Komponenty / Produkty

Filtry przeciwzakłóceniowe do samochodowych interfejsów PoC
Podzespoły pasywne

Filtry przeciwzakłóceniowe do samochodowych interfejsów PoC

Mikrofon analogowy na zakres do 80 kHz do systemów predykcyjnego utrzymania ruchu
Podzespoły pasywne
Mikrofon analogowy na zakres do 80 kHz do systemów predykcyjnego utrzymania ruchu
Nowy mikrofon analogowy MEMS IMP23ABSU firmy STMicroelectronics został zaprojektowany do zastosowań w aplikacjach ultradźwiękowych, m.in. systemach predykcyjnego utrzymania ruchu. Charakteryzuje się dookólną charakterystyką, dużą odpornością na zaburzenia w.cz. i płaską charakterystyką częstotliwościową w zakresie do 80 kHz. Jest zamykany w metalowej obudowie RHLGA o wymiarach 3,5 x 2,66 x 0,98 mm z portem akustycznym umieszczonym od spodu. Pracuje z pojedynczym napięciem zasilania z zakresu 1,52…3,6 V, pobierając maksymalnie 150 µA prądu.
Mikrofalowe kable współosiowe na zakres częstotliwości pracy do 70 GHz
Materiały do produkcji
Mikrofalowe kable współosiowe na zakres częstotliwości pracy do 70 GHz
Na targach European Microwave Week (EuMW) 2021 firma Hubert+Suhner zaprezentowała nowe mikrofalowe kable współosiowe Sucoflex 570S do systemów pomiarowych, mogące pracować w zakresie częstotliwości do 70 GHz. Do ich zalet należy nie tylko szerokie pasmo, ale również duża odporność mechaniczna i możliwość pracy w ekstremalnych warunkach środowiskowych, w tym w zakresie temperatury od -55 do +125°C, bez degradacji parametrów.
Nowe obudowy PXIe Gen 3 ze slotami hybrydowymi do szerokiego zakresu zastosowań
Obudowy dla urządzeń
Nowe obudowy PXIe Gen 3 ze slotami hybrydowymi do szerokiego zakresu zastosowań
Pickering Interfaces dodaje do oferty dwie nowe obudowy PXIe Gen 3 o wysokości 4U, przeznaczone do zastosowań stacjonarnych i w szafach montażowych. Obie zostały wyposażone w inteligentny system zarządzania, monitorujący napięcie zasilania, temperaturę wewnętrzną i prędkość wentylatora chłodzącego. Są objęte 3-letnią gwarancją.
Podwójny, niskoprofilowy MOSFET do układów zabezpieczania akumulatorów litowo-jonowych
Podzespoły półprzewodnikowe
Podwójny, niskoprofilowy MOSFET do układów zabezpieczania akumulatorów litowo-jonowych
SSM6N951L to niskoprofilowy, podwójny tranzystor MOSFET w układzie z połączonymi drenami, zaprojektowany do zastosowań w układach zabezpieczenia akumulatorów litowo-jonowych. Wyróżnia się przede wszystkim bardzo małą grubością, wynoszącą zaledwie 0,11 mm. Ponadto, jest tranzystorem małostratnym, którego rezystancja RDS(on) nie przekracza 4,6 mΩ @ VGS=3,8 V, a prąd upływu bramka-źródło wynosi maksymalnie 1 µA @ VGS=8 V.
Tanie kondensatory ołowiowe SMD MLCC do zastosowań wojskowych i lotniczych
Podzespoły pasywne
Tanie kondensatory ołowiowe SMD MLCC do zastosowań wojskowych i lotniczych
Kondensatory Vishay Vitramon serii VJ....32 zawierają terminale pokryte stopem z minimalną zawartością 4% ołowiu, zapobiegającym tworzeniu się wąsów metalicznych na płytkach drukowanych. Są one przeznaczone do zastosowań głównie w aplikacjach wojskowych, lotnictwie i satelitach niskoorbitalnych. Mogą pracować w temperaturze otoczenia do +150°C. Dotychczas, pokrycie terminali stopem ołowiowym było stosowane wyłącznie przy produkcji znacznie droższych podzespołów o największej niezawodności. Nowe kondensatory MLCC stanowią tańszą alternatywę w przypadku aplikacji lotniczych, w których występowanie wąsów metalicznych jest niedopuszczalne, ale równocześnie nie jest wymagane stosowanie podzespołów najwyższej klasy niezawodnościowej.
Mechanizm Inject/Eject do łatwego montażu dysków M.2 SSD bez użycia narzędzi
Automatyzacja procesów
Mechanizm Inject/Eject do łatwego montażu dysków M.2 SSD bez użycia narzędzi
Firma Southco powiększa ofertę mechanizmów Inject/Eject serii P7 o nowy wariant, zaprojektowany do współpracy z pamięciami M.2 SSD, niewymagający użycia narzędzi przy montażu i demontażu. Model P7-M2 nadaje się do współpracy z płytkami drukowanymi o grubości 1,6 mm, 1,93 mm, 2,1 mm, 2,13 mm i 2,36 mm. Jego instalacja odbywa się poprzez włożenie go do otworu w płytce drukowanej i przekręcenie o kąt 90°.
750-woltowe tranzystory SiC MOSFET 4. generacji o rezystancji RDS(on) od 18 mΩ
Podzespoły półprzewodnikowe
750-woltowe tranzystory SiC MOSFET 4. generacji o rezystancji RDS(on) od 18 mΩ
Firma UnitedSiC, specjalizująca się w produkcji półprzewodników na podłożach z węglika krzemu, wprowadza na rynek pierwsze tranzystory MOSFET 4. generacji o napięciu przebicia 750 V, mogące znaleźć zastosowanie m.in. w przemysłowych i samochodowych systemach ładowania oraz systemach energii odnawialnej i magazynowania energii. Do oferty wchodzą po dwa modele zamykane w obudowach TO247-3L (UJ4C075018K3S, UJ4C075060K3S) i TO247-4L (UJ4C075018K4S, UJ4C075060K4S), różniące się rezystancją RDS(on), wynoszącą w zależności od wersji 18 mΩ lub 58 mΩ.
1-amperowy przekaźnik SSR z ogranicznikiem prądu i zabezpieczeniem termicznym
Podzespoły półprzewodnikowe
1-amperowy przekaźnik SSR z ogranicznikiem prądu i zabezpieczeniem termicznym
Firma Littelfuse opracowała nowy przekaźnik SSR z wbudowanym ogranicznikiem prądu i zabezpieczeniem termicznym. Model CPC1561B jest przekaźnikiem jednokanałowym, normalnie otwartym (1-Form-A). Zapewnia największe dopuszczalne napięcie wyjściowe i największą obciążalność (60 V, 1 ADC/RMS) wśród dostępnych na rynku odpowiedników, dzięki czemu nadaje się idealnie do zastosowań np. w systemach automatyki budynków i aparaturze pomiarowej. Dzięki podwójnemu zabezpieczeniu zapewnia dużą niezawodność w najbardziej wymagających aplikacjach, nieosiągalną w przypadku przekaźników elektromechanicznych ani standardowych przekaźników SSR. Może przetrwać najbardziej niekorzystne warunki i wznowić normalną pracę po usunięciu usterki, skracając tym samym czas przestojów oraz eliminując konieczność resetowania systemu czy też wzywania ekipy serwisowej.
Cewki do montażu przewlekanego o prądzie nasycenia do 420 A
Podzespoły pasywne
Cewki do montażu przewlekanego o prądzie nasycenia do 420 A
Małogabarytowe, wysokoprądowe cewki indukcyjne IHXL-1500VZ-51 firmy Vishay Dale wyróżniają się dużym prądem nasycenia, wynoszącym nawet do 420 A. Zostały one zaprojektowane jako zamienniki wcześniejszych wersji, produkowanych w znacznie większych obudowach. Mogą znaleźć zastosowanie m.in. w wysokoprądowych filtrach wejściowych przetwornic DC-DC montowanych w instalacjach solarnych i farmach wiatrowych, a także w telekomunikacji i w przemyśle. Charakteryzują się dużą dopuszczalną temperaturą pracy do +155°C i małą rezystancją uzwojenia, wynoszącą od 0,12 mΩ.

Informator Rynkowy Elektroniki 2025 już dostępny! Pobierz!

Informator Rynkowy Elektroniki to największe źródło informacji dla polskiego rynku elektroniki. To publikacja przeznaczona dla menadżerów i kadry zarządzającej, ale także dla inżynierów konstruktorów oraz pracowników działów zaopatrzeniowych firm. Znajdź dostawców i producentów! Pozyskaj klientów! Pobierz bezpłatnie!
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów