Podzespoły półprzewodnikowe
1200-woltowe tranzystory SiC MOSFET w 4-wyprowadzeniowych obudowach TO-247
Mitsubishi Electric dodaje do oferty serię 1200-woltowych tranzystorów SiC MOSFET produkowanych w 4-wyprowadzeniowych obudowach TO-247, pozwalających ograniczyć straty i powierzchnię na płytkach drukowanych w wysokonapięciowych systemach zasilania. Nowa oferta obejmuje 6 typów tranzystorów różniących się dopuszczalnym prądem drenu i rezystancją RDS(on). Wykazują one mały współczynnik FOM, wynoszący od 1450 mΩ-nC. Trzy z nich uzyskały kwalifikację samochodową AEC-Q101.
Podzespoły półprzewodnikowe
Tranzystory GaN FET z funkcją sterownika, zabezpieczeń i aktywnego zarządzenia mocą
Texas Instruments wprowadza na rynek pierwsze „samochodowe” tranzystory GaN FET z wbudowanym szybkim (2,2 MHz) sterownikiem bramek, obwodami zabezpieczającymi i funkcją aktywnego zarządzania mocą. Zostały one zaprojektowane do zastosowań w układach ładowania i zasilaczach przemysłowych, gdzie pozwalają dwukrotnie zwiększyć gęstość mocy, ograniczyć o ponad połowę objętość podzespołów magnetycznych i zapewnić sprawność energetyczną sięgającą 99%.
Podzespoły pasywne
Aluminiowe kondensatory elektrolityczne 100...3121 µF/10...500 V o dużej gęstości energii
Firma Exxelia, specjalizująca się w produkcji komponentów pasywnych i podsystemów przeznaczonych do pracy w ciężkich warunkach środowiskowych, wprowadza na rynek serię aluminiowych kondensatorów elektrolitycznych Felsic HC o dużej gęstości energii (do 21 µF/cm3), pozwalających zaoszczędzić nawet do 30% przestrzeni i zmniejszyć o 30% masę w porównaniu z kondensatorami wcześniejszych serii. Równocześnie, zapewniają one długi czas bezawaryjnej pracy, wynoszący 8000 godzin w temperaturze otoczenia +85°C.
Podzespoły półprzewodnikowe
25-watowy przełącznik SP4T na pasmo DC...6 GHz
Do oferty przełączników mikrofalowych firmy Menlo Micro wchodzi nowy układ oznaczony symbolem MM5130, zamykany w obudowie WLCSP o wymiarach zaledwie 2,5 x 2,5 x 0,9 mm. Jest to 4-kanałowy przełącznik SP4T na zakres częstotliwości pracy od DC do 26 GHz, charakteryzujący się małymi stratami wtrąconymi i bardzo dobrą liniowością. Może znaleźć zastosowanie w zestawach filtrów przełączanych, filtrach przestrajalnych, tłumikach cyfrowych oraz antenowych szykach fazowanych. Zapewnia dużą moc znamionową (ciągła 25 W, szczytowa >150 W), osiąganą dotychczas wyłącznie w przełącznikach mechanicznych o znacznie większych gabarytach i większej awaryjności. Niezawodność MM5130 producent określa na ponad 3 miliardy cykli.
Podzespoły półprzewodnikowe
Przetwornik C/A o paśmie 25 GHz do bezpośredniej syntezy sygnałów mikrofalowych
Do oferty firmy Teledyne e2v wchodzi pierwszy na rynku przetwornik C/A o 3-decybelowym paśmie analogowym wynoszącym 25 GHz, zaprojektowany do zastosowań w układach bezpośredniej syntezy sygnałów mikrofalowych. EV12DD700 to przetwornik dwukanałowy o maksymalnej szybkości konwersji 12 GSps i 12-bitowej rozdzielczości. Może znaleźć zastosowanie w radarach/jammerach, aparaturze pomiarowej, naziemnych i satelitarnych systemach telekomunikacyjnych, szykach fazowanych i aplikacjach SDR. Zawiera 32-bitowy oscylator NCO (numerically-controlled oscillator) realizujący funkcje bezpośredniej syntezy cyfrowej i konwersji częstotliwości.
Podzespoły półprzewodnikowe
Podwójny 40-woltowy MOSFET z kwalifikacją AEC Q-101 w obudowie o powierzchni 3,3 x 3,3 mm
DMT47M2LDVQ to podwójny „samochodowy” tranzystor MOSFET z kwalifikacją AEC-Q101, zamykany w obudowie PowerDI 3333-8 o powierzchni 3,3 x 3,3 mm, mniejszej o ponad połowę od wcześniejszych odpowiedników w obudowach SOT223. Zawiera dwa identyczne, 40-woltowe tranzystory n-kanałowe o bardzo małej rezystancji RDS(on), wynoszącej 10,9 mΩ @ VGS=10 V, pozwalającej ograniczyć straty konduktancyjne w układach napędowych, ładowania bezprzewodowego itp. Dopuszczalny prąd drenu DMT47M2LDVQ wynosi 30,2 A.
Podzespoły pasywne
Oscylator SPXO o stabilności ±10 ppm i zakresie napięcia zasilania od 1,62 do 3,63 V
Do rodziny oscylatorów IQXO-951 firmy IQD wchodzi nowa wersja precyzyjna o oznaczeniu IQXO-951 25TS, zapewniająca stabilność wynoszącą ±10 ppm w całym zakresie dopuszczalnej temperatury pracy od -40 do +85°C. Podobnie, jak wcześniejsze modele, nie wykazuje on wady tradycyjnych oscylatorów o stałym napięciu zasilania, polegającej na zmianie częstotliwości wyjściowej w miarę rozładowywania się baterii i obniżania napięcia zasilającego.
Podzespoły pasywne
Kondensatory dużej mocy na zakres napięć znamionowych do 2300 V do aplikacji DC link
Do oferty firmy TDK wchodzi nowa rodzina kondensatorów dużej mocy ModCap B25645Ax do łączenia przetwornic napięcia w systemach z szyną pośrednią (DC link). Są one produkowane na zakres pojemności od 365 do 2525 µF i na zakres napięć znamionowych od 1100 do 2300 V. Charakteryzują się prądem znamionowym wynoszącym w zależności od wersji 105…180 A i dopuszczalnym prądem impulsowym 5 kA. Mogą pracować w temperaturze otoczenia do +90°C.
Podzespoły pasywne
Miniaturowe kondensatory elektrolityczne o dużym prądzie udarowym i dużej niezawodności
Vishay BCcomponents powiększa ofertę kondensatorów elektrolitycznych o dużej niezawodności, zaprojektowanych do zastosowań w elektronice samochodowej. Kondensatory nowej serii 170 RVZ uzyskały kwalifikację AEC-Q200. Ich dopuszczalna temperatura pracy wynosi +105°C, a użyteczny czas życia to w zależności od wersji 4…10 tys. godzin @ +105°C.