowane prądowo do tłumienia zaburzeń w szybkich interfejsach różnicowych
Murata wprowadza do produkcji nową serię miniaturowych filtrów skompensowanych prądowo do tłumienia zaburzeń w.cz. w szybkich interfejsach różnicowych do transmisji danych i strumieni wideo, m.in. USB 4 (40 Gbps), USB 3.2 Gen1 (5 Gbps) / Gen2 (10 Gbps) i HDMI 2.1 (12 Gbps).
Podzespoły półprzewodnikowe
Podwójny 30-woltowy tranzystor n-MOS w obudowie o powierzchni 10 mm²
DMN3012LEG to podwójny n-kanałowy tranzystor MOSFET o napięciu przebicia 30 V, zaprojektowany do zastosowań w jedno- i wielofazowych konwerterach DC-DC buck oraz w układach zarządzania zasilaniem.
Podzespoły pasywne
Kondensatory MLCC o małej indukcyjności szeregowej ESL do instalacji samochodowych
Murata rozpoczyna masową produkcję nowych 3-wyprowadzeniowych kondensatorów MLCC na rynek motoryzacyjny, wyróżniających się małą zastępczą indukcyjnością szeregową (ESL).
Podzespoły półprzewodnikowe
Inteligentne sterowniki bramek tranzystorów MOSFET do elektroniki samochodowej
Toshiba Electronics powiększa ofertę inteligentnych sterowników bramek tranzystorów MOSFET o dwa kolejne układy: TPD7106F i TPD7107F. Są to sterowniki z kwalifikacją AEC-Q100, spełniające wymogi samochodowych standardów niezawodności. W zestawieniu z n-kanałowymi tranzystorami „samochodowymi”, takimi jak TPHR7904PB (40 V/150 A) lub TPH1R104PB (40 V/120 A) umożliwiają realizację przełączników high-side do kontroli prądu obciążenia, stanowiących alternatywę dla większych i bardziej zawodnych przekaźników elektromechanicznych.