Nowy typ obudowy SMD do tranzystorów MOSFET odpornych na promieniowanie jonizujące

Niezawodne mocowanie hermetycznych obudów tranzystorów dużej mocy do płytek PCB jest dużym wyzwaniem dla projektantów systemów przeznaczonych do pracy w przestrzeni kosmicznej. Często w tego typu aplikacjach mogą pojawiać się naprężenia związane ze znaczną różnicą współczynników rozszerzalności termicznej zastosowanych materiałów.

Problem ten rozwiązano w nowo zaprojektowanej przez Infineon obudowie SupIR-SMD z kwalifikacją JANS MIL-PRF-19500. Jest to innowacyjna obudowa direct-to-PCB, zapewniająca większą o ponad 30% gęstość prądu i znacznie szybsze odprowadzanie ciepła do płytki drukowanej dzięki odwróconej konstrukcji w stosunku do struktur typu "dead bug", w której wyeliminowano druciki połączeniowe pomiędzy strukturą półprzewodnikową i terminalami lutowniczymi. Ponadto, pozwala zredukować o 37% powierzchnię montażową oraz o 34% masę w porównaniu z konstrukcjami stosowanymi wcześniej. Obecnie w obudowie SupIR-SMD produkowanych jest 14 typów tranzystorów n- i p-kanałowych o napięciu przebicia do 250 V i maksymalnym prądzie drenu 75 A. Znajdują się one na liście QPL (Qualified Products List) podzespołów zatwierdzonych do pracy w przestrzeni kosmicznej.