Podzespoły półprzewodnikowe
Miniaturowy 170-woltowy tranzystor GaN FET o rezystancji RDS(on) równej 6,8 mΩ
Firma EPC powiększa ofertę tranzystorów Gan FET o 170-woltowy model EPC2059 przeznaczony do zastosowań po stronie wtórnej przetwornic napięcia w zasilaczach sieciowych i ładowarkach o szerokim zakresie mocy od 100 W do 6 kW. Jest on dostarczany w postaci struktury półprzewodnikowej o powierzchni 2,8 x 1,4 mm. Zapewnia bardzo małe straty mocy dzięki obniżeniu rezystancji RDS(on) do 6,8 mΩ (VGS=5 V, ID=10 A). Stanowi rozszerzenie rodziny tranzystorów GaN FET o napięciach przebicia 100…200 V, projektowanych pod kątem zastosowań w systemach zasilania serwerów, centrów danych, komputerów i systemów oświetleniowych.
Podzespoły półprzewodnikowe
Wzmacniacze audio klasy D z wbudowanym algorytmem korekcyjnym Klippel Controlled Sound
Nuvoton Technology wprowadza na rynek dwa inteligentne, monofoniczne wzmacniacze audio, NAU83G10 i NAU83G20, pracujące w oparciu o algorytm korekcyjny Klippel Controlled Sound (KCS) firmy Klippel GmbH. Głośniki są komponentami wysoce nieliniowymi o parametrach zmieniających się w czasie. Zniekształcenia sygnału, temperatura, starzenie, wpływ klimatu i inne czynniki zewnętrzne ograniczają maksymalny poziom i jakość odtwarzanego sygnału.
Podzespoły pasywne
Kondensatory MLCC o charakterystyce kompensacji temperatury U2J do aplikacji motoryzacyjnych
Obwody zabezpieczenia przepięciowego zapewniają ochronę urządzeń zasilających przed impulsami wysokonapięciowymi, mogącymi występować podczas przełączania. Kondensator w obwodzie absorbuje przepięcia generowane w elementach indukcyjnych, zapewniając ochronę tranzystorów i innych współpracujących z nimi podzespołów. Ponieważ małogabarytowe moduły zasilające są coraz częściej stosowane w motoryzacji i przemyśle, zachodzi konieczność miniaturyzacji komponentów elektronicznych pracujących w wysokiej temperaturze otoczenia.
Podzespoły pasywne
Nowe serie polimerowych kondensatorów aluminiowych hybrydowych z kwalifikacją AEC-Q200
Do oferty firmy Kemet wchodzą trzy nowe serie polimerowych kondensatorów aluminiowych hybrydowych z kwalifikacją AEC-Q200: A780, PHA225 i PHH225. Są to kondensatory łączące technologię polimeru o dużej przewodności z ciekłym elektrolitem, zapewniające bardzo dobre parametry elektryczne i mechaniczne w zastosowaniach przemysłowych i w motoryzacji.
Podzespoły półprzewodnikowe
1200-woltowe tranzystory SiC MOSFET w 4-wyprowadzeniowych obudowach TO-247
Mitsubishi Electric dodaje do oferty serię 1200-woltowych tranzystorów SiC MOSFET produkowanych w 4-wyprowadzeniowych obudowach TO-247, pozwalających ograniczyć straty i powierzchnię na płytkach drukowanych w wysokonapięciowych systemach zasilania. Nowa oferta obejmuje 6 typów tranzystorów różniących się dopuszczalnym prądem drenu i rezystancją RDS(on). Wykazują one mały współczynnik FOM, wynoszący od 1450 mΩ-nC. Trzy z nich uzyskały kwalifikację samochodową AEC-Q101.
Podzespoły półprzewodnikowe
Tranzystory GaN FET z funkcją sterownika, zabezpieczeń i aktywnego zarządzenia mocą
Texas Instruments wprowadza na rynek pierwsze „samochodowe” tranzystory GaN FET z wbudowanym szybkim (2,2 MHz) sterownikiem bramek, obwodami zabezpieczającymi i funkcją aktywnego zarządzania mocą. Zostały one zaprojektowane do zastosowań w układach ładowania i zasilaczach przemysłowych, gdzie pozwalają dwukrotnie zwiększyć gęstość mocy, ograniczyć o ponad połowę objętość podzespołów magnetycznych i zapewnić sprawność energetyczną sięgającą 99%.
Podzespoły pasywne
Aluminiowe kondensatory elektrolityczne 100...3121 µF/10...500 V o dużej gęstości energii
Firma Exxelia, specjalizująca się w produkcji komponentów pasywnych i podsystemów przeznaczonych do pracy w ciężkich warunkach środowiskowych, wprowadza na rynek serię aluminiowych kondensatorów elektrolitycznych Felsic HC o dużej gęstości energii (do 21 µF/cm3), pozwalających zaoszczędzić nawet do 30% przestrzeni i zmniejszyć o 30% masę w porównaniu z kondensatorami wcześniejszych serii. Równocześnie, zapewniają one długi czas bezawaryjnej pracy, wynoszący 8000 godzin w temperaturze otoczenia +85°C.
Podzespoły półprzewodnikowe
25-watowy przełącznik SP4T na pasmo DC...6 GHz
Do oferty przełączników mikrofalowych firmy Menlo Micro wchodzi nowy układ oznaczony symbolem MM5130, zamykany w obudowie WLCSP o wymiarach zaledwie 2,5 x 2,5 x 0,9 mm. Jest to 4-kanałowy przełącznik SP4T na zakres częstotliwości pracy od DC do 26 GHz, charakteryzujący się małymi stratami wtrąconymi i bardzo dobrą liniowością. Może znaleźć zastosowanie w zestawach filtrów przełączanych, filtrach przestrajalnych, tłumikach cyfrowych oraz antenowych szykach fazowanych. Zapewnia dużą moc znamionową (ciągła 25 W, szczytowa >150 W), osiąganą dotychczas wyłącznie w przełącznikach mechanicznych o znacznie większych gabarytach i większej awaryjności. Niezawodność MM5130 producent określa na ponad 3 miliardy cykli.
Podzespoły półprzewodnikowe
Przetwornik C/A o paśmie 25 GHz do bezpośredniej syntezy sygnałów mikrofalowych
Do oferty firmy Teledyne e2v wchodzi pierwszy na rynku przetwornik C/A o 3-decybelowym paśmie analogowym wynoszącym 25 GHz, zaprojektowany do zastosowań w układach bezpośredniej syntezy sygnałów mikrofalowych. EV12DD700 to przetwornik dwukanałowy o maksymalnej szybkości konwersji 12 GSps i 12-bitowej rozdzielczości. Może znaleźć zastosowanie w radarach/jammerach, aparaturze pomiarowej, naziemnych i satelitarnych systemach telekomunikacyjnych, szykach fazowanych i aplikacjach SDR. Zawiera 32-bitowy oscylator NCO (numerically-controlled oscillator) realizujący funkcje bezpośredniej syntezy cyfrowej i konwersji częstotliwości.