Obudowy dla urządzeń
Nowe obudowy PXIe Gen 3 ze slotami hybrydowymi do szerokiego zakresu zastosowań
Pickering Interfaces dodaje do oferty dwie nowe obudowy PXIe Gen 3 o wysokości 4U, przeznaczone do zastosowań stacjonarnych i w szafach montażowych. Obie zostały wyposażone w inteligentny system zarządzania, monitorujący napięcie zasilania, temperaturę wewnętrzną i prędkość wentylatora chłodzącego. Są objęte 3-letnią gwarancją.
Podzespoły półprzewodnikowe
Podwójny, niskoprofilowy MOSFET do układów zabezpieczania akumulatorów litowo-jonowych
SSM6N951L to niskoprofilowy, podwójny tranzystor MOSFET w układzie z połączonymi drenami, zaprojektowany do zastosowań w układach zabezpieczenia akumulatorów litowo-jonowych. Wyróżnia się przede wszystkim bardzo małą grubością, wynoszącą zaledwie 0,11 mm. Ponadto, jest tranzystorem małostratnym, którego rezystancja RDS(on) nie przekracza 4,6 mΩ @ VGS=3,8 V, a prąd upływu bramka-źródło wynosi maksymalnie 1 µA @ VGS=8 V.
Podzespoły pasywne
Tanie kondensatory ołowiowe SMD MLCC do zastosowań wojskowych i lotniczych
Kondensatory Vishay Vitramon serii VJ....32 zawierają terminale pokryte stopem z minimalną zawartością 4% ołowiu, zapobiegającym tworzeniu się wąsów metalicznych na płytkach drukowanych. Są one przeznaczone do zastosowań głównie w aplikacjach wojskowych, lotnictwie i satelitach niskoorbitalnych. Mogą pracować w temperaturze otoczenia do +150°C. Dotychczas, pokrycie terminali stopem ołowiowym było stosowane wyłącznie przy produkcji znacznie droższych podzespołów o największej niezawodności. Nowe kondensatory MLCC stanowią tańszą alternatywę w przypadku aplikacji lotniczych, w których występowanie wąsów metalicznych jest niedopuszczalne, ale równocześnie nie jest wymagane stosowanie podzespołów najwyższej klasy niezawodnościowej.
Automatyzacja procesów
Mechanizm Inject/Eject do łatwego montażu dysków M.2 SSD bez użycia narzędzi
Firma Southco powiększa ofertę mechanizmów Inject/Eject serii P7 o nowy wariant, zaprojektowany do współpracy z pamięciami M.2 SSD, niewymagający użycia narzędzi przy montażu i demontażu. Model P7-M2 nadaje się do współpracy z płytkami drukowanymi o grubości 1,6 mm, 1,93 mm, 2,1 mm, 2,13 mm i 2,36 mm. Jego instalacja odbywa się poprzez włożenie go do otworu w płytce drukowanej i przekręcenie o kąt 90°.
Podzespoły półprzewodnikowe
750-woltowe tranzystory SiC MOSFET 4. generacji o rezystancji RDS(on) od 18 mΩ
Firma UnitedSiC, specjalizująca się w produkcji półprzewodników na podłożach z węglika krzemu, wprowadza na rynek pierwsze tranzystory MOSFET 4. generacji o napięciu przebicia 750 V, mogące znaleźć zastosowanie m.in. w przemysłowych i samochodowych systemach ładowania oraz systemach energii odnawialnej i magazynowania energii. Do oferty wchodzą po dwa modele zamykane w obudowach TO247-3L (UJ4C075018K3S, UJ4C075060K3S) i TO247-4L (UJ4C075018K4S, UJ4C075060K4S), różniące się rezystancją RDS(on), wynoszącą w zależności od wersji 18 mΩ lub 58 mΩ.
Podzespoły półprzewodnikowe
1-amperowy przekaźnik SSR z ogranicznikiem prądu i zabezpieczeniem termicznym
Firma Littelfuse opracowała nowy przekaźnik SSR z wbudowanym ogranicznikiem prądu i zabezpieczeniem termicznym. Model CPC1561B jest przekaźnikiem jednokanałowym, normalnie otwartym (1-Form-A). Zapewnia największe dopuszczalne napięcie wyjściowe i największą obciążalność (60 V, 1 ADC/RMS) wśród dostępnych na rynku odpowiedników, dzięki czemu nadaje się idealnie do zastosowań np. w systemach automatyki budynków i aparaturze pomiarowej. Dzięki podwójnemu zabezpieczeniu zapewnia dużą niezawodność w najbardziej wymagających aplikacjach, nieosiągalną w przypadku przekaźników elektromechanicznych ani standardowych przekaźników SSR. Może przetrwać najbardziej niekorzystne warunki i wznowić normalną pracę po usunięciu usterki, skracając tym samym czas przestojów oraz eliminując konieczność resetowania systemu czy też wzywania ekipy serwisowej.
Podzespoły pasywne
Cewki do montażu przewlekanego o prądzie nasycenia do 420 A
Małogabarytowe, wysokoprądowe cewki indukcyjne IHXL-1500VZ-51 firmy Vishay Dale wyróżniają się dużym prądem nasycenia, wynoszącym nawet do 420 A. Zostały one zaprojektowane jako zamienniki wcześniejszych wersji, produkowanych w znacznie większych obudowach. Mogą znaleźć zastosowanie m.in. w wysokoprądowych filtrach wejściowych przetwornic DC-DC montowanych w instalacjach solarnych i farmach wiatrowych, a także w telekomunikacji i w przemyśle. Charakteryzują się dużą dopuszczalną temperaturą pracy do +155°C i małą rezystancją uzwojenia, wynoszącą od 0,12 mΩ.
Podzespoły półprzewodnikowe
p-kanałowy tranzystor MOSFET o rezystancji kanału 30 mΩ z kwalifikacją AEC-Q101
Do oferty Vishay Intertechnology wchodzi kolejny p-kanałowy tranzystor MOSFET o rekordowo małej rezystancji kanału, zaprojektowany do zastosowań w motoryzacji. SQJ211ELP został zrealizowany w procesie TrenchFET. Jest zamykany w obudowie PowerPAK SO-8L (6 x 5 mm) z wyprowadzeniami typu Gullwing, ułatwiającymi automatyczną inspekcję optyczną oraz zwiększającymi odporność na narażenia mechaniczne. Może pracować w szerokim zakresie temperatury otoczenia do +175°C. Jego duże napięcie przebicia, wynoszące -100 V, zapewnia wystarczający margines bezpieczeństwa w instalacjach samochodowych zasilanych napięciem 12, 24 i 48 V.
Podzespoły pasywne
Oscylatory TCXO o stabilności od ±0,5 ppm do systemów komunikacji bezprzewodowej
Systemy komunikacji bezprzewodowej Bluetooth, ZigBee, WiFi czy SigFox pracują przy bardzo małej szerokości kanałów w.cz., dlatego szczególnie ważna jest w ich przypadku stabilność wewnętrznego źródła częstotliwości. Do tego typu zastosowań doskonale nadają się precyzyjne oscylatory TCXO nowej serii JT firmy Jauch Quartz. Nowo opracowany model JT21S charakteryzuje się wyjątkową stabilnością, wynoszącą już od ±0,5 ppm. Jest on oferowany również w wersji przestrajanej napięciem (VCTCXO), oznaczonej symbolem JT21SV. Zakres przestrajania wynosi tu co najmniej ±8 ppm. Oba oscylatory są produkowane w wersjach o częstotliwości od 9,5 do 52 MHz.