Podzespoły półprzewodnikowe
Miniaturowy 60-woltowy tranzystor MOSFET o rezystancji RDS(on) równej 4 mΩ
Firma Vishay Siliconix wprowadza na rynek miniaturowy n-kanałowy tranzystor MOSFET o napięciu znamionowym 60 V, zamykany w obudowie PowerPAK 1212-8S o powierzchni 3,3 x 3,3 mm. Model SiSS22DN, wykonany w procesie TrenchFET Gen IV, charakteryzuje się dużą sprawnością i gęstością mocy, wynikającymi z obniżonej rezystancji RDS(on) do zaledwie 4 mΩ (dla VGS=10 V). Jako tranzystor zaprojektowany do pracy w układach impulsowych o małych stratach na przełączanie, SiSS22DN charakteryzuje się również małym ładunkiem bramki (QG=22,5 nC) i małym ładunkiem wyjściowym (QOSS=34,2 nC).
Komponenty automatyki
Sprzęgacze kierunkowe na pasmo do 67 GHz o małych stratach wtrąconych
Do oferty firmy Pasternack wchodzi nowa seria sprzęgaczy kierunkowych, wyróżniających się małymi stratami wtrąconymi i małymi stratami powrotnymi. Występują one w 24 wariantach pokrywających zakres częstotliwości pracy od 1 do 67 GHz.
Podzespoły pasywne
Rezystory chipowe 1 Ω…1 MΩ wytrzymałe na duże impulsy napięciowe
Firma Stackpole zwiększa dopuszczalną moc szczytową rezystorów popularnej rodziny RPC. Do oferty wchodzą dwie nowe serie: RPC0805x-UP (rozmiar 0805) o dopuszczalnej mocy 0,5 W i napięciu pracy 400 V oraz RPC1206x-UP (rozmiar 1206) o dopuszczalnej mocy 0,75 W i napięciu pracy 500 V.
Podzespoły pasywne
Kondensatory polimerowe aluminiowe o dużej pojemności i małej rezystancji ESR
Firma Panasonic Industry Europe dodaje do rodziny kondensatorów OS-CON nową serię aluminiowych kondensatorów polimerowych SVPT ze stałym elektrolitem, wyróżniających się małą rezystancją ESR od 15 do 24 mΩ i dużą pojemnością od 100 do 560 µF. Są to kondensatory przystosowane do montażu SMT, produkowane w wersjach na napięcia znamionowe 2,5, 6,3 i 16 VDC. Wytrzymują one temperatury otoczenia do +105°C przez 20 tys. godzin pracy, co pozwala na zastosowania w układach zasilania m.in. serwerów i stacji bazowych.
Podzespoły półprzewodnikowe
Szybki i precyzyjny wzmacniacz current sense o wymiarach 1,6 x 1,6 mm
INA185 to miniaturowy wzmacniacz pomiarowy current sense, zamykany w obudowie SOT-563-6 o powierzchni 1,6 x 1,6 mm i grubości 0,55 mm. Pomimo niskiej ceny jest wzmacniaczem precyzyjnym o krótkim czasie odpowiedzi. Realizuje dwukierunkowy pomiar natężenia prądu poprzez pomiar spadku napięcia na rezystorze bocznikowym.
Podzespoły półprzewodnikowe
Tranzystory superzłączowe 600 i 700 V do układów zasilania hard- i soft-switching
Do oferty firmy Alpha and Omega Semiconductor wchodzą nowe superzłączowe tranzystory n-MOSFET rodziny αMOS5 o napięciach przebicia 600 i 700 V, produkowane na płytkach 300-milimetrowych. Są to tranzystory wysokonapięciowe najnowszej generacji, zapewniające dużą sprawność i gęstość mocy w systemach zasilania o topologii hard- i soft-switching (PFC, topologie Flyback, LLC, ZVS FB i inne struktury rezonansowe).
Podzespoły półprzewodnikowe
Mikrofalowy wzmacniacz szerokopasmowy na zakres częstotliwości pracy od 30 kHz do 40 GHz
Do oferty firmy Macom wchodzi wzmacniacz szerokopasmowy MAAM-011275-DIE na zakres częstotliwości pracy od 30 kHz do 40 GHz, dostarczany w postaci struktury półprzewodnikowej o wymiarach 2,3 x 1,0 x 0,05 mm. Został on zaprojektowany do zastosowań w systemach komunikacyjnych i aparaturze pomiarowej.
Podzespoły pasywne
Najmniejszy na rynku oscylator kwarcowy w obudowie 1,2 x 1,0 x 0,33 mm
Firma IQD Frequency Products opracowała najmniejszy jak dotąd na rynku oscylator kwarcowy, produkowany w obudowie SMD o wymiarach 1,2 x 1,0 x 0,33 mm. Model IQXC-240 jest dostępny w wersjach o częstotliwości wyjściowej od 36 do 80 MHz. Może znaleźć zastosowanie wszędzie tam, gdzie najważniejszym kryterium są małe rozmiary podzespołów.
Podzespoły energoelektroniczne
Izolowany konwerter DC-DC do sterowania bramek tranzystorów SiC MOSFET
MSC215-18 to specjalizowany konwerter DC-DC do sterowania bramek tranzystorów SiC MOSFET, często stosowanych w aplikacjach wysokoczęstotliwościowych i wysokonapięciowych. Jest konwerterem izolowanym (3,5 kV) o nominalnym napięciu wejściowym 15 VDC, zawierającym asymetryczne wyjście +18/-3 VDC.