Komponenty / Produkty

Systemy komunikacji bezprzewodowej Bluetooth, ZigBee, WiFi czy SigFox pracują przy bardzo małej szerokości kanałów w.cz., dlatego szczególnie ważna jest w ich przypadku stabilność wewnętrznego źródła częstotliwości. Do tego typu zastosowań doskonale nadają się precyzyjne oscylatory TCXO nowej serii JT firmy Jauch Quartz. Nowo opracowany model JT21S charakteryzuje się wyjątkową stabilnością, wynoszącą już od ±0,5 ppm. Jest on oferowany również w wersji przestrajanej napięciem (VCTCXO), oznaczonej symbolem JT21SV. Zakres przestrajania wynosi tu co najmniej ±8 ppm. Oba oscylatory są produkowane w wersjach o częstotliwości od 9,5 do 52 MHz.

Melexis prezentuje trzecią generację popularnych sterowników LIN do zastosowań w samochodowych aplikacjach mechatroniki o mocy do 10 W, w tym m.in. w układach sterowania silnikami zaworów, wentylatorów i pomp. MLX81330 i MLX81332 zapewniają wydajność prądową odpowiednio 0,5 A i 1,0 A. Są to sterowniki produkowane w wysokonapięciowej technologii SOI, charakteryzujące się dużą niezawodnością i dużym stopniem integracji. Zapewniają kompatybilność ze standardami przemysłowymi LIN 2.x/SAE J2602 i ISO 17987-4 dla węzłów LIN slave. Ich struktura poza sterownikiem linii obejmuje dwa mikrokontrolery, z których jeden jest przeznaczony do wykonywania programu sterującego, a drugi odpowiada za funkcje komunikacyjne.

Nowe dławiki skompensowane prądowo firmy Bourns serii SRF1206A i SRF9045A charakteryzują się równocześnie dużym dopuszczalnym prądem przewodzenia i małymi gabarytami. Zostały zaprojektowane do tłumienia zaburzeń elektromagnetycznych (zarówno sumacyjnych, jak i różnicowych) w szerokim zakresie częstotliwości na liniach zasilających konwerterów DC-DC, zasilaczy impulsowych i systemów zarządzania zasilaniem. Ponadto, dzięki uzyskanej kwalifikacji AEC-Q200 mogą znaleźć zastosowanie w elektronice samochodowej. Ich zakres dopuszczalnej temperatury pracy rozciąga się od -40 do +125°C.

GeneSiC, firma specjalizująca się w produkcji podzespołów półprzewodnikowych na bazie podłoży z węglika krzemu (SiC), opracowała trzy tranzystory MOSFET o napięciu przebicia 6,5 kV, przeznaczone do zastosowań m.in. w infrastrukturze energetycznej smart grid oraz konwerterach DC-DC sieci trakcyjnych.

Natężenie ruchu w sieciach telekomunikacyjnych stale rośnie w związku z wprowadzaniem do użytku systemów 5. generacji oraz ewolucji sieci mobilnych, aplikacji IoT, samochodowych systemów wspomagania kierowcy (ADAS) i centrów danych. Równocześnie, zawęża się dopuszczalny zakres szumów, a zegary stosowane w wymieniowych aplikacjach pracują na coraz większych częstotliwościach i muszą charakteryzować się coraz mniejszym błędem jitteru. Optyczne moduły komunikacyjne łączące urządzenia sieciowe stają się coraz szybsze i mniejsze, a do transmisji sygnałów 400 Gbps i 800 Gbps na odległość 80 km i większą wymagane są źródła częstotliwości o tolerancji ±20 x 10-6 i mniejszej.

Do oferty firmy MtronPTI wchodzi seria oscylatorów TCXO o małych szumach fazowych, zaprojektowanych do zastosowań w telekomunikacji, nawigacji i przemyśle. Są one produkowane w wersjach z wyjściami LVPECL, LVDS, CML i CMOS o częstotliwości znamionowej od 10 do 1400 MHz. Charakteryzują się stabilnością wynoszącą już od ±1 ppm w przemysłowym zakresie temperatury otoczenia -40…+85°C (od ±0,5 ppm @ 0…+70°C). Są też produkowane w wersjach VCTCXO, umożliwiających regulowanie częstotliwości wyjściowej sygnałem napięciowym w zakresie ±5 ppm.

Nowy oscylator TCXO JT21G firmy Jauch Quartz został zaprojektowany specjalnie pod kątem zastosowań w urządzeniach nawigacyjnych wymagających dużej dokładności i stabilności w funkcji temperatury. Występuje w wersjach o dwóch typowych częstotliwościach stosowanych w tego typu aplikacjach: 26,0 MHz i 38,4 MHz. Gwarantuje stabilność wynoszącą ±0,5 ppm w zakresie temperatury pracy od -40 do +85°C, co zapewnia dużą dokładność pozycjonowania nawet w ciężkich warunkach środowiskowych.

Do oferty podzespołów w.cz. firmy Qorvo wchodzą dwa nowe wzmacniacze mocy na pasmo C, charakteryzujące się dużą sprawnością i dwukrotnie większą mocą wyjściową od wzmacniaczy poprzedniej generacji, przy tych samych gabarytach. Są one produkowane na podłożach GaN. Zawierają wbudowane obwody dopasowujące, eliminujące konieczność dołączania zewnętrznych elementów w.cz.

XTR1K110 to wysokotemperaturowa dioda Schottky’ego produkowana na podłożu z węglika krzemu, zaprojektowana do zastosowań w ekstremalnych warunkach środowiskowych. Może ona pracować w zakresie temperatury otoczenia od -60 do +230°C. Charakteryzuje się napięciem przebicia 1200 V, dopuszczalnym prądem przewodzenia 10 A (50 A w impulsie) oraz ekstremalnie krótkimi czasami przełączania, niezależnymi od temperatury. Dopuszczalna moc rozpraszana w strukturze może osiągnąć 90 W przy idealnym chłodzeniu. Dodatni współczynnik temperaturowy umożliwia łatwe łączenie równoległe.