80-woltowe tranzystory MOSFET do zasilaczy i przetwornic o dużej sprawności

Toshiba Electronics Europe powiększa ofertę tranzystorów MOSFET o dwa tranzystory n-kanałowe o napięciu znamionowym 80 V. TPH2R408QM i TPN19008QM to tranzystory zrealizowane w nowym procesie U-MOSX-H, przeznaczone do zastosowań w zasilaczach sieciowych i konwerterach DC-DC o dużej sprawności energetycznej. W porównaniu z 80-woltowymi tranzystorami produkowanymi na bazie wcześniejszego procesu U-MOSVIII-H, wykazują mniejszą o około 40% rezystancję R_DS(on), wynoszącą maksymalnie 19 mΩ dla TPN19008QM i 2,43 mΩ dla TPH2R408QM (dla V_GS=10 V). Dzięki optymalizacji wewnętrznej struktury zapewniają ponadto mniejszy o odpowiednio 15% i 31% ładunek bramki i ładunek wyjściowy, co czyni je jednymi z najbardziej energooszczędnych tego typu tranzystorów dostępnych na rynku.

Oba tranzystory mogą pracować przy temperaturze kanału sięgającej +175°C. TPN19008QM charakteryzuje się maksymalnym prądem drenu wynoszącym 34 A i jest zamykany w obudowie TSON o powierzchni 3,3 x 3,3 mm, natomiast TPH2R408QM charakteryzuje się maksymalnym prądem drenu 120 A i jest zamykany w obudowie SOP o powierzchni 6,0 x 5,0 mm.