Ultraminiaturowe tranzystory MOSFET w obudowach o powierzchni 0,62 x 0,62 mm

Nexperia powiększa ofertę tranzystorów MOSFET o 9 ultraminiaturowych wersji produkowanych w obudowach DFN0606 o powierzchni 0,62 x 0,62 mm, zredukowanej o 36% w stosunku do wcześniejszych odpowiedników w obudowach DFN1006.

Oprócz małych gabarytów, do zalet tych tranzystorów należy bardzo mała rezystancja R_DS(on), odporność na wyładowania ESD nawet do 2 kV oraz małe napięcie progowe V_GS, istotne w przypadku zastosowań w niskonapięciowych urządzeniach przenośnych. Nowe tranzystory są produkowane w wariantach p- i n-kanałowych o napięciu znamionowym 20, 30 i 60 V.