Komponenty / Produkty

Firma UnitedSiC, specjalizująca się w produkcji półprzewodników na podłożach z węglika krzemu, wprowadza na rynek pierwsze tranzystory MOSFET 4. generacji o napięciu przebicia 750 V, mogące znaleźć zastosowanie m.in. w przemysłowych i samochodowych systemach ładowania oraz systemach energii odnawialnej i magazynowania energii. Do oferty wchodzą po dwa modele zamykane w obudowach TO247-3L (UJ4C075018K3S, UJ4C075060K3S) i TO247-4L (UJ4C075018K4S, UJ4C075060K4S), różniące się rezystancją RDS(on), wynoszącą w zależności od wersji 18 mΩ lub 58 mΩ.

Firma Littelfuse opracowała nowy przekaźnik SSR z wbudowanym ogranicznikiem prądu i zabezpieczeniem termicznym. Model CPC1561B jest przekaźnikiem jednokanałowym, normalnie otwartym (1-Form-A). Zapewnia największe dopuszczalne napięcie wyjściowe i największą obciążalność (60 V, 1 ADC/RMS) wśród dostępnych na rynku odpowiedników, dzięki czemu nadaje się idealnie do zastosowań np. w systemach automatyki budynków i aparaturze pomiarowej. Dzięki podwójnemu zabezpieczeniu zapewnia dużą niezawodność w najbardziej wymagających aplikacjach, nieosiągalną w przypadku przekaźników elektromechanicznych ani standardowych przekaźników SSR. Może przetrwać najbardziej niekorzystne warunki i wznowić normalną pracę po usunięciu usterki, skracając tym samym czas przestojów oraz eliminując konieczność resetowania systemu czy też wzywania ekipy serwisowej.

Małogabarytowe, wysokoprądowe cewki indukcyjne IHXL-1500VZ-51 firmy Vishay Dale wyróżniają się dużym prądem nasycenia, wynoszącym nawet do 420 A. Zostały one zaprojektowane jako zamienniki wcześniejszych wersji, produkowanych w znacznie większych obudowach. Mogą znaleźć zastosowanie m.in. w wysokoprądowych filtrach wejściowych przetwornic DC-DC montowanych w instalacjach solarnych i farmach wiatrowych, a także w telekomunikacji i w przemyśle. Charakteryzują się dużą dopuszczalną temperaturą pracy do +155°C i małą rezystancją uzwojenia, wynoszącą od 0,12 mΩ.

Do oferty Vishay Intertechnology wchodzi kolejny p-kanałowy tranzystor MOSFET o rekordowo małej rezystancji kanału, zaprojektowany do zastosowań w motoryzacji. SQJ211ELP został zrealizowany w procesie TrenchFET. Jest zamykany w obudowie PowerPAK SO-8L (6 x 5 mm) z wyprowadzeniami typu Gullwing, ułatwiającymi automatyczną inspekcję optyczną oraz zwiększającymi odporność na narażenia mechaniczne. Może pracować w szerokim zakresie temperatury otoczenia do +175°C. Jego duże napięcie przebicia, wynoszące -100 V, zapewnia wystarczający margines bezpieczeństwa w instalacjach samochodowych zasilanych napięciem 12, 24 i 48 V.

Systemy komunikacji bezprzewodowej Bluetooth, ZigBee, WiFi czy SigFox pracują przy bardzo małej szerokości kanałów w.cz., dlatego szczególnie ważna jest w ich przypadku stabilność wewnętrznego źródła częstotliwości. Do tego typu zastosowań doskonale nadają się precyzyjne oscylatory TCXO nowej serii JT firmy Jauch Quartz. Nowo opracowany model JT21S charakteryzuje się wyjątkową stabilnością, wynoszącą już od ±0,5 ppm. Jest on oferowany również w wersji przestrajanej napięciem (VCTCXO), oznaczonej symbolem JT21SV. Zakres przestrajania wynosi tu co najmniej ±8 ppm. Oba oscylatory są produkowane w wersjach o częstotliwości od 9,5 do 52 MHz.

Melexis prezentuje trzecią generację popularnych sterowników LIN do zastosowań w samochodowych aplikacjach mechatroniki o mocy do 10 W, w tym m.in. w układach sterowania silnikami zaworów, wentylatorów i pomp. MLX81330 i MLX81332 zapewniają wydajność prądową odpowiednio 0,5 A i 1,0 A. Są to sterowniki produkowane w wysokonapięciowej technologii SOI, charakteryzujące się dużą niezawodnością i dużym stopniem integracji. Zapewniają kompatybilność ze standardami przemysłowymi LIN 2.x/SAE J2602 i ISO 17987-4 dla węzłów LIN slave. Ich struktura poza sterownikiem linii obejmuje dwa mikrokontrolery, z których jeden jest przeznaczony do wykonywania programu sterującego, a drugi odpowiada za funkcje komunikacyjne.

Nowe dławiki skompensowane prądowo firmy Bourns serii SRF1206A i SRF9045A charakteryzują się równocześnie dużym dopuszczalnym prądem przewodzenia i małymi gabarytami. Zostały zaprojektowane do tłumienia zaburzeń elektromagnetycznych (zarówno sumacyjnych, jak i różnicowych) w szerokim zakresie częstotliwości na liniach zasilających konwerterów DC-DC, zasilaczy impulsowych i systemów zarządzania zasilaniem. Ponadto, dzięki uzyskanej kwalifikacji AEC-Q200 mogą znaleźć zastosowanie w elektronice samochodowej. Ich zakres dopuszczalnej temperatury pracy rozciąga się od -40 do +125°C.

GeneSiC, firma specjalizująca się w produkcji podzespołów półprzewodnikowych na bazie podłoży z węglika krzemu (SiC), opracowała trzy tranzystory MOSFET o napięciu przebicia 6,5 kV, przeznaczone do zastosowań m.in. w infrastrukturze energetycznej smart grid oraz konwerterach DC-DC sieci trakcyjnych.

Natężenie ruchu w sieciach telekomunikacyjnych stale rośnie w związku z wprowadzaniem do użytku systemów 5. generacji oraz ewolucji sieci mobilnych, aplikacji IoT, samochodowych systemów wspomagania kierowcy (ADAS) i centrów danych. Równocześnie, zawęża się dopuszczalny zakres szumów, a zegary stosowane w wymieniowych aplikacjach pracują na coraz większych częstotliwościach i muszą charakteryzować się coraz mniejszym błędem jitteru. Optyczne moduły komunikacyjne łączące urządzenia sieciowe stają się coraz szybsze i mniejsze, a do transmisji sygnałów 400 Gbps i 800 Gbps na odległość 80 km i większą wymagane są źródła częstotliwości o tolerancji ±20 x 10-6 i mniejszej.