Podwójne 40-woltowe tranzystory n-MOSFET w obudowach LFPAK56D o małej indukcyjności
Nexperia informuje o wprowadzeniu do oferty nowych, podwójnych tranzystorów MOSFET w konfiguracji półmostkowej (high side + low side), zamykanych w małogabarytowych obudowach LFPAK56D o bardzo małej indukcyjności pasożytniczej i bardzo małej rezystancji termicznej. Zostały one zaprojektowane specjalnie pod kątem zastosowań w elektronice samochodowej, głównie w układzie napędowym i przetwornicach DC-DC. Uzyskały w tym zakresie kwalifikację AEC-Q101.
W porównaniu z wcześniejszymi odpowiednikami, nowe tranzystory BUK7V4R2-40H i BUK9V13-40H w obudowach LFPAK56D zajmują mniejszą o 30% powierzchnię na płytce drukowanej, a równocześnie dają możliwość prowadzenia automatycznej inspekcji optycznej połączeń podczas produkcji. Podczas, gdy w przypadku tradycyjnych tranzystorów o konfiguracji półmostkowej, połączenie źródła tranzystora high-side z drenem tranzystora low-side tworzy dużą indukcyjność pasożytniczą, wewnętrzne połączenie typu clip zastosowane w obudowach LFPAK56D pozwala zmniejszyć indukcyjność o 60%.
BUK7V4R2-40H i BUK9V13-40H to tranzystory 40-woltowe, wyprodukowane w procesie Trench 9. Różnią się rezystancją RDS(on), wynoszącą odpowiednio 4,2 mΩ i 13 mΩ, dopuszczalnym prądem drenu (odpowiednio 98 A i 42 A) oraz napięciem sterowania. BUK9V13-40H może być sterowany bezpośrednio z wyjść układów logicznych (VGS(th)=1,85 V).
