Komponenty / Produkty

Nexperia informuje o wprowadzeniu do oferty nowych, podwójnych tranzystorów MOSFET w konfiguracji półmostkowej (high side + low side), zamykanych w małogabarytowych obudowach LFPAK56D o bardzo małej indukcyjności pasożytniczej i bardzo małej rezystancji termicznej. Zostały one zaprojektowane specjalnie pod kątem zastosowań w elektronice samochodowej, głównie w układzie napędowym i przetwornicach DC-DC. Uzyskały w tym zakresie kwalifikację AEC-Q101.

Wurth Elektronik dodaje do oferty kolejne puszki ekranujące z serii WE-SHC, przeznaczone do montażu automatycznego, dostępne w wersjach SMT i THT. Puszki WE-SHC Seamless zostały zoptymalizowane do obwodów wysokiej częstotliwości, gdzie zapewniają ochronę przed promieniowaniem elektromagnetycznym szczególnie wrażliwych elementów, takich jak oscylatory i generatory sygnałów.

Rezystory pomiarowe (current sense), przekształcające natężenie przepływającego prądu na łatwe do zmierzenia napięcie, zyskują na popularności ze względu na dużą dokładność i stosunkowo niski koszt w porównaniu z innymi technikami pomiaru. Do oferty tych podzespołów firma Bourns wprowadziła ostatnio nową serię 50-watowych rezystorów CSM2F z kwalifikacją AEC-Q200, mogących znaleźć zastosowanie m.in. w motoryzacji. Seria ta obejmuje w sumie 9 wersji o zakresie rezystancji od 25 do 200 µΩ, produkowanych w czterech wariantach obudów chipowych: 6918, 8518, 7036 i 8536.

Odgromniki gazowe nowej serii GDT25 firmy Bourns wykazują odporność na większe o 40% prądy udarowe w porównaniu z wcześniejszymi wersjami. Są to odgromniki nowej generacji, zaprojektowane przy użyciu zaawansowanych technik symulacji komputerowych opracowanych przez Bourns, pozwalające zwiększyć ochronę przed przepięciami indukowanymi wskutek wyładowań atmosferycznych i przełączania napięć na elementach indukcyjnych. Ponadto, lepiej kontrolowany poziom napięcia ograniczenia zmniejsza stres wywoływany szybkimi zboczami przepięciowymi na podzespołach ochranianych niż w przypadku wersji standardowych.

Precyzyjne dzielniki rezystorowe ACAS AT firmy Vishay, wprowadzone po raz pierwszy do oferty w 2013 roku, są obecnie produkowane w nowych wersjach o szerszym zakresie napięcia pracy do 100 V oraz o 5-krotnie większym współczynniku podziału rezystancji od wcześniejszych wersji, sięgającym 100:1. Są to precyzyjne podzespoły z kwalifikacją AEC Q-200, mogące pracować w temperaturze otoczenia do +155°C. Charakteryzują się tolerancją bezwzględną ±0,1% oraz tolerancją względną pomiędzy rezystorami w strukturze, równą ±0,05%. Współczynnik temperaturowy bezwzględny i względny to odpowiednio ±10 ppm/K i ±5 ppm/K.

ON Semiconductor wprowadza do oferty nowe 650-woltowe tranzystory MOSFET o dużej szerokości pasma zabronionego, produkowane na podłożu SiC. Zostały one zaprojektowane do zastosowań wymagających dużej sprawności, gęstości mocy i niezawodności. Zastępując nimi tradycyjne, krzemowe tranzystory MOSFET, projektanci mogą uzyskać znacznie większą sprawność energetyczną i mniejszą emisję ciepła w samochodowych systemach ładowania akumulatorów, falownikach instalacji fotowoltaicznych, zasilaczach serwerowych i telekomunikacyjnych oraz zasilaczach UPS.

Kondensatory elektrolityczne aluminiowe nowej serii B43548x firmy TDK, wyróżniające się dużą odpornością na impulsy prądowe do 9,8 A (400 V, 100 Hz, 60°C), są polecane do zastosowań w wymagających aplikacjach dużej mocy. Są one produkowane w obudowach rozmiaru od Ø25 x 25 mm do Ø35 x 35 mm z wyprowadzeniami snap-in. W temperaturze otoczenia do +105°C, wynoszącym w zależności od modelu 400...500 V, zapewniają użyteczny czas życia 3000 h.

Firma TDK wprowadza na rynek serię wielowarstwowych ferrytowych cewek indukcyjnych SMD zaprojektowanych specjalnie do zastosowań w filtrach LC obwodów NFC. Cewki MLJ-H1005 dzięki wąskiemu przedziałowi tolerancji (±5%) pozwalają zminimalizować straty spowodowane niedopasowaniem impedancji anteny.

Do oferty firmy Rohm wchodzą 24 nowe p-kanałowe tranzystory MOSFET 5. generacji, dostępne w konfiguracjach pojedynczych (ozn. RQxxxxxAT/RDxxxxxAT/RSxxxxxAT/RFxxxxxAT) i podwójnych (UTxxx5/QHxxx5/SHxxx5). Tranzystory te występują w wersjach o napięciu przebicia -40 V i -60 V. Mogą znaleźć zastosowanie m.in. w przetwornicach DC-DC pracujących z napięciem wejściowym 24 V. Przewagą p-kanałowych tranzystorów MOSFET nad n-kanałowymi jest możliwość sterowania bramki tranzystora high-side w przełączniku napięciem mniejszym od napięcia wejściowego.